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Nexperia推出一系列A-selection齊納二極管，可提供高精度基準電壓
- 基礎半導體元器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導體）今天宣布推出業(yè)內(nèi)首批A-selection齊納二極管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差僅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基準電壓。這兩個系列不僅可以滿足日漸增長的移動便攜式和可穿戴應用、汽車和工業(yè)應用的需求及監(jiān)管要求，也可以支持Q產(chǎn)品組合器件。 “Nexperia的A-selection齊納二極管涵蓋從1.8V至75V的各種應用，提供高精度、低容差基準電壓
- 關鍵字： Nexperia A-selection 齊納二極管
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列
- 基礎半導體元器件領域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰(zhàn)略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續(xù)正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉(zhuǎn)換應用實現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
- 關鍵字： Nexperia 碳化硅 SiC 二極管
Nexperia表面貼裝器件通過汽車應用的板級可靠性要求
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布，公司研發(fā)的表面貼裝器件-銅夾片F(xiàn)latPower封裝CFP15B首次通過領先的一級供應商針對汽車應用的板級可靠性 (BLR)測試。該封裝將首先應用于發(fā)動機控制單元。 BLR是一種評估半導體封裝堅固性和可靠性的方法。測試遵循極為嚴格的程序，在十分注重安全性和可靠性的汽車應用中具有重要的指導意義。隨著汽車行業(yè)向電動和車聯(lián)網(wǎng)轉(zhuǎn)型，車載電子系統(tǒng)越來越復雜，因此該認證至關重要。 Nexperia雙極性功率分立器件產(chǎn)品經(jīng)理Guido S?h
- 關鍵字： Nexperia 表面貼裝器件
Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia，今日宣布將于9月21日至23日舉辦‘Power Live’，這是其第二次舉辦此年度虛擬會議。鑒于去年首屆活動取得圓滿成功，本屆為期三天的活動將擴大規(guī)模，涵蓋與功率電子元件相關的眾多主題，包括面向汽車和工業(yè)應用的GaN、MOSFET、功率二極管和雙極性晶體管。 會議重點將包括：l MOSFET全電熱模型Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細預覽，該模型可以在仿真中準確呈現(xiàn)器件的靜態(tài)和動態(tài)特性，并降低在設計過程后期發(fā)現(xiàn)EMC問題的風險。 l
- 關鍵字： Nexperia Power Live
Nexperia再度蟬聯(lián)博世全球供應商大獎
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia非常榮幸地宣布，公司榮獲博世全球供應商榮譽大獎“采購直接材料 - 移動解決方案”。連續(xù)兩次獲得這一殊榮足以證明Nexperia與全球領先的技術和服務供應商博世已建立長期協(xié)作關系，包括合作進行早期階段的產(chǎn)品開發(fā)，以應對汽車行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。 博世供應鏈管理主管Arne Flemming博士表示：“博世全球供應商大獎旨在表彰全球各地的最佳供應商。作為開發(fā)和創(chuàng)新領域的合作伙伴，他們在幫助博世保持競爭力方面發(fā)揮了重要作用?！?每隔兩年，博世會從全球各地的供應商中挑
- 關鍵字： Nexperia 博世 供應商大獎
適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET
- 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本?；A半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統(tǒng)和48 V服務器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動應用以及需要e-fuse和電池保護的工業(yè)設備。 ASFET是一種新型MOSFET，經(jīng)過優(yōu)化，可用于特定應用場景。通過專注于對某一應用至關重要的特定參數(shù)，有時需要犧牲相同設計中其他較不重要的參數(shù)，以實現(xiàn)全新性能水平。新款熱插拔ASFET
- 關鍵字： Nexperia MOSFET
Nexperia的新型雙極結(jié)晶體管采用DPAK封裝，為汽車和工業(yè)應用提供高可靠性
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出9款新的功率雙極性晶體管，擴大了具有散熱和電氣優(yōu)勢的DPAK封裝的產(chǎn)品組合，涵蓋2 A - 8 A 和45 V - 100 V應用。新的MJD系列器件與其他DPAK封裝的MJD器件引腳兼容，且在可靠性方面有著顯著優(yōu)勢。新的MJD系列雙極性晶體管滿足AEC-Q101汽車級器件和工業(yè)級器件標準，額定值為2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V（MJD4
- 關鍵字： MJD系列 Nexperia 功率產(chǎn)品
獨立半導體設備制造商ITEC借助高生產(chǎn)率的芯片組裝系統(tǒng)緩解半導體短缺問題
- 由飛利浦（現(xiàn)為Nexperia）于1991年創(chuàng)立的半導體設備制造商ITEC，今日宣布成為獨立實體。ITEC仍然是Nexperia集團的一部分。通過此舉，ITEC能夠及時解決第三方市場的問題，滿足對半導體的噴井式需求。ITEC致力為全球半導體制造商提供經(jīng)久耐用的創(chuàng)新性制造解決方案。 ITEC一直處于半導體生產(chǎn)的前沿?？偨?jīng)理Marcel Vugts表示：“ITEC扎根于半導體制造領域，作為飛利浦、恩智浦和Nexperia的合作伙伴，我們將30多年來的自動化專業(yè)知識與最先進的設備結(jié)合起來。ITEC致力于將最新的
- 關鍵字： ITEC Nexperia
Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權，正式更名為Nexperia Newport
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此舉可助力公司實現(xiàn)宏偉的增長目標和投資，進一步提高全球產(chǎn)能。通過此次收購，Nexperia獲得了該威爾士半導體硅芯片生產(chǎn)工廠的100%所有權。Nexperia Newport將繼續(xù)在威爾士半導體生態(tài)系統(tǒng)中占據(jù)重要地位，引領新港地區(qū)和該區(qū)域其他工廠的技術研發(fā)。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務的客戶，并于2019年通過投資Neptune 6 Limite
- 關鍵字： Nexperia Fab
Nexperia新8英寸晶圓線啟動，生產(chǎn)領先Qrr品質(zhì)因數(shù)80 V/100 V MOSFET
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線將立即擴大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資
- 關鍵字： Nexperia MOSFET
Nexperia計劃在2021和2022年投資7億美元提高產(chǎn)能
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布了全球增長戰(zhàn)略最新舉措，即在未來12個月至15個月期間投資7億美元用于擴建歐洲的晶圓廠、亞洲的封裝和測試工廠和全球的研發(fā)基地。 新投資將提高所有工廠的制造能力、支持氮化鎵(GaN)寬帶隙半導體和電源管理IC等領域的研發(fā)，并將支持舉辦招聘活動，吸引更多芯片設計師和工程師人才。 Nexperia首席運營官Achim Kempe表示：“全球半導體市場正逐漸走出去年上半年以來的頹勢，并重新崛起。2020年，Nexperia 年銷售額為14億美元，銷量從去年第三季度和第四
- 關鍵字： Nexperia
Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應用實現(xiàn)更高功率密度
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場經(jīng)理Neil M
- 關鍵字： Nexperia 低RDS(on) MOSFET
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