傳統(tǒng)模擬 X 射線成像系統(tǒng)以專門的感光膠片為介質,將通過的 X 射線轉變成可視圖像。為了完成這一任務,該膠片必須經過一種化學顯影過程,這個過程可能需要幾分鐘,因此推遲了開始對病人進行治療的時間。此外,顯影過程完成以后,醫(yī)療團隊可能會發(fā)現,由于 X 射線曝光不正確,該圖像需要重新攝取。
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凌力爾特 穩(wěn)壓器 CMOS
采用標準0.18μm CMOS工藝設計制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結構的小型化片上天線。該片上天線由一根長1.6 nm的偶極子天線以及一對一維的尺寸為240μm×340μm EBG結構構成。分別對該EBG結構以及片上天線的S11及S21進行了仿真和測試,結果表明該片上天線工作在20CHz,具有小型化的性能,同時具備三次諧波抑制的功能。
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CMOS EBG 制造 天線
CCD及CMOS在從事機器視覺或攝影等行業(yè)的朋友來說一點也不陌生,目前雖然在價格上CMOS更有優(yōu)勢并且在技術上的進步也在穩(wěn)步推進當中,但CCD在一些重點領域中的應用并不見減少。圖像傳感器有CCD和CMOS兩種,是機器視覺攝
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優(yōu)劣 淺析 傳感器 CMOS 對比 CCD
醫(yī)療領域與其它領域的區(qū)別在于隔離要求。隔離在這些醫(yī)療系統(tǒng)中起到關鍵作用,它必須是強健和可靠的,并且僅需較少空間和成本。然而隨著技術的發(fā)展,更小、更可靠和高性能隔離器件出現了,如單封裝、多通道數字隔離器、AC電流感應器和隔離柵驅動器。
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隔離器 醫(yī)療系統(tǒng) CMOS
GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強化型(LPe)制程技術平臺進行了最新技術強化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V?!?5nmLPe1V”是業(yè)內首個且唯一支持ARM1.0/1.2V物理IP庫的強化型制程節(jié)點,使芯片設計人員能夠在單一系統(tǒng)級芯片(SoC)中使用單一制程同時支持兩個工作電壓。
GLOBALFOUNDRIES產品營銷副總裁BruceKleinman表示:“‘55n
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GF CMOS
寬動態(tài)監(jiān)控攝像機CCD/CMOS-DSP解析,寬動態(tài)攝像機到現在為止,究竟經歷了幾代,沒能講得清楚。就技術而言,不算背光補償技術,寬動態(tài)現有二種重要實現方式:CCD+DSP技術和CMOS+DPS技術。CCD+DSP技術:DSP芯片是一種特殊的微處理器,根據數字信號處理理論
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解析 CCD/CMOS-DSP 攝像機 監(jiān)控 動態(tài)
GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強化型 (LPe)制程技術平臺進行了最新技術強化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是業(yè)內首個且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫的強化型制程節(jié)點,使芯片設計人員能夠在單一系統(tǒng)級芯片(SoC)中使用單一制程同時支持兩個工作電壓。
GLOBALFOUNDRIES產品營銷副總裁Bruce Kleinman表示:&ldqu
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GLOBALFOUNDRIES CMOS 55nm
摘要:本文介紹了CMOS圖像傳感器器件的原理、性能、優(yōu)點、問題及應對措施,以及CMOS圖像傳感器的市場狀況和一些...
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CMOS 圖像傳感器 電信號
過去,由于缺乏低成本系統(tǒng)部件,或因全息多路技術過于復雜以及找不到合適的記錄材料,使全息數據存儲產品的開...
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CMOS 成像器 全息數據檢索
擁有模擬和數字領域的優(yōu)勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出業(yè)界首款具備多同步輸出的高性能四頻MEMS振蕩器。IDT的最新振蕩器提供業(yè)界標準兼容封裝尺寸內的可配置輸出,從而節(jié)省通信、網絡、存儲、工業(yè)和FPGA等應用中的電路板面積和物料清單 (BOM) 成本。
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IDT MEMS振蕩器 CMOS
全球無線通訊及數字多媒體IC設計領導廠商聯發(fā)科技股份有限公司 (MediaTek, Inc.) ,日前宣布與CMOS影像傳感器領先品牌美國豪威科技股份有限公司(OmniVision Technologies, Inc.)合作,于其最新雙核及四核智能手機解決方案打造帶有畫中畫、影中影 (Video-in-Video ; ViV?) 相機功能的手機參考設計。
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聯發(fā) 豪威 智能手機 CMOS
最新一代CMOS和CCD圖像傳感器具有更大的頻譜寬度、更高的靈敏度、更低的工作噪聲和更小的外形尺寸。更先進的制造工藝還實現了更低的成本。此外,創(chuàng)新架構也正在給電路設計帶來更大的靈活性和通用性。 其結果是,
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圖像 傳感器 CCD CMOS 新一 最新
所有MOS集成電路(包括P溝道MOS,N溝道MOS,互補MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵,以防止電壓...
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MOS集成電路 CMOS NMOS
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