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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)
- 摘 要：本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線，設(shè)計了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點，并提出了解決方案。關(guān)鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結(jié)構(gòu)；制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
- 關(guān)鍵字： LDMOSFET MOSFET RF RF專題 電源技術(shù) 功率 模擬技術(shù) 器件結(jié)構(gòu) 制造工藝
CMOS集成電路使用注意事項
- CMOS集成電路的安裝。為了避免由于靜電感應(yīng)而損壞電路，焊接CMOS集成電路所使用的電烙鐵必需良好接地，焊接時間不得超過5秒。最好使用20~25W內(nèi)熱式電烙鐵和502環(huán)氧助焊劑，必要時可使用插座。在接通電源的情況下，不應(yīng)裝拆CMOS集成電路。凡是與CMOS集成電路接觸的工序，使用的工作臺及地板嚴禁鋪墊高絕緣的板材（如橡膠板、玻璃板、有機玻璃、膠木板等），應(yīng)在工作臺上鋪放嚴格接地的細鋼絲網(wǎng)或銅絲網(wǎng)，并經(jīng)常檢查接地可靠性。CMOS集成電路的測試。測試時所有CMOS集成電路的儀器、儀表均應(yīng)良好接地。如果是低阻信
- 關(guān)鍵字： CMOS 集成電路
飛思卡爾使EDGE RF 子系統(tǒng)尺寸減半
- 緊湊型解決方案支持 DigRF 接口，縮短了產(chǎn)品上市時間 通過擴大其支持Enhanced Data Rates for GSM Evolution (EDGE) 手機設(shè)計的RF產(chǎn)品，飛思卡爾半導體揭開了公司第一款RF CMOS 90 納米收發(fā)器的神秘面紗。新RFX275-30是一個收發(fā)器子系統(tǒng)，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低發(fā)送和接收電流、高接收器靈敏度，并且結(jié)構(gòu)非常緊湊。通過簡化編程，新
- 關(guān)鍵字： EDGE RF 尺寸減半 單片機 飛思卡爾 嵌入式系統(tǒng) 子系統(tǒng)
32段CMOS LCD驅(qū)動器AY0438及其與單片機的接口設(shè)計
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- 關(guān)鍵字： CMOS LCD驅(qū)動器 液晶顯示 LCD
CMOS多頻段低噪聲放大器設(shè)計
- 本設(shè)計中的并行式多頻段LNA為單個LNA，但能同時工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號。
- 關(guān)鍵字： CMOS 多頻 低噪聲 放大器設(shè)計
基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計
- 引言 隨著移動通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標準CMOS工藝實現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機的關(guān)鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件，然而在用實際工藝實現(xiàn)電路時，會發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實現(xiàn)的器件來代替一般的變?nèi)荻O管，MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個簡單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
- 關(guān)鍵字： CMOS RF專題 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 射頻 振蕩器
集成多路模擬開關(guān)的應(yīng)用技巧
- 集成多路模擬開關(guān)（以下簡稱多路開關(guān)）是自動數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件，其實際使用性能的優(yōu)劣對系統(tǒng)的嚴謹和可靠性重要影響。 關(guān)于多路開關(guān)的應(yīng)用技術(shù)，些文獻上介紹有兩點不足：一是對器件自身介紹較多，而對器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)介紹較少；二是原則性的東西介紹較多，而操作性的東西介紹較少。研究表明：只有正確選擇多路開關(guān)的種類，注意多路開關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)，保證各電路單元有合適的工作狀態(tài)，才能充分發(fā)揮多路開關(guān)的性能，甚至彌補某性能指標的欠缺，收到預(yù)期的效果。本文從應(yīng)用
- 關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 放大器 模擬技術(shù) 模擬開關(guān)
手機多頻帶切換力推RF MEMS 開關(guān)發(fā)展
- 手機的發(fā)展要求在以低插入損耗進行多頻帶和多模頻帶切換的同時仍保持優(yōu)良的線性特性，這推動了RF MEMS開關(guān)的應(yīng)用和發(fā)展。隨著新的復雜波形如WiMAX添加到混合信號上，多頻帶的切換問題變得更加突出。目前在全球大規(guī)模興建的3G網(wǎng)絡(luò)可提供包括數(shù)據(jù)和點播視頻在內(nèi)的多種業(yè)務(wù)，網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展對手機設(shè)計師提出了新的挑戰(zhàn)。無線技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)使得手機可以使用7種不同的無線標準(頻帶)，包括DCS、PCS、GSM、EGSM、CDMA、WCDMA、GPS 和 Wi-Fi(見表1)。每種標準自身均具有獨特的特性和限制，并因此產(chǎn)生了自
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