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          power-soi 文章 最新資訊

          NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品

          •   恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors,由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品,型號(hào)為PSMN1R2-25YL,它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝:LFPAK)中擁有最低導(dǎo)通電阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體,可在各種嚴(yán)苛應(yīng)用條件下
          • 關(guān)鍵字: NXP  MOSFET  PSMN1R2-25YL  Power-SO8  

          Global Foundries挖角為新廠Fab2鋪路

          •   Global Foundries再度展開挖角,繼建置布局營銷業(yè)務(wù)、設(shè)計(jì)服務(wù)團(tuán)隊(duì)之后,這次延攬建廠、廠務(wù)人才并將目標(biāo)鎖定半導(dǎo)體設(shè)備商,Global Foundries預(yù)計(jì)2009年7月破土的Fab 2正在緊鑼密鼓策畫中,這次延攬的Norm Armour原屬設(shè)備龍頭應(yīng)用材料(Applied Materials)服務(wù)事業(yè)群高層,而Eric Choh則是原超微(AMD)晶圓廠營運(yùn)干部,兩人都熟稔晶圓廠設(shè)備系統(tǒng)與IBM技術(shù)平臺(tái)。   Global Foundries宣布新一波人事布局,主要是為了積極籌備位于紐
          • 關(guān)鍵字: GlobalFoundries  晶圓  半導(dǎo)體設(shè)備  SOI  

          Global Foundries志在英特爾 臺(tái)廠不是主要對(duì)手

          •   Global Foundries制造系統(tǒng)與技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示,Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土,專攻28納米制程已以下制程技術(shù),未來將持續(xù)延攬來自各界半導(dǎo)體好手加入壯大軍容,同時(shí)他也指出,目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期,2009年底前Fab 1將全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)40/45納米制程。Global Foundries表示,在晶圓代工領(lǐng)域臺(tái)積電雖是對(duì)手之一,但真正的目標(biāo)(Bench Mark)其實(shí)對(duì)準(zhǔn)英特爾(Intel)。   競爭對(duì)手臺(tái)積電45/40
          • 關(guān)鍵字: GlobalFoundries  40納米  晶圓代工  SOI  

          英飛凌與LS合組新公司,聚焦白家電電源模塊

          •   新聞事件:   韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd   事件影響:   將使英飛凌和LSI得以加速進(jìn)入高效能家電、低功率消費(fèi)與標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)應(yīng)用等前景好的市場   LS預(yù)計(jì)于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開始量產(chǎn)CIPOS模塊   韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd,將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷。   合
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  CIPOS  射極控制二極管技術(shù)  SOI  

          新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

          • 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu),該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層,采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散,形成體接觸的側(cè)面引出,適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明,該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且,該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下,通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻,從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
          • 關(guān)鍵字: SOI  器件    

          新型節(jié)能照明電源的控制技術(shù)(07-100)

          •   用于建筑照明方面的電力管理解決辦法,如電感熒光燈,電子熒光燈,緊湊型熒光燈(CFL),鹵素?zé)艨刂萍呻娐芬约案邏簹怏w放電燈(H1D)技術(shù)等, 用于范圍寬廣的居民區(qū)、商業(yè)和汽車中,減少了它們所需要的電力,在節(jié)能方面向前邁進(jìn)了巨大的一步。其控制集成電路中的自適應(yīng)控制技術(shù)和高電壓半導(dǎo)體結(jié)隔離技術(shù)是其中的一部分,獲得了廣泛應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: The control technology of new illuminate power  

          Power 推出IC系列新品LNK632DG器件

          •         Power Integrations為LinkSwitch-II初級(jí)側(cè)控制離線式開關(guān)IC系列再添新品   用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司宣布推出LNK632DG器件,為其廣受歡迎的LinkSwitch-II產(chǎn)品系列再添新品。新器件針對(duì)最高輸出功率3.1 W的電源應(yīng)用而設(shè)計(jì),使制造商能夠滿足包括能源之星&acirc; EPS v2.0在內(nèi)的全球所有的低功率
          • 關(guān)鍵字: Power  IC  離線式  

          ST展示綠色電源理念,太陽能LED街燈吸引眼球

          • ST(意法半導(dǎo)體)于2月26至27日亮相深圳IIC-China 2009,集中演示基于“Green Power”理念的系列節(jié)能產(chǎn)品及解決方案。三十余款產(chǎn)品的現(xiàn)場演示展示意法半導(dǎo)業(yè)界最領(lǐng)先的電源管理解決方案,體現(xiàn)意法半導(dǎo)體致力于幫助客戶減少環(huán)境影響的承諾。 照片1 ST展位 其中,太陽能發(fā)光二極管(Solar LED)街燈格外引人注目,該產(chǎn)品是是意法半導(dǎo)體大中國區(qū)多元市場技術(shù)應(yīng)用中心研發(fā)的獨(dú)特解決方案,據(jù)該中心的高級(jí)應(yīng)用工程師史建忠介紹說,該方案由兩個(gè)模塊構(gòu)成:一個(gè)85W太陽能
          • 關(guān)鍵字: ST  IIC  Green Power  電源管理  

          IMEC加入SOI聯(lián)盟

          •         據(jù)EE Times網(wǎng)站報(bào)道,旨在推進(jìn)SOI晶圓應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)組織SOI聯(lián)盟(SOI Consortium)宣布,比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC已加入?yún)f(xié)會(huì)作為學(xué)術(shù)會(huì)員。         IMEC是一家獨(dú)立的納電子研究中心,已在SOI技術(shù)領(lǐng)域積極開展研究超過20年。IMEC開展的合作性CMOS微縮研究較商用制造水平超前2至3個(gè)節(jié)點(diǎn)。IMEC不僅研究SOI相關(guān)的器件原
          • 關(guān)鍵字: SOI  晶圓  IMEC  

          Boston-Power與金山電池結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴

          •   快速擴(kuò)展的新一代鋰離子電池供應(yīng)商 Boston-Power 公司宣布與金山電池國際有限公司 (GP Batteries) 結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。通過這項(xiàng)合作關(guān)系,可充電鋰離子電池Sonata的批量生產(chǎn)將可以大幅擴(kuò)展。該協(xié)議的詳情并沒有對(duì)外公布。   金山電池國際有限公司是大中國區(qū)領(lǐng)先的消費(fèi)產(chǎn)品電池制造商,是金山工業(yè)集團(tuán) (Gold Peak Industries) 的成員,后者于1964年成立,為香港上市公司 (SEHK:40),在世界各地都設(shè)有辦事處。   根據(jù)這項(xiàng)五年協(xié)議,金山電池將臺(tái)
          • 關(guān)鍵字: Boston-Power  金山電池  可充電鋰離子電池  

          加快推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)材料本土化合作

          •         由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)舉辦的“集成電路產(chǎn)業(yè)材料本土化合作交流會(huì)”2月17日在張江休閑中心召開。來自上海新陽半導(dǎo)體材料有限公司、安集微電子(上海)有限公司、上海新傲科技有限公司、上海華誼微電子材料有限公司等集成電路材料企業(yè)就高純CU電鍍液、SOI外延片、CMP拋光液、清洗液及高純化學(xué)試劑等新材料、新工藝做了介紹。會(huì)上近60位長三角地區(qū)晶圓制造企業(yè)代表參與并就四個(gè)報(bào)告進(jìn)行交流。  &nb
          • 關(guān)鍵字: 集成電路  SOI  CMP  

          Mouser提供備有的FCI的高速電纜和電源電纜組件

          •         近日,Mouser電子公司宣布它首次備有FCI的高速電纜和電源電纜組件,F(xiàn)CI是一家在廣泛的消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用方面領(lǐng)先的設(shè)計(jì)商、制造商和創(chuàng)新、高品質(zhì)電氣和電子互連系統(tǒng)的供應(yīng)商。FCI的互連器件包括為音頻/視頻連接器、cardedge連接器、背板連接器、D- Sub連接器、端子、I/O連接器、IC連接器、元器件連接器、矩形連接器、電源連接器、SMT連接器、FFC/FPC、電信連接器、以太網(wǎng)連接器、終端連接器、USB和火線連
          • 關(guān)鍵字: Mouser  FCI  USB+Power  PwrBlade  PwrTwin Blade  Power D-sub  

          SOI的CAN收發(fā)器實(shí)現(xiàn)EMC優(yōu)化重大突破

          • 網(wǎng)絡(luò)電子系統(tǒng)在汽車和工業(yè)應(yīng)用中日益得到廣泛部署,飛利浦采用獨(dú)特的新型絕緣體上硅芯片(SOI)技術(shù)推出的控制...
          • 關(guān)鍵字: SOI  CAN  EMC  汽車電子  

          用IC激發(fā)汽車電子的創(chuàng)新

          • 訪NXP 高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官 Rene Penning de Vires 當(dāng)人們在逐步習(xí)慣使用車用遙控門鎖(Remote Keyless Entry)打開車門的時(shí)候,也在慢慢淡忘曾經(jīng)的手動(dòng)金屬鑰匙。將來,被稱作“駛向未來的鑰匙”的智能鑰匙又會(huì)怎樣簡化汽車的駕乘? 智能鑰匙其實(shí)是采用了NFC(近距離無線通信)、GPS無線技術(shù)和顯示技術(shù)的智能卡??梢酝ㄟ^顯示屏直觀地顯示汽車停泊的位置、安全狀態(tài)等等信息,并且可以打造成一個(gè)非接觸式支付的多功能錢包。智能鑰匙通過無線網(wǎng)絡(luò)將駕
          • 關(guān)鍵字: RKE  NXP  NFC  磁阻傳感器  車載網(wǎng)絡(luò)  SOI  

          美法院判決Power Integrations應(yīng)獲的損害賠償金降低82%

          •   飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布,審理該公司與Power Integrations之間專利侵權(quán)訴訟案的法院已把陪審團(tuán)裁定對(duì) Power Integrations的損害賠償金從約3400萬美元降到約600萬美元。   法院同時(shí)裁定重審飛兆半導(dǎo)體公司是否蓄意侵犯Power Integrations公司所宣稱之專利。裁決結(jié)果于周五在美國特拉華州地方法院宣布。   雖然飛兆半導(dǎo)體之小部份產(chǎn)品受到永久禁令裁決,但該公司表示因?yàn)樵缭?007年就已主動(dòng)停止這些產(chǎn)品在美國的
          • 關(guān)鍵字: 飛兆半導(dǎo)體  Power Integrations  專利  
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