- MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調(diào)試中非常關鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC?MOSFET的開關損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復摸索，那么該如何量化評估呢? 1.1功率損耗的原理圖和實測圖 一般來說，開關管工作的功率損耗原理圖如圖?1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導通過程”和“關閉過程”，小部分能量體現(xiàn)在“導通狀態(tài)”，而關閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以忽略不計?！ ??
圖?1開關管工作的功
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MOS管 IGBT
- 這幾個在LED驅(qū)動電路中會常犯的錯誤一定要避免！雙層電容LED電路解析-耐壓600V的MOSFET比較便宜，很多認為LED燈具的輸入電壓一般是220V，所以耐壓600V足夠了，但是很多時候電路電壓會到340V，在有的時候，600V的MOSFET很容易被擊穿，從而影響了LED燈具的壽命，實際上選用600VMOSFET可能節(jié)省了一些成本但是付出的卻是整個電路板的代價，所以，不要選用600V耐壓的MOSFET，最好選用耐壓超過700V的MOSFET。
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led mos管 電阻
- LED溫度保護電路和最基本的照明LED設計方案解析-隨著LED照明應用的發(fā)展，國內(nèi)外廠家推出了很多用于驅(qū)動LED的器件。其中美國國家半導體公司推出的LM3404及系列產(chǎn)品就是一款非常適用于中小功率LED光源的恒流驅(qū)動芯片。
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led 電阻 mos管
- 低電壓、低功耗模擬電路設計方案-本文研究了襯底驅(qū)動MOS管技術和運用這一技術進行低電壓低功耗模擬電路設計的方法，并且運用這種技術設計低電壓低功耗襯底驅(qū)動跨導運算放大器和電流差分跨導放大器。
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MOS管 電流鏡 運算放大器 差分放大器
- MOS管為什么會被靜電擊穿？-MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電（少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓（想想U=Q/C）將管子損壞），又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。
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MOS管 敏感器件 ESD管
- 防止電源反接的原理- 一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場合，本來電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時間大減。
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MOS管 PMOS管 電源管理
- 近年來，鋰離子電池以其能量密度高、自放電率低、單節(jié)電池電壓高等優(yōu)點，獲得了廣泛應用，相應的電池管理芯片研究也在不斷地完善與發(fā)展。其中，為了盡可能保證電池使用的安全性并且延長電池的使用壽命，電池管理芯片的功能及低功耗研究顯得更為迫切和必要。
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鋰離子電池管理芯片 模擬電路 MOS管
- 經(jīng)過多年的發(fā)展，模擬運算放大器技術已經(jīng)很成熟，性能曰臻完善，品種極多。這使得初學者選用時不知如何是好。為了便于初學者選用，本文對集成模擬運算放大器采用工藝分類法和功能/性能分類分類法等兩種分類方法，便于讀者理解，可能與通常的分類方法有所不同。
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模擬運放 高速運放 MOS管
- 通用測試儀器大全之電子負載儀（特性，工作原理，使用方法，應用范圍）-以增強AVRRISC結構的ATmega16控制器為核心，設計并制作了直流電子負載儀。系統(tǒng)通過斜波發(fā)生器產(chǎn)生的鋸齒波和電流采樣信號與控制信號的誤差信號作比較產(chǎn)生約20kHz的PWM波控制MOSFET管工作，然后經(jīng)過誤差放大器的PI調(diào)節(jié)構成閉環(huán)負反饋控制環(huán)路，實現(xiàn)恒流。恒阻和恒壓模式通過軟件實時調(diào)節(jié)流過MOS管電路的電流實現(xiàn)。
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mos管 電子負載儀
- 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的?！ ∠旅媸俏覍OS及MOS驅(qū)動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，并非原創(chuàng)。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動以及應用電路?！ OSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管
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MOS管
- MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
目前在市場應用方面，排名第一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應用領域排名第二的是計算機主板、NB、
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MOS管 MOSFET
- 逆變器，別稱為變流器、反流器，是一種可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的器件，由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成，主要包括輸入接口、電壓啟動回路、MOS開關管、PWM控制器、直流變換回路、反饋回路、LC振蕩及輸出回路、負載等部分，可分為半橋逆變器、全橋逆變器等。目前已廣泛適用于空調(diào)、家庭影院、電腦、電視、抽油煙機、風扇、照明、錄像機等設備中。
逆變變壓器原理
它的工作原理流程是控制電路控制整個系統(tǒng)的運行，逆變電路完成由直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功能，濾波電路用于濾除不需要的信號，逆變器的工作過程就是這
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MOS管 變壓器
- 逆變器，別稱為變流器、反流器，是一種可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的器件，由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成，主要包括輸入接口、電壓啟動回路、MOS開關管、PWM控制器、直流變換回路、反饋回路、LC振蕩及輸出回路、負載等部分，可分為半橋逆變器、全橋逆變器等。目前已廣泛適用于空調(diào)、家庭影院、電腦、電視、抽油煙機、風扇、照明、錄像機等設備中。
逆變變壓器原理
它的工作原理流程是控制電路控制整個系統(tǒng)的運行，逆變電路完成由直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功能，濾波電路用于濾除不需要的信號，逆變器的工作過程就是這
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MOS管 變壓器
mos管介紹
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [
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