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          為功耗敏感應用選擇最佳的低功耗、低成本FPGA
          
                                                            
            
                    	
          • 功耗敏感應用的設計人員如今面對前所未有嚴格的系統(tǒng)總體功耗限制、規(guī)范和標準。與此同時，這類應用所要求的功...
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          • 關鍵字：
                        FPGA  低功耗  Flash                          
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          恒憶聯(lián)合群聯(lián)電子海力士開發(fā)閃存控制器
          
                                                            
            
                    	
          • 　　恒憶半導體(Numonyx)、群聯(lián)電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開發(fā)協(xié)議，三方將按照JEDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC™ 4.4產業(yè)標準，為下一代managed-NAND解決方案開發(fā)閃存控制器。 預計此項合作將加快當前業(yè)內最先進的eMMC標準的推廣，有助于管理和簡化大容量存儲需求，提高無線設備和嵌入式應用的整個系統(tǒng)級性能。
　　根據這項協(xié)議，恒憶、群聯(lián)電子和海力士將利用各自的技術，開發(fā)能夠支持各種NAND閃存
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          • 關鍵字：
                        Numonyx  NAND  閃存控制器                          
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          內存行業(yè)或已觸底 現(xiàn)貨漲價但復蘇道路漫長
          
                                                            
            
                    	
          • 　　《華爾街日報》撰文稱，從上周末三星和海力士發(fā)布的財報可以看出，內存芯片行業(yè)似乎已經觸底，這對整個半導體行業(yè)來說是一個積極的信號。
　　雖然內存芯片行業(yè)收入只占全球半導體行業(yè)2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業(yè)中的日用商品，很難與其他芯片部門區(qū)分開來，因此是芯片行業(yè)整體表現(xiàn)的主要指標。內存行業(yè)下滑開始于2007年初，隨后芯片行業(yè)在2008年就開始了全面衰退。
　　上周五，兩家全球最大的內存芯片商三星電子和海力士都在發(fā)布第一季度報告時稱，與芯片有關的虧損低于上年同期。
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          • 關鍵字：
                        海力士  NAND  內存                          
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          iSuppli：存儲芯片市場恢復盈利還為時過早
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼
　　在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。

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          • 關鍵字：
                        NAND  存儲芯片                          
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          TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　TDK公司日前宣布開發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計劃于五月份開始銷售。

　　TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達95MB/S的高速訪問。該產品支持2KB/頁和4KB/頁結構的SLC(單層單元)內存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應用領域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器，到視聽設
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          • 關鍵字：
                        TDK  NAND                          
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          內存晴雨表：聲稱內存市場復蘇的報告過于夸張
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
　　繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產品市場將在今年剩余時間內增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。
　　圖4所示為iSuppli公
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          • 關鍵字：
                        iSuppli  NAND  DRAM                          
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          自動圖像報警系統(tǒng)研究及單片機實現(xiàn)
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器MCU
          
                                                            
            
                    	
          • 　　瑞薩科技公司（以下簡稱“瑞薩”）于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器微控制器（Flash微控制器）。這個系列是32位SuperH™ RISC系列*1的新成員，它為AC伺服、FA（工廠自動化）設備、樓宇自動化（空調和電力監(jiān)控設備）和各種通信設備等工業(yè)應用實現(xiàn)了200 MHz操作和大量內置式外設及通信功能。SH7216系列包含12個產品群的36款器件，其片上存儲器容量和封裝類型各有不同。

這些產品的主要特性如下：
(1) 達到
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          • 關鍵字：
                        瑞薩  RISC  32MCU  Flash  SuperH                          
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          集邦：海力士大幅減產NAND 將由第三位滑落至第五位
          
                                                            
            
                    	
          • 　　針對NAND閃存產業(yè)，研究機構集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產，市場占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。
　　集邦科技根據各NAND Flash供貨商目前的制程技術、產能、營運狀況分析指出，三星因擁有較大產能，同時制程持續(xù)轉往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產能利用率略降，但制程技術也將轉往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。
　　集邦科技表示，市場占有率第三和第
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          • 關鍵字：
                        海力士  NAND  晶圓                          
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          易用性是FPGA在更多領域獲得成功的關鍵
          
                                                            
            
                    	
          • 以提供多種基于Flash和反熔絲技術的低功耗、高可靠性單芯片F(xiàn)PGA而著稱的Actel公司，在全球經濟出現(xiàn)下滑的2008...
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          • 關鍵字：
                        FPGA  Flash  LCD                          
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          三星和海力士獲得蘋果7000萬NAND大單
          
                                                            
            
                    	
          • 　　4月15日消息 據韓國媒體報道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單，要求供應7000萬顆NAND型閃存芯片，用于生產iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想
　　韓國時報指出，有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果，而海力士也將供應2000萬顆。”
　　部分分析師認為，蘋果這次大規(guī)模訂單，將刺激韓國芯片廠商業(yè)績，同時，也有助于全球芯片產業(yè)早日復蘇。
　　分析師還指出，N
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND  芯片                          
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          三維NAND內存技術將讓固態(tài)存儲看到希望
          
                                                            
            
                    	
          • 　　IBM的技術專家Geoff Burr曾說過，如果數據中心的占地空間象足球場那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而，如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計劃將他們的數據中心遷移到固態(tài)技術平臺的話，那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。
　　這并非危言聳聽，過去的解決方案現(xiàn)在已經顯露出存儲性能和容量不足的現(xiàn)象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數據中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了，而且那樣做也很方便?，F(xiàn)在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
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          • 關鍵字：
                        IBM  NAND  固態(tài)存儲                          
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          Flash Memory作為數據存儲器在E5中的應用
          
                                                            
            
                    	
          • 1． E5的特點及體系結構
            E5是位于美國硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU，它是基于8051的內核，但將微處理器的內核，ASCI及可重構邏輯陣列集成與一體，構成一款CSOC（可配置系統(tǒng)）芯片。Triscend E5的主要特點
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          • 關鍵字：
                        E5  應用  存儲器  數據  Memory  作為  Flash  Triscend E5  閃存  映射                          
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          FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術擴展到NAND存儲器制造
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術的ZETA?清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估?？蛻?/li>
                    	                        
          • 關鍵字：
                        FSI  NAND  存儲器                          
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          FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術擴展到NAND存儲器制造
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術的ZETA清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估。客戶對制造過程中無灰化光刻膠剝離法、實現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
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          • 關鍵字：
                        FSI  半導體  NAND                          
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          nand flash介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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