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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
- 在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點(diǎn)，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會(huì)議上展示的投影片與評(píng)論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當(dāng)，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)
- 關(guān)鍵字： ST FD-SOI 10nm
ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日，意法半導(dǎo)體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時(shí)，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導(dǎo)體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應(yīng)用市場的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺(tái)包括全功能且經(jīng)過硅驗(yàn)證的設(shè)計(jì)平臺(tái)和設(shè)
- 關(guān)鍵字： ST 晶圓 FD-SOI
IMS：內(nèi)嵌RF燈泡市場預(yù)計(jì)在2013年起飛
- 國外國外 市場研究機(jī)構(gòu)IMS Research 預(yù)測，2013年將會(huì)是內(nèi)嵌RF功能燈泡的起飛年，有越來越多大廠計(jì)劃推出支持各種無線技術(shù)的新型照明產(chǎn)品。根據(jù)該機(jī)構(gòu)最近發(fā)布的照明控制連網(wǎng)技術(shù)商機(jī)報(bào)告預(yù)估，2013年內(nèi)嵌RF燈泡出貨量以及搭配的遠(yuǎn)程控制器出貨量將超過60萬套，該數(shù)字在2017年將進(jìn)一步增長至1,170萬。 IMS Research 指出，內(nèi)嵌RF燈泡市場的成長動(dòng)力來自多個(gè)方向，其中最重要的是通過智能手機(jī)控制照明的功能，除了在家中的控制，有部分系統(tǒng)還提供使用者從外面進(jìn)行居家照明遠(yuǎn)程控制的
- 關(guān)鍵字： Osram LED燈泡 RF
RF防反射隔聲罩獲美國專利
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： sEElectronics 防反射隔聲罩 專利 RF
華潤上華第二代200V SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
- 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù)，由華潤上華在2010年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級(jí)，達(dá)到更高的性價(jià)比，這在國內(nèi)尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù)，具備了根據(jù)市場需求持續(xù)開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SOI工藝技術(shù)能力。
- 關(guān)鍵字： 華潤微電子 半導(dǎo)體 SOI
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