nor flash 文章最新資訊

互聯(lián)環(huán)境中的安全存儲器

嵌入式系統(tǒng)越來越普遍地采用云技術(shù)來進行數(shù)據(jù)采集、事件檢測和軟件更新。這些遠程物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備普遍通過固件完成設(shè)置，這些固件有可能存儲在主機MCU中，也有可能存儲在外置非易失性存儲器的用戶空間中。而這些非易失性存儲器中的內(nèi)容則是惡意攻擊的主要對象。對于所有全新開發(fā)的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備來說，采取應(yīng)對措施防止非易失性存儲器的非授權(quán)修改，已成為一項基本的設(shè)計要求。圖?1 - 作為節(jié)點的互聯(lián)嵌入式系統(tǒng)本文將對分立閃存存儲器領(lǐng)域開始涌現(xiàn)的加密和安全基礎(chǔ)設(shè)施進行介紹，并探討如何將這些新特性用于物聯(lián)網(wǎng)互聯(lián)設(shè)備的安全保障。新一
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華邦電進軍車用、工業(yè)領(lǐng)域

存儲器大廠華邦電近日宣布，開發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問題。華邦電表示，Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別，提供車用與工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域穩(wěn)健可靠的儲存存儲器。
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武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計方案。
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賽普拉斯Semper NOR閃存助力東芝加速開發(fā)新一代ADAS

日前，賽普拉斯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司宣布，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已選擇將賽普拉斯Semper NOR閃存用于其面向汽車高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的新一代Visconti?系列產(chǎn)品。Semper系列采用嵌入式處理器架構(gòu)，專為要求最嚴苛的汽車環(huán)境而開發(fā)，同時符合高密度要求和功能安全要求。針對正在努力實現(xiàn)自動駕駛L2級功能的主要汽車制造商，東芝專門推出Visconti? ADAS SoC。賽普拉斯Semper NOR閃存系列在功能安全合規(guī)方面處于業(yè)界領(lǐng)先地位，是首款專為達到ISO26262汽車
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?？煽菔蔂€，程序存儲的空間也會變

現(xiàn)如今，基本上所有的東西都打上了一個叫做“保質(zhì)期”的標簽。在電子產(chǎn)品那里，有一個更為專業(yè)一點的術(shù)語，叫做“產(chǎn)品生命周期”。
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兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎

近日，?業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎?！爸袊尽豹勴検悄壳皣鴥?nèi)最具權(quán)威性與影響力的獎項之一，本屆共有125家芯片企業(yè)、累計187款芯片產(chǎn)品參與報名，基本涵蓋國內(nèi)最具實力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品，是國內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
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東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC，XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案，樣品預(yù)計將于下月送樣檢測，或?qū)⒂?020年量產(chǎn)。
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NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌　各家布局蓄勢待發(fā)

受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲器價格將反轉(zhuǎn)契機出現(xiàn)，NAND Flash價格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn)，而國際大廠之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
關(guān)鍵字：三星電子東芝存儲器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND

停電余威沖擊NAND Flash出貨　價格維持小跌

日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當?shù)貭I運的5座 NAND Flash工廠的營運中斷，盡管東芝存儲器尚未對外說明影響，但據(jù)傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
關(guān)鍵字： ?威騰東芝存儲器 NAND Flash

數(shù)據(jù)存儲很重要，這塊把錢省不掉？

多日后，當李工在領(lǐng)導(dǎo)面前拍著桌子指責(zé)我的時候，我才知道，原來我倆在項目啟動會上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
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兆易創(chuàng)新SPI NOR Flash全系列產(chǎn)品通過AEC-Q100車規(guī)認證

　　中國北京(2019年3月26日) — 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布，其GD25全系列SPI NOR Flash產(chǎn)品已完成AEC-Q100認證，是目前唯一的全國產(chǎn)化車規(guī)閃存產(chǎn)品，為汽車前裝市場以及需要車規(guī)級產(chǎn)品的特定應(yīng)用提供高性能和高可靠性的閃存解決方案。　　隨著自動駕駛、車聯(lián)網(wǎng)和新能源汽車的發(fā)展，汽車產(chǎn)業(yè)對存儲器的需求與日俱增，成為存儲芯片中重要的新興增長點和決定市場格局的重要力量。實現(xiàn)汽車的智能化需要更多的環(huán)境感知，隨著傳感器和更多MC
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使用高速NOR閃存配置FPGA

　　NOR閃存已作為FPGA(現(xiàn)場可編程門列陣)的配置器件被廣泛部署。其為FPGA帶來的低延遲和高數(shù)據(jù)吞吐量特性使得FPGA在工業(yè)、通信和汽車ADAS(高級駕駛輔助系統(tǒng))等應(yīng)用中得到廣泛采用。汽車場景中攝像頭系統(tǒng)的快速啟動時間要求就是很好的一個例子——車輛啟動后后視圖像在儀表板顯示屏上的顯示速度是最為突出的設(shè)計挑戰(zhàn)?！　∩想姾?，F(xiàn)PGA立即加載存儲于NOR器件中的配置比特流。傳輸完成后，F(xiàn)PGA轉(zhuǎn)換為活動(已配置)狀態(tài)。FPGA包括許多配置接口選項，通常包括并行NOR總線和串行外設(shè)接口(SPI)總線。支持
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2019年全球Flash支出達260億美元　連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴增計劃，2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會大幅下滑，但該支出金額仍然會繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出?！　CInsights最新資料顯示，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元。　
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美光行使認購期權(quán)，收購在IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份

　　美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼：MU)今日宣布公司正在行使其認購期權(quán)，收購英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡稱“IM Flash”) 中的權(quán)益。2018 年 10 月 18 日，美光宣布了其行使期權(quán)的意向?！　　笆召?IM Flash 將使美光加速研發(fā)進程，并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計劃，”美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 說?！蔼q他州的工廠將幫助我們提升生產(chǎn)制造柔性，配備高技術(shù)型人才隊伍，以推動 3D Xpo
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中天弘宇：攻克核心設(shè)計缺陷重建NOR閃存新生

閃存是當今數(shù)據(jù)存儲的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設(shè)計缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過，因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累，完成了對原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新，也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構(gòu)，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]