rf-cmos 文章 最新資訊
射頻（RF）基本理論
- 1. 什么是射頻？射頻簡稱RF，是高頻交流變化電磁波的簡稱。電磁波其實就是比較熟悉的概念了，依據(jù)麥克斯韋的電磁場理論：振蕩的電場產(chǎn)生振蕩的磁場，振蕩的磁場產(chǎn)生振蕩的電場，電磁場在空間內(nèi)不斷向外傳播，形成了電磁波。下圖可以大致體現(xiàn)體現(xiàn)這個過程，E代表電場，B代表磁場。在軸上同一位置的電場、磁場的相位和幅度均會隨著時間發(fā)生變化。通常情況下，射頻（RF）是振蕩頻率在300KHz-300GHz之間的電磁波的統(tǒng)稱，被廣泛應(yīng)用于雷達(dá)和無線通信。2. 射頻基本特征為了描述給定射頻信號，可以從頻率、波長、幅度、相位四個角
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安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor
- onsemi AR0823AT 是一款 1/1.8 英寸的 CMOS 數(shù)位影像感測器，擁有 3840 H x 2160 V 的有效像素陣列。這款先進(jìn)的汽車用感測器能以高動態(tài)范圍 (HDR) 并結(jié)合 LED 閃爍抑制 (LFM) 捕捉影像。AR0823AT 可在每一幀中同時捕捉低光與極高亮度的場景，其 2.1 μm 超級曝光像素能實現(xiàn)高達(dá) 150 dB 的動態(tài)范圍，而無需進(jìn)行自動曝光調(diào)整。這顯著降低了場景依賴的汽車關(guān)鍵系統(tǒng)的延遲，實現(xiàn)更快速且更安全的數(shù)據(jù)收集與決策。AR0823AT 的雙輸出
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國產(chǎn)無反相機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)
- 根據(jù)相機(jī)及影像產(chǎn)品協(xié)會（CIPA）公布的數(shù)據(jù)，2024 年 1 月至 5 月，中國市場相機(jī)出貨量全球占比達(dá)到 23.4%，躍居繼美洲之后的全球第二大市場。在智能手機(jī)沖擊下曾一度遇冷的相機(jī)市場，如今因直播電商、短視頻等新興產(chǎn)業(yè)的崛起而重新煥發(fā)生機(jī)。產(chǎn)品創(chuàng)新與流量經(jīng)濟(jì)的交織，正在為傳統(tǒng)行業(yè)打開一條全新的消費路徑。日本佳能副社長、執(zhí)行董事小澤秀樹也表示，2023 年中國數(shù)碼相機(jī)市場實現(xiàn)了 25% 的增長，其中無反相機(jī)更是增長了 31%，預(yù)計 2024 年這一增長勢頭將持續(xù)，無反相機(jī)的增長有望達(dá)到 35%。隨著近
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利用噪聲系數(shù)度量分析射頻電路中的噪聲
- 關(guān)于射頻模擬設(shè)計中的噪聲分析，通過示例了解噪聲系數(shù)度量，包括本規(guī)范的關(guān)鍵方面。除了一些特定的應(yīng)用，例如，當(dāng)需要抖動效果時，噪聲通常是一種不想要的現(xiàn)象。科學(xué)家和工程師已經(jīng)表征了不同電路元件產(chǎn)生的噪聲，并開發(fā)了可用于分析電路噪聲性能的方法。在模擬電路設(shè)計中，我們通常將噪聲效應(yīng)建模為輸入?yún)⒖荚肼曤妷汉碗娏髟?。然而，在射頻（RF）設(shè)計中，噪聲系數(shù)度量可以是表征電路噪聲性能的更有用的方法。在本文中，我們將介紹噪聲系數(shù)度量，強(qiáng)調(diào)該規(guī)范的一些微妙之處，最后看一個例子來澄清所討論的概念。射頻模擬設(shè)計中的噪聲分析我們通常用
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單級小信號 RF 放大器設(shè)計
- 本文要點：? 小信號 RF 放大器的用途。? 用于小信號 RF 放大器的分壓器晶體管偏置電路。? 單級小信號 RF 放大器的設(shè)計步驟。幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會放大它們接收到的輸入信號?；镜姆糯笃麟娐酚呻p極結(jié)型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區(qū)運(yùn)行。晶體管的有源區(qū)用于放大目的。當(dāng)晶體管偏置為有源區(qū)時，施加在輸入端子上的輸入信號會使輸出電流出現(xiàn)波動。波動的輸出電流流過輸出電阻，產(chǎn)生經(jīng)過放大的輸出電壓。有些放大器能放大微弱 RF 輸入信號且（與靜態(tài)工作點相比）輸出電流波動較小，它們稱為
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打破索尼壟斷！晶合集成1.8億像素相機(jī)全畫幅CMOS成功試產(chǎn)：業(yè)內(nèi)首顆
- 8月19日消息，今日，晶合集成宣布與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆1.8億像素全畫幅（2.77英寸）CMOS圖像傳感器（以下簡稱CIS），為高端單反相機(jī)應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇。據(jù)了解，晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺，與思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個芯片尺寸上，所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限。同時確保在納米級的制造工藝中，拼接后的芯片依然保證電學(xué)性能和光學(xué)性能的連貫一致。晶合集成表示，首顆1.8億像素全畫幅CIS的成功試產(chǎn)，既標(biāo)志著光刻拼接技術(shù)在
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業(yè)內(nèi)首顆！國產(chǎn) 1.8 億像素相機(jī)全畫幅 CMOS 圖像傳感器成功試產(chǎn)
- 8 月 19 日消息，晶合集成今日官宣，該公司與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆 1.8 億像素全畫幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 圖像傳感器），為高端單反相機(jī)應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇?！?產(chǎn)品圖，圖源晶合集成，下同據(jù)介紹，為滿足 8K 高清化的產(chǎn)業(yè)要求，高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發(fā)的 55 納米工藝平臺，攜手思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個芯片尺寸上，所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限，同時確保在納米級的制造工藝中，拼接后的芯片依
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RF ADC為什么有如此多電源軌和電源域？
- 在采樣速率和可用帶寬方面，當(dāng)今的射頻模數(shù)轉(zhuǎn)換器(RF ADC)已有長足的發(fā)展，其中還納入了大量數(shù)字處理功能，電源方面的復(fù)雜性也有提高。那么，RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域？為了解電源域和電源的增長情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡(luò)。早期ADC采樣速度很慢，大約在數(shù)十MHz內(nèi)，而數(shù)字內(nèi)容很少，幾乎不存在。電路的數(shù)字部分主要涉及如何將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綌?shù)字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節(jié)點幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓
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Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術(shù)
- 近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示，通過此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現(xiàn)有的元件、正在開發(fā)的新內(nèi)核以及相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)(IP)。公司將為無線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事和衛(wèi)星通信應(yīng)用開發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線并實現(xiàn)商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場供應(yīng)Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
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使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節(jié)點設(shè)計的SPICE模型可以增強(qiáng)集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標(biāo)是準(zhǔn)確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設(shè)計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進(jìn)
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純化合物半導(dǎo)體代工廠推出全新RF GaN技術(shù)
- 6月14日，純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預(yù)計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據(jù)穩(wěn)懋半導(dǎo)體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結(jié)合了多項改進(jìn)，以增強(qiáng)直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
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CMOS反相器開關(guān)功耗的仿真
- 當(dāng)CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗：動態(tài)，當(dāng)反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時發(fā)生。靜態(tài)，由穩(wěn)態(tài)運(yùn)行期間流動的泄漏電流引起。我們不再進(jìn)一步討論靜態(tài)功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動態(tài)功耗。本文關(guān)注的是開關(guān)功率——當(dāng)輸出電壓變化時，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實現(xiàn)圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
- 關(guān)鍵字： CMOS，反相器，功耗 仿真，LTspice
CMOS反相器的功耗
- 本文解釋了CMOS反相器電路中的動態(tài)和靜態(tài)功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發(fā)展是技術(shù)史上的一個轉(zhuǎn)折點。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數(shù)字系統(tǒng)的電氣特性。CMOS的一個優(yōu)點是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態(tài)時才需要電流——簡單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來說，低功耗是一個理想的功能，當(dāng)你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個小空間中時，這尤其有益。正如計算機(jī)CPU愛好者提醒我們的那樣，充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒有CMOS反相
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Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash CMOS圖像傳感器系列
- Teledyne Technologies[紐交所代碼：TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng)新者Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash? CMOS圖像傳感器系列，推出Flash 2K LSA，該產(chǎn)品專門適用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光輪廓應(yīng)用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專為三維激光輪廓/位移應(yīng)用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產(chǎn)品，適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應(yīng)用，其角度響應(yīng)在30°角度下為四倍以上，在
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