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Sony暗示iPhone相機(jī)模組被LG搶單？坦承錯(cuò)估CMOS需求

　　Sony 24日盤后公布了因熊本強(qiáng)震影響而一度擱置的今年度(2016年度、2016年4月-2017年3月)財(cái)測(cè)，而熊本強(qiáng)震雖對(duì)Sony營(yíng)益帶來1,150億日?qǐng)A的影響，不過Sony仍預(yù)估今年度營(yíng)益有望呈現(xiàn)增長(zhǎng)，也帶動(dòng)Sony 25日股價(jià)大漲。　　根據(jù)嘉實(shí)XQ全球贏家系統(tǒng)報(bào)價(jià)，截至臺(tái)北時(shí)間25日上午8點(diǎn)18分為止，Sony飆漲5.47%至3,044日?qǐng)A，稍早最高漲至3,058日?qǐng)A、創(chuàng)4月21日以來新高水準(zhǔn)?！　〔贿^全球智能手機(jī)成長(zhǎng)減速，也對(duì)Sony核心事業(yè)之一的元件事業(yè)帶來沖擊，Sony也坦承嚴(yán)重錯(cuò)估了使
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CCD與CMOS技術(shù)，我們居然還有這么多不知道

　　在工業(yè)應(yīng)用中成像系統(tǒng)的廣泛采用持續(xù)擴(kuò)展，不僅由新的影像感測(cè)器技術(shù)和產(chǎn)品的開發(fā)所推動(dòng)，還由支援平臺(tái)的進(jìn)步所推動(dòng)，如電腦功率和高速數(shù)據(jù)介面。今天，成像系統(tǒng)的使用在各種領(lǐng)域很常見，如配線檢查、交通監(jiān)測(cè)/執(zhí)法、監(jiān)控和醫(yī)療及科學(xué)成像，由于影像感測(cè)器技術(shù)的進(jìn)步，使成像性能、讀取速度和解析度提高。隨著影像感測(cè)器現(xiàn)在采用電荷耦合元件(CCD)和互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)設(shè)計(jì)，審視這兩大平臺(tái)對(duì)于選擇最適合特定應(yīng)用的影像感測(cè)器很有幫助?！　‰娮映上窦夹g(shù)的發(fā)展始于上世紀(jì)60年代，諾貝爾獎(jiǎng)得主Boyle和Smit
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如何提高抗干擾能力和電磁兼容性

　　在研制帶處理器的電子產(chǎn)品時(shí)，如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結(jié)了一些方法?！　∫弧⑾旅娴囊恍┫到y(tǒng)要特別注意抗電磁干擾：　　1、微控制器時(shí)鐘頻率特別高，總線周期特別快的系統(tǒng)?！　?、系統(tǒng)含有大功率，大電流驅(qū)動(dòng)電路，如產(chǎn)生火花的繼電器，大電流開關(guān)等?！　?、含微弱模擬信號(hào)電路以及高精度A/D變換電路的系統(tǒng)。　　二、為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施：　　1、選用頻率低的微控制器：　　選用外時(shí)鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比
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工業(yè)成像的CCD及CMOS技術(shù)之對(duì)比

在比較CCD和CMOS技術(shù)時(shí)試圖確定一個(gè)“贏家”，但這真的對(duì)兩者都有損公正，因?yàn)槊糠N技術(shù)都是獨(dú)一無(wú)二的，提供不同的終端用戶優(yōu)勢(shì)，東西好不好要看怎么用。
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模擬IC與數(shù)字IC異同

　　處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號(hào)的IC被稱為模擬IC。模擬IC處理的這些信號(hào)都具有連續(xù)性，可以轉(zhuǎn)換為正弦波研究。而數(shù)字IC處理的是非連續(xù)性信號(hào)，都是脈沖方波?！　∧MIC按技術(shù)類型來分有只處理模擬信號(hào)的線性IC和同時(shí)處理模擬與數(shù)字信號(hào)的混合IC。模擬IC按應(yīng)用來分可分為標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC和特殊應(yīng)用型模擬 IC。標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調(diào)節(jié)與參考對(duì)比(VoltageRegulator/Reference)、信號(hào)界面(Interface)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(Data
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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理方法

　　本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現(xiàn)多余輸入端的解決方法，并且對(duì)每種情況進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，希望大家能從本文得到有用的知識(shí)，解決輸入端多余的問題。　　CMOS門電路　　CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法：　　與門和與非門電路　　由
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干貨分享：工程師教你如何設(shè)計(jì)D類放大器

　　D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對(duì)于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計(jì)一個(gè)“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問題?！　∫纛l放大器背景　　音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真的輸入音頻信號(hào)。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內(nèi)具有良好的頻率響應(yīng)(當(dāng)驅(qū)動(dòng)頻帶有限的揚(yáng)聲器時(shí)頻率
關(guān)鍵字： D類放大器 CMOS

對(duì)比工業(yè)成像中的CCD及CMOS技術(shù)

在工業(yè)應(yīng)用的成像系統(tǒng)中，CCD是采用定制的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)，高度優(yōu)化于成像應(yīng)用，并需要外部電路將模擬輸出電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)用于后續(xù)處理。具有高效的電子快門能力、寬動(dòng)態(tài)范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端，而是放置晶體管在每一像素內(nèi)，來進(jìn)行電荷——電壓轉(zhuǎn)換。這令電壓在整個(gè)器件中傳輸，使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
關(guān)鍵字：成像系統(tǒng) 圖像傳感器 CCD CMOS 201604

什么是TTL電平、CMOS電平？?jī)烧叩膮^(qū)別

　　TTL電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強(qiáng)型PMOS晶體管和增強(qiáng)型NMOS管按照互補(bǔ)對(duì)稱形式連接的，下面來說一下兩者的區(qū)別?！　∈裁词荰TL電平　　TTL電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定，+5V等價(jià)于邏輯"1"，0V等價(jià)于邏輯"0"，這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng)，這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)?！　TL電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制
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芯片光傳輸突破瓶頸頻寬密度增加10~50倍

　　整合光子與電子元件的半導(dǎo)體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無(wú)法廣泛應(yīng)用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國(guó)加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現(xiàn)有CMOS標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。　　據(jù)HPC Wire網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，這顆整合7，000萬(wàn)個(gè)電晶體和850個(gè)光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)和電子設(shè)計(jì)工具均相容，因此可以大量生產(chǎn)。芯片內(nèi)建的光電發(fā)射器和接收器
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使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問題

　　集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長(zhǎng)，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個(gè)問題?！　?、電源問題　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
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關(guān)于電路的那些常識(shí)性概念

　　一.TTL　　TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源?！　?.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol　　Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V　　2.輸入高電平和輸入低電平　　Uih≥2.0V，Uil≤0.8V　　二.CMOS　　CMOS電路是電壓控制器件，輸入電阻極大，對(duì)于干擾信號(hào)十分敏感，因此不用的輸入端不應(yīng)開路，接到地或者電源上。CMOS電路的優(yōu)點(diǎn)是噪聲容限較寬，靜態(tài)功耗很小?！　?/li>
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歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)

　　歐盟(E.U.)最近啟動(dòng)一項(xiàng)為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導(dǎo)體”(INSIGHT)研發(fā)計(jì)劃，這項(xiàng)研發(fā)經(jīng)費(fèi)高達(dá)470萬(wàn)美元的計(jì)劃重點(diǎn)是在標(biāo)準(zhǔn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來的5G規(guī)格要求，以及瞄準(zhǔn)頻寬更廣、影像解析度更高的雷達(dá)系統(tǒng)。　　除了IBM (瑞士)，該計(jì)劃將由德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國(guó)LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
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安森美半導(dǎo)體推出先進(jìn)的1300萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器，采用SuperPD PDAF技術(shù)

　　推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，進(jìn)一步擴(kuò)展成像方案產(chǎn)品陣容，推出最新的高性能CMOS數(shù)字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，針對(duì)消費(fèi)電子產(chǎn)品如智能手機(jī)和平板電腦。AR1337結(jié)合高性能的SuperPD?相位檢測(cè)自動(dòng)對(duì)焦(PDAF)像素技術(shù)，提供微光下300 ms或更少時(shí)間的對(duì)焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通過采用其片上PDAF處理，大大簡(jiǎn)化集成到智能手機(jī)平臺(tái)和提高相機(jī)模塊集成商生產(chǎn)能力，較市場(chǎng)上其它
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CMOS傳感器，3D化發(fā)表接二連三

　　在正在舉行的“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日，美國(guó)舊金山)上，與積層CMOS圖像傳感器的3D(三維)化相關(guān)的發(fā)表接連不斷。在有9項(xiàng)演講的“SESSION6 Image Sensors”論壇上，有3項(xiàng)演講是與CMOS圖像傳感器的3D化有關(guān)的。以前業(yè)界就在做3D化嘗試，而此次的3項(xiàng)技術(shù)除了比原來具有更強(qiáng)的低成本和低功耗意識(shí)之外，還在3D化中輕松實(shí)現(xiàn)了“模塊化”。　　 ? 　　通過模塊化手段
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