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          multi-mode pfc 文章 最新資訊

          PFC電路:死區(qū)時間理想值的考量

          • 由于該電路是進行同步整流工作的電路,所以我們通過仿真來探討高邊(HS)和低邊(LS)SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時間理想值,即不直通的最短時間。死區(qū)時間可以通過仿真工具的PWM控制器參數(shù)TD1(HS)和TD2(LS)來分別設(shè)置。關(guān)鍵要點?橋式電路中的死區(qū)時間設(shè)置與損耗和安全性有關(guān),因此需要充分確認(rèn)。?死區(qū)時間的理想值是不直通的最短時間。?由于開關(guān)器件的開關(guān)速度會受溫度和批次變化等因素影響而發(fā)生波動,因此在設(shè)計過程中,除了最短時間外,還應(yīng)留有余量。在本文中,我們將探討如何估算橋式電路中理想
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  PFC  

          Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

          • 奈梅亨,2023年5月10日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode(增強型)功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件,從GaN FET到其他硅基功率器件,Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計人員提供最佳的選擇。  Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET(RDS(on)值介于80 mΩ至19
          • 關(guān)鍵字: Nexperia  E-mode GAN FET  

          使用NCP1623A設(shè)計緊湊高效的PFC級的IC控制電路設(shè)計

          • 之前我們介紹過快速設(shè)計由 NCP1623 驅(qū)動的 CrM/DCM PFC 級的關(guān)鍵步驟中的定義關(guān)鍵規(guī)格與功率級設(shè)計。本文將詳細(xì)說明IC控制電路設(shè)計中的細(xì)節(jié):FB引腳電路、VCTRL 引腳電路、CS/ZCD 引腳電路、CSZCD電阻器設(shè)計等內(nèi)容。步驟 3:IC 控制電路設(shè)計如圖 1 所示,反饋配置包括:●  一個電阻分壓器,用于降低體電壓,以向 FB 引腳提供反饋信號。出于安全考慮,分壓器的上層電阻通常由兩個或三個電阻構(gòu)成。否則,RFB1 的任何意外短接都會將輸出高電壓施加到控制器上并將
          • 關(guān)鍵字: 安森美  NCP1623A  PFC  

          使用NCP1623A設(shè)計緊湊高效的PFC級的關(guān)鍵步驟

          • 本文介紹了快速設(shè)計由 NCP1623 驅(qū)動的 CrM/DCM PFC 級的關(guān)鍵步驟中的定義關(guān)鍵規(guī)格與功率級設(shè)計,并以實際的 100W 通用電源應(yīng)用為例進行說明,IC控制電路設(shè)計將在后續(xù)的推文中分享。●  最大輸出功率:100 W●  Rms 線路電壓范圍:90 V - 264 V●  調(diào)節(jié)輸出電壓:●  低壓為 250 V(115V 電源)●  高壓為 390 V(230V 電源)NCP1623 具有多個選項,本文側(cè)重于NCP1623A,它與其他版本的主要
          • 關(guān)鍵字: 安森美  NCP1623A  PFC  

          PFC電路:柵極電阻的更改

          • 在實際的電路設(shè)計工作中,降噪是的一項重大課題,通常,可以通過提高開關(guān)器件的柵極電阻來抑制噪聲,但其代價是效率降低(損耗增加),因此很好地權(quán)衡柵極電阻值的設(shè)置是非常重要的。在本文中,我們來探討當(dāng)將開關(guān)器件的損耗抑制在規(guī)定值以下時,最大柵極電阻RG的情況。另外,由于噪聲需要實際裝機評估,所以在這里省略噪聲相關(guān)的探討。關(guān)鍵要點?增加開關(guān)元件的柵極電阻會抑制噪聲,但與之存在權(quán)衡關(guān)系的效率會降低,因此很好地權(quán)衡柵極電阻值的設(shè)置是非常重要的。?將開關(guān)器件的損耗抑制在規(guī)定值以下時,其最大柵極電阻RG可以通過仿真來確認(rèn)。
          • 關(guān)鍵字: ROHM  PFC  

          隔離電流檢測放大器在PFC升壓系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • PFC( Power Factor Correction)被稱為“功率因數(shù)校正”,被定義為有效功率和總耗電量(視在功率)的比值。當(dāng)使用于大中功率開關(guān)電源時,提高功率因數(shù)可以降低電網(wǎng)傳輸中的損耗從而提高電能的輸送效率。因此提高功率因數(shù)有著重要的意義。本文將為大家介紹川土微電子CA-IS120X/130X系列產(chǎn)品在PFC中的應(yīng)用,并針對實際應(yīng)用提出使用方法和控制建議。01 功率因數(shù)的定義功率因數(shù)定義為交流電路有功功率P(W)對視在功率S(V*A)的比值。當(dāng)交流電壓和電流相位不同時,則功率因數(shù)小于1。用戶電器設(shè)
          • 關(guān)鍵字: 川土微電子  放大器  PFC  

          安森美半導(dǎo)體推出新一代Multi-Mode (DCM & CCM) PFC IC–NCP1618應(yīng)用于 500W 之防疫醫(yī)療儀器電源方案

          • 一場世紀(jì)病毒帶給人類天翻地覆的影響,全球?qū)τ诰让尼t(yī)療儀器需求殷切,世平集團推出新一代PFC IC – NCP1618應(yīng)用于 500W  之防疫醫(yī)療儀器電源,是采用安森美(ON Semi) 半導(dǎo)體新一代高效能NCP1618 Multi-Mode (DCM & CCM)  Power Factor Controller (多模操作之功率因數(shù)控制IC) . 此一IC 內(nèi)建高壓啟動(HV Start-up)電路,智能轉(zhuǎn)換連續(xù)電流模式(CCM)、臨界電流模式(CrM) 及非連續(xù)電流模式
          • 關(guān)鍵字: 安森美  NCP1618  醫(yī)療  電源  PFC  DCM  CCM  

          利用PFC電路減少諧波失真

          • 日常生活中,大家會發(fā)現(xiàn)工業(yè)用電電費會高于居民用電電費。從技術(shù)角度來解答是因為工業(yè)用電傳輸成本高,由于工業(yè)應(yīng)用中的用電設(shè)備多為大功率電感或容性負(fù)載,其功率因數(shù)相對居民用電設(shè)備的功率因數(shù)較低,從而導(dǎo)致無功功率較高,損耗大,因此供電成本相對較高。而居民用電普遍為中小功率設(shè)備,耗電小,功率因數(shù)高,無功功率損耗少。本文將介紹功率因數(shù)(PF)和總諧波失真 (THD) 的概念,并回顧如何利用功率因數(shù)校正 (PFC) 電路和 PFC 控制器來實現(xiàn)高功率因數(shù)并減少諧波失真。交流電的功率因數(shù)功率因素PF (λ) 是指有功功率
          • 關(guān)鍵字: MPS  PFC  

          安森美半導(dǎo)體多元操作模式(CrM.DCM.CCM) PFC IC NCP1655應(yīng)用于500W with STB電競桌機電源

          • 電腦發(fā)展至今已擴展至眾多領(lǐng)域,電競電腦及服務(wù)器運用因其高速、大容量和多重連線的特點,預(yù)期將為電競電腦及服務(wù)器帶來更多爆炸性的成長。相對電競及服務(wù)器電源需求也有等比例的需求成長。 因應(yīng)電競電腦及服務(wù)器的應(yīng)用普及,安森美提出高效能PFC多元操作模式IC NCP1655的設(shè)計方案,且NCP1655輸入電壓由90V至265VAC,無論在輕載/半載/全載情境下,皆能提高轉(zhuǎn)換效率。加上快速的負(fù)載暫態(tài)補償響應(yīng),以及高規(guī)格安規(guī)等級各式保護功能,特別是具有PFC-OK訊號供應(yīng)后級電源時序控制,NCP1655應(yīng)用達(dá)到高效率,
          • 關(guān)鍵字: Onsemi  CrM  DCM  CCM  PFC  NCP1655  電競  電源  

          安森美半導(dǎo)體推出新一代Totem Pole 功率因數(shù)調(diào)整控制IC NCP1680 應(yīng)用于300W超高效網(wǎng)通電源

          • 行動通訊電腦發(fā)展至今已近40年,第五代行動通訊技術(shù)(簡稱5G)是最新一代行動通訊技術(shù),5G的效能目標(biāo)是高資料速率、減少延遲、節(jié)省能源、降低成本、提高系統(tǒng)容量和大規(guī)模裝置連接。為因應(yīng)5G基地臺應(yīng)用普及節(jié)省電源需求,安森美半導(dǎo)體提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結(jié)合全橋整流器之PFC IC NCP1680設(shè)計方案,相較傳統(tǒng)PFC之轉(zhuǎn)換效率可以提升3%~4%,符合5G通訊訴求之節(jié)省能源,降低成本,提高系統(tǒng)容量之訴求,加上NCP1680快速的負(fù)載暫態(tài)補償響應(yīng),以及高規(guī)格安規(guī)等級各式保護功能,特別是具有
          • 關(guān)鍵字: onsemi  NCP1680  Totem Pole PFC  圖騰柱  

          Infineon 數(shù)字多模式PFC + LLC組合控制器 TV POWER應(yīng)用

          • LCD TV 電視由 LCD 面板 、電源板、解碼板構(gòu)成。據(jù)統(tǒng)計,每年的液晶電視出貨量為 2.15 億臺。隨著 LCD TV 電視能效標(biāo)準(zhǔn)提升,集成化、超薄化, 對 TV 電源的要求也傾向于小體積和高能效 ,本方案描述的演示板是一個120w的SMPS,使用數(shù)字PFC-LLC組合控制器IDP2308,該產(chǎn)品是由德國半導(dǎo)體公司英飛凌科技研制的第二代16pin數(shù)字組合控制器。IDP2308是專門為電視電源中的開關(guān)模式電源設(shè)計的系統(tǒng)應(yīng)用方案。?場景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實體圖?展示板照片?方案方塊圖?系統(tǒng)方框圖?核心技術(shù)優(yōu)
          • 關(guān)鍵字: infineon  2308  數(shù)字電源  數(shù)字多模式  PFC  

          基于 NXP MC56F81768 的 2000W 之 PFC 數(shù)位電源方案

          • 數(shù)位電源 PFC 方案開發(fā)平臺數(shù)位電源漸漸普及到服務(wù)器、通訊設(shè)備、汽機車充電樁、個人電腦等,由于現(xiàn)在的電源功率越來越大,產(chǎn)品的規(guī)格要求越來越高,傳統(tǒng)類比電源由于硬體的限制,比較難達(dá)到這些需求,所以中高功率的電源供應(yīng)器才會慢慢由傳統(tǒng)的類比控制轉(zhuǎn)變成數(shù)位方式來實現(xiàn)控制、管理、與監(jiān)測功能。 此開發(fā)板實現(xiàn) Single Phase PFC、Interleaved PFC、Bridgeless PFC 等架構(gòu),電源回路的主控制芯片采用 NXP DSC 系列新推出的 MC56F81768,最大功率
          • 關(guān)鍵字: 數(shù)字電源  數(shù)位電源  服務(wù)器電源  PFC  LLC  NXP  DSC  MC56F81768  

          羅德與施瓦茨率先推出CTIA授權(quán)的支持多到達(dá)角功能的5G FR2毫米波測試系統(tǒng)

          • 羅德與施瓦茨公司與美國CTIA協(xié)會合作,研發(fā)并認(rèn)證了截至目前業(yè)內(nèi)首套具有多到達(dá)角度功能(multi-AoA)的測試系統(tǒng),該系統(tǒng)將用于CTIA 的OTA性能認(rèn)證測試。該解決方案以一致性測試系統(tǒng)R&S TS8980為基礎(chǔ),同時還集成了R&S CMX500 5G綜測儀以及R&S ATS1800M 毫米波(FR2)暗室。R&S TS8980一致性測試系統(tǒng)已被CTIA協(xié)會授權(quán)用于OTA性能認(rèn)證。5G NR 毫米波技術(shù)將融入更復(fù)雜波束賦形、復(fù)雜的天線陣列系統(tǒng)和新的可用通信頻譜等技術(shù)。就
          • 關(guān)鍵字: 羅德與施瓦茨  CTIA  多到達(dá)角度  multi-AoA  5G FR2毫米波測試  

          基于安森美PFC圖騰柱控制器NCP1681搭配GaN NCP58921的500W方案

          • 隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展,計算速度的不斷提升,時鐘頻率和供電電流需要相應(yīng)加快和增大,供電電壓則要求不斷降低。因此低電壓、大電流對電源轉(zhuǎn)換效率提出了更高要求。此外,電子產(chǎn)品的小型化、薄型化、輕型化,電源產(chǎn)品的功率密度越來越成為衡量電源產(chǎn)品技術(shù)水平的關(guān)鍵指標(biāo),也促使高效率高功率密度成為客戶選擇電源產(chǎn)品的關(guān)鍵指標(biāo)。在此趨勢下,可在高頻率工作的GaN越來越多的被采用。安森美半導(dǎo)體提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結(jié)合全橋整流器之PFC IC NCP1681搭配GaN NCP58921方案,相較傳統(tǒng)PFC之
          • 關(guān)鍵字: 安森美  PFC  圖騰柱  NCP1681  NCP58921  

          圖騰柱 PFC 級受益于CoolSiC? MOSFET

          • 無橋式圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC) 級可用于滿足嚴(yán)格的效率標(biāo)準(zhǔn),但使用硅 MOSFET 時出現(xiàn)的較高損耗是不可接受的,而解決方案則是使用寬帶隙碳化硅(SiC)器件。本文將討論能夠?qū)崿F(xiàn)這些改進的 SiC器件性能參數(shù)。
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  圖騰柱 PFC  體二極管  恢復(fù)  電荷  效率  損耗  輸出電容  
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          multi-mode pfc介紹

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