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          nor-cell 文章 最新資訊

          美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

          •   美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購(gòu)NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議,美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。   完成收購(gòu)恒憶后美光成為同時(shí)擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營(yíng)收約5.50億美元,自由現(xiàn)金流量達(dá)4,200萬(wàn)美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  NAND  NOR  

          三星出貨全球首款多芯片封裝相變存儲(chǔ)顆粒

          •   相變存儲(chǔ)技術(shù)看來(lái)終于要走出實(shí)驗(yàn)室,走向市場(chǎng)了。繼Numonyx宣布出貨Omneo系列相變存儲(chǔ)芯片后,三星電子近日也宣布,推出全球首款多芯片封裝(MCP)PRAM相變存儲(chǔ)顆粒產(chǎn)品。   相變存儲(chǔ)屬于非易失性存儲(chǔ)技術(shù),可以像閃存那樣在關(guān)機(jī)后繼續(xù)保持?jǐn)?shù)據(jù)。三星就表示,這款512Mbit容量MCP封裝PRAM顆粒在軟硬件功能上都和40nm級(jí)NOR閃存顆粒完全兼容,方便客戶廠商在產(chǎn)品中加入該存儲(chǔ)顆粒。由于相變存儲(chǔ)技術(shù)的高寫入速度特性,采用PRAM可有效提升數(shù)碼設(shè)備的存儲(chǔ)速度。   三星表示,多芯片封裝PRA
          • 關(guān)鍵字: Numonyx  相變存儲(chǔ)  NOR  

          富士通開發(fā)NOR型閃存新技術(shù)

          •   富士通微電子公司日前宣布,已經(jīng)成功開發(fā)出一種NOR型閃存新技術(shù),可提高閃存讀取速度,并同時(shí)降低工作電流。富士通在NOR型閃存中,引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問(wèn)隨機(jī)存儲(chǔ))中的電路元素,從而實(shí)現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問(wèn)速度提高2.5倍達(dá),訪問(wèn)時(shí)間僅10ns,同時(shí)工作電流降低三分之二達(dá)到9µA。通過(guò)在嵌入式設(shè)備中應(yīng)用這項(xiàng)技術(shù),便攜音視頻設(shè)備將有望改進(jìn)性能,同時(shí)延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間。   富士通表示,將以這項(xiàng)N
          • 關(guān)鍵字: 富士通  NOR  閃存  

          Numonyx和Macronix第四季度加熱NOR閃存市場(chǎng)

          •   據(jù)iSuppli公司,經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇已帶動(dòng)長(zhǎng)期低迷的NOR閃存市場(chǎng)反彈,類似于整體內(nèi)存市場(chǎng)的情形。   2009年第四季度總體NOR營(yíng)業(yè)收入為12.3億美元,比第三季度的12.2億美元增長(zhǎng)0.7%。   “這標(biāo)志這個(gè)市場(chǎng)連續(xù)第三個(gè)季度實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)。2009年第一季度形勢(shì)非常糟糕,營(yíng)業(yè)額下降到不足10億美元,”iSuppli公司的資深內(nèi)存與存儲(chǔ)分析師Michael Yang表示,“第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入受到來(lái)自多個(gè)消費(fèi)產(chǎn)品領(lǐng)域的需求推動(dòng),包括液晶電視、手機(jī)和電腦。需
          • 關(guān)鍵字: Numonyx  NOR  內(nèi)存  

          美光科技斥資12.7億美元收購(gòu)恒億半導(dǎo)體

          •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,美國(guó)最大的電腦存儲(chǔ)芯片制造商美光科技(Micron Technology)周二宣布,將斥資12.7億美元收購(gòu)閃存芯片制造商恒憶半導(dǎo)體(Numonyx Holdings BV),借此增強(qiáng)其閃存芯片業(yè)務(wù)。   收購(gòu)恒億   美光科技科技在聲明中表示,將向恒憶半導(dǎo)體的投資者——英特爾、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)以及私募股權(quán)公司Francisco Partners——定向增發(fā)1.4億股股票。除此之外,美光科技還會(huì)向恒憶
          • 關(guān)鍵字: 美光  NOR  Numonyx   

          創(chuàng)造消費(fèi)價(jià)值是關(guān)鍵

          •   32位MCU強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng)   從全球范圍內(nèi)的微控制器(MCU)的市場(chǎng)情況看(如圖1),08年出貨量是119億美元,到09年降低到86億美元。從增長(zhǎng)曲線看,32位微控制器在過(guò)去5年增長(zhǎng)了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長(zhǎng)。從銷售額來(lái)看,在2009年的前10個(gè)月里有7個(gè)月32位高過(guò)8位,到10月底時(shí),32位總體下降了近23%,而8位MCU下降了近27%。從數(shù)量上看,8位的下降是26%,而32位只下降10%,因此從單位數(shù)量來(lái)說(shuō),32位下降較少,NXP(恩智浦)認(rèn)為32位還是有比較強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭,這
          • 關(guān)鍵字: MCU  NAND  NOR  Android  

          為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

          •   存儲(chǔ)器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬,使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。   縱觀DRAM發(fā)展的歷史,幾乎每8至10年一次大循環(huán),最終一定有大型的存儲(chǔ)器廠退出,表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝,日立及NEC退出,如今2000年代的奇夢(mèng)達(dá)最先退出。奇夢(mèng)達(dá)的退出使市場(chǎng)少了10萬(wàn)片的月產(chǎn)能。   在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中,存儲(chǔ)器也是走在前列,如
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM  NAND  NOR  SRAM  

          東芝Cell Regza液晶電視亮相CES 2010

          •   在本次CES2010上,東芝展出了旗下Cell Regza液晶電視Toshiba 55ZX900, 65ZX900 | ZX900。其實(shí)早在09年10月初的日本CEATEC JAPAN 2009展會(huì)上,東芝就展示了下一代的Regza液晶電視,操作界面與顯示皆為3D,并且支持手勢(shì)操作,現(xiàn)場(chǎng)是在型號(hào)為55X1的機(jī)型。   東芝CELL REGZA液晶電視是東芝與索尼和美國(guó)IBM共同開發(fā)的微處理器“Cell Broadband Engine(以下簡(jiǎn)稱Cell)”的液晶電視&ldqu
          • 關(guān)鍵字: CES  液晶電  東芝視  Cell   

          張汝京下課 中芯大漲

          •   為中芯解開多年無(wú)法突破的經(jīng)營(yíng)困境,而與臺(tái)積電未來(lái)如能合作,將會(huì)是個(gè)雙贏的局面。張汝京的下臺(tái),為臺(tái)積電、中芯國(guó)際都找到下一個(gè)春天。   11月11日,臺(tái)灣有四家報(bào)紙的頭版頭條報(bào)道了同一則新聞:中芯國(guó)際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長(zhǎng)張汝京宣布辭職;董事會(huì)即刻宣布由王寧國(guó)接任執(zhí)行董事兼集團(tuán)總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺(tái)積電入股中芯半導(dǎo)體10%的股份。   中芯將分5年賠償臺(tái)積電2億美元,并且無(wú)償授予臺(tái)積電8%的中芯股權(quán),且臺(tái)積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價(jià)格認(rèn)購(gòu)2%的中芯股權(quán)。   這件事情所以在臺(tái)灣
          • 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際  晶圓  NOR  NAND  

          消息稱張汝京或?qū)⒐芾碇行境啥技拔錆h芯片廠

          •   據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,近期市場(chǎng)傳出中芯國(guó)際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠,而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統(tǒng)籌管理,張汝京等于找到了新舞臺(tái)。   臺(tái)灣媒體引述“內(nèi)部人士”的話報(bào)道稱,成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國(guó)際CEO王寧國(guó)見面,但王寧國(guó)未有正面回應(yīng),目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上,成都市政府上周密會(huì)中芯前總裁張汝京,兩地政府希望未來(lái)成都廠及武漢廠由張汝京出面統(tǒng)籌管理。   據(jù)報(bào)道,中芯在張汝京時(shí)代,曾與成都、武漢等兩地方政府達(dá)成協(xié)議,成都市政府出資成立成
          • 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際  晶圓  NOR  NAND  

          NAND成本優(yōu)勢(shì)明顯,NOR成明日黃花

          •   市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告”指出,NOR閃存在512Mb是個(gè)門檻。高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加。同時(shí),NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢(shì)越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多。手機(jī)市場(chǎng)變化迅速,現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年,NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)“長(zhǎng)壽”也不復(fù)存在。盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion。而NAND
          • 關(guān)鍵字: 手機(jī)  NAND  NOR  

          IBM與索尼東芝斷交 不再開發(fā)Cell處理器

          •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,知情人士透露,IBM已經(jīng)決定不再參與Cell處理器的研發(fā)。   Cell處理器由IBM、索尼和東芝聯(lián)合開發(fā),目前主要被用于索尼PS3游戲機(jī)、電視機(jī)和超級(jí)計(jì)算機(jī)之中。   IBM最后參與開發(fā)的Cell處理器為PoweXCell 8i,被用于超級(jí)計(jì)算機(jī)“走鵑”(Roadrunner)中。在最新一屆的“全球超級(jí)計(jì)算機(jī)500強(qiáng)”排名中,”走鵑”從榜首跌至第二,運(yùn)算速度為每秒1.042千萬(wàn)億次。   IBM退出后,Ce
          • 關(guān)鍵字: IBM  Cell  處理器  

          IBM停止Cell處理器開發(fā)

          •   德國(guó)網(wǎng)站Heise Online證實(shí)(德語(yǔ))IBM停止了Cell處理器的未來(lái)開發(fā)。 Cell處理器一度被認(rèn)為是一項(xiàng)革命性的產(chǎn)品,但實(shí)際應(yīng)用證明它并不比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手突出。IBM主管Deep Computing的副總裁David Turek證實(shí)PoweXCell 8i是最后一款Cell處理器。   當(dāng)然停止芯片設(shè)計(jì)并不意味著它的死亡,目前多數(shù)的Cell芯片主要由東芝公司生產(chǎn),使用在索尼公司的PS3主機(jī)上。Sun 曾經(jīng)指出,3.2GHz的Cell處理器還沒有1.4GHz的SUN Niagara處理器快。有評(píng)論
          • 關(guān)鍵字: IBM  Cell  處理器  

          手機(jī)內(nèi)存:NAND優(yōu)勢(shì)愈加明顯,NOR風(fēng)光不再

          •   市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告"指出,NOR閃存在512Mb是個(gè)門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時(shí),NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢(shì)越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多.手機(jī)市場(chǎng)變化迅速,現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年,NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)"長(zhǎng)壽"也不復(fù)存在.盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion.而NAND領(lǐng)域,三
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  NOR  RAM  

          STM32-FSMC機(jī)制的NOR Flash存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)

          • 引 言
            STM32是ST(意法半導(dǎo)體)公司推出的基于ARM內(nèi)核Cortex-M3的32位微控制器系列。Cortex-M3內(nèi)核是為低功耗和價(jià)格敏感的應(yīng)用而專門設(shè)計(jì)的,具有突出的能效比和處理速度。通過(guò)采用Thumb-2高密度指令集,Cor
          • 關(guān)鍵字: Flash  FSMC  STM  NOR    
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          nor-cell介紹

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