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鐵電存儲(chǔ)器1T單元C-V特性的計(jì)算機(jī)模擬
- 鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)具備可存儲(chǔ)大量資料的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM)與高速運(yùn)作的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的優(yōu)點(diǎn),且在斷電后,資料不會(huì)消失,亦具備快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。在所有非易失性存儲(chǔ)器(NVM)中,鐵電存儲(chǔ)器件被認(rèn)為是最有吸引力的用于IT的存儲(chǔ)器件之一[1]。1T單元體積更小,集成度更高。特別是這種方式易于實(shí)現(xiàn)多值存儲(chǔ),在相同規(guī)模下可以達(dá)到更高的存儲(chǔ)容量,因而在提高性價(jià)比方面具有極大的優(yōu)勢。 為了系統(tǒng)地從理論上研究鐵電存儲(chǔ)器IT單元特性,米勒首先提出了數(shù)學(xué)模型[2]。后人也有用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)、依據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得到的
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