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          業(yè)界首發(fā)，不二選擇：美光推出全球首款232層NAND
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 半導體行業(yè)十分有趣，同時也充滿挑戰(zhàn)。俗話說，“打江山難，守江山更難”，這句話形容半導體行業(yè)十分貼切。我們需要頂住重重壓力，不斷突破物理、化學、制造和創(chuàng)新的極限，以推動邏輯、內存、存儲等計算器件的發(fā)展。如何開發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時容量更大的閃存技術是我們每天都要應對的挑戰(zhàn)。美光憑借3D NAND新技術與率先推出的新產品再攀高峰，借此機會讓我們回顧美光取得的輝煌成就。 美光一直以來被公認為3D NAND技術的領導廠商，之前我們推出了業(yè)內首款176層替換柵極NAND技術，再次
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          • 關鍵字：
                        美光  232層  NAND                          
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          集邦：明年DRAM需求位成長8.3％創(chuàng)新低 NAND跌價帶動搭載容量成長 
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù)集邦科技指出，2023年DRAM市場需求位成長僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠低于供給位成長約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當嚴峻，價格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價格下跌應有助于搭載容量提升。從各類應用來看，高通膨持續(xù)沖擊消費市場需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進一步走弱。標準型PC DRAM方面，
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          • 關鍵字：
                        集邦  DRAM  NAND                          
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          美光出貨全球首款232層NAND，進一步鞏固技術領先地位
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布已量產全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領先的創(chuàng)新技術，從而為存儲解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶端及云端等數(shù)據(jù)密集型應用提供卓越支持。???美光技術與產品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴展到超過 200 層，
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          • 關鍵字：
                        美光  232層  NAND                          
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          SSD價格還將要大降價：NAND供應過剩
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 芯研所7月22日消息，TrendForce集邦咨詢表示，需求未見好轉，NAND Flash產出及制程轉進持續(xù)，下半年市場供過于求加劇，包含筆記本、電視與智能手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場共識，物料庫存水位持續(xù)攀升成為供應鏈風險。因渠道庫存去化緩慢，客戶拉貨態(tài)度保守，造成庫存問題漫溢至上游供應端，賣方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢預估，由于供需失衡急速惡化，第三季NAND Flash價格跌幅將擴大至8~13%，且跌勢恐將延續(xù)至第四季。按照供應鏈的說法，雖然仍
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          • 關鍵字：
                        NAND  SSD  存儲                          
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          鎧俠為實現(xiàn)超高容量SSD，正試驗7bit/cell超高密度的3D NAND Flash
          
                                                            
            
                    	
          • NAND Flash制造商一直試圖通過增加每個單元存儲的位數(shù)來提高其存儲設備的存儲密度，據(jù)外媒報導，近日鎧俠表示，公司一直在試驗在一個單元中存儲更多比特數(shù)的NAND Flash閃存。據(jù)報道，近日鎧俠表示，已設法在每個單元中存儲7 Bits (7 bpc)，盡管是在實驗室和低溫的條件下。 為了使存儲密度更高，存儲電壓狀態(tài)的數(shù)量將隨著每個單元存儲Bits的增加呈指數(shù)增長。例如，要存儲4位，單元必須保持16個電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數(shù)字會增長到64(2^6)。而鎧俠實現(xiàn)的每個單元
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          • 關鍵字：
                        SSD  NAND Flash  鎧俠                          
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          潛力無限的汽車存儲芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 　　隨著智能化、電動化浪潮的推進，汽車芯片的含量成倍提升，電動車半導體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長為1285億顆。價值增量端，2020年汽車芯片價值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧櫾鲩L點，有望成為引領半導體發(fā)展新驅動力?！　∑囆酒瑥膽铆h(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車存儲芯片市場規(guī)模約52億美元，國內汽車存儲芯片市場規(guī)模
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          • 關鍵字：
                        北京君正  兆易創(chuàng)新  DRAM  NAND                          
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          盈利能力大增，估值較低的存儲龍頭被看好？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 5月30日兆易創(chuàng)新宣布，公司Flash產品累計出貨量已超過190億顆，年出貨量超過28億顆，目前兆易創(chuàng)新在NOR Flash領域已成為中國第一，全球第三，2020年兆易創(chuàng)新NOR Flash產品市場份額達到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片，兆易創(chuàng)新業(yè)務還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU，在過去一段時間行業(yè)普遍缺芯的背景下，兆易創(chuàng)新的營收與凈利潤均實現(xiàn)大幅增長，2021年和2022年一季度公司營收分別增長89.25%和165.33%，歸母凈利潤分別增長39.25%和127.65%。目前芯片行
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          • 關鍵字：
                        兆易創(chuàng)新  NAND Flash                          
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          中國DRAM和NAND存儲技術和產業(yè)能趕超韓國嗎?
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 近日，韓國進出口銀行海外經(jīng)濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領域的技術差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲2022年將推進第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考慮到每一代的技術差距為2年-2年半，兩國之間的技術差距超過5年。據(jù)該研究院推測，在NAND閃存領域，中國與韓國的技術差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長江存
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          長江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時代存儲升級
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 近日，長江存儲科技有限責任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領域，以滿足AIoT、機器學習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著長江存儲嵌入式產品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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          • 關鍵字：
                        長江存儲  3D NAND                          
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          中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規(guī)模約占56%，NAND Flash市場規(guī)模約占41%（IC Insights數(shù)據(jù)）。另外，根據(jù)CFM 閃存市場預計，2021年全球存儲市場規(guī)模將達1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個調研機構的數(shù)據(jù)相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
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          • 關鍵字：
                        存儲芯片  DRAM  NAND Flash                          
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          長江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術到產品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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          • 關鍵字：
                        長江存儲  3D NAND                          
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          存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠商只花了6年
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 近日，有消息稱，國內存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術。這意味著國內存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應用也要到2023年去了。可見，國產存儲芯片，在技術上確實已經(jīng)追上了三星
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                        長江存儲  3D NAND                          
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          中國芯片傳來捷報，長江存儲取得技術突破，正式打破三星壟斷
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產，預計年底實現(xiàn)大規(guī)模量產交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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                        長江存儲  3D NAND                          
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          國產存儲芯片又取得突破，長江存儲192層閃存送樣，預計年底量產
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預計年底實現(xiàn)量產。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個高速的發(fā)展狀態(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D N
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                        長江存儲  3D NAND                          
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          美光針對數(shù)據(jù)中心推出業(yè)界首款基于 176 層 NAND 的SATA SSD
          
                                                            
            
                    	
          • 內存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布推出全球首款專為數(shù)據(jù)中心工作負載設計的基于 176 層 NAND 技術的SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先進的數(shù)據(jù)中心 SATA SSD產品，采用久經(jīng)考驗的第 11 代 SATA 架構，支持廣范的應用場景，提供相比傳統(tǒng)機械硬盤 (HDD) 顯著提升的性能，并延長了 SATA 平臺的使用壽命。美光副總裁暨數(shù)據(jù)中心存儲產品總經(jīng)理 Alvaro Toledo 表示
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                        美光  數(shù)據(jù)中心  176 層 NAND  SATA SSD                          
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          nand介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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