mlc nand 文章最新資訊

三星第一季營業(yè)利潤38億美元同比猛增7倍

　　據國外媒體報道，三星電子今天發(fā)布的財報顯示，受益于PC需求增加以及電視價格上漲，該公司第一季度營業(yè)利潤同比猛增7倍。　　利潤增長　　三星的初步財報顯示，該公司第一季度營業(yè)利潤約為4.3萬億韓元(約合38億美元)，上下浮動區(qū)間為2000億韓元，去年同期調整后營業(yè)利潤僅為 5900億韓元。根據彭博社的調查，15名分析師此前對三星營業(yè)利潤的中位數(shù)預期為4.27萬億韓元。　　外界預計，受到存儲芯片以及平板顯示器價格上漲的刺激，三星第一季度將創(chuàng)下今年最好業(yè)績。受此影響，三星股價周一創(chuàng)下歷史新高。分析
關鍵字：三星電子 NAND 存儲芯片

分析師認為全球芯片市場仍有支撐點

　　按Benchmark Euqity研究公司報道, 緊接著2009年未的迅速地復蘇, 進入2010年時全球半導體業(yè)在數(shù)量上仍有15-20%的增長。　　按Benchmark的分析師Gary Mobley的看法, 從2009年1月的谷底算起,全球芯片出貨量己經增長大於75%。在相同的期間美國費城半導體指數(shù)也增長相近的量。　　當大部分工業(yè)分析師都認為今年半導體市場有20%的增長時,Benchmark分析師相信今年非　　?？赡苡?2%-24%的增長。　　其中某些芯片的庫存包括存儲器，部分模擬電路
關鍵字：芯片 NAND 智能手機

嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用

嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用,當前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設計中，存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢，但因其隨機讀取速度快，因此在嵌入式系統(tǒng)中，常應用在程
關鍵字：應用原理 Nand-Flash 系統(tǒng) 嵌入式

09年全球前十大NAND供應商排行榜出爐

　　市場研究機構Web-Feet Research公布2009年全球NAND閃存供貨商排行榜，三星電子(Samsung Electronics)仍穩(wěn)居市占率第一名位置，其后則是東芝(Toshiba)與SanDisk;SanDisk的表現(xiàn)意外亮眼，領先美光(Micron)、海力士(Hynix)與英特爾(Intel)。　　在其它市場研究機構的排行榜中，SanDisk往往并未列名，因為在某些情況下該公司是與合作伙伴東芝視為一體。Web-Feet Research報告中列出了17家閃存制造商的出貨成績，東芝與
關鍵字：三星電子 NAND

2009年亞太半導體供應商表現(xiàn)出色

　　來自調研公司 iSuppli的統(tǒng)計顯示，2009年半導體產業(yè)整體處于下滑狀態(tài)，但總部在亞太地區(qū)的半導體供應商卻實現(xiàn)了逆勢上漲。　　亞太區(qū)供應商專注熱門產品　　iSuppli調研結果顯示，2009年總部位于亞太地區(qū)的半導體供應商合計營業(yè)收入實際增長2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導體營業(yè)收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。　　“去年芯片產業(yè)形勢黯淡，而亞太地區(qū)的供應商卻設法實現(xiàn)了增長，因為他們專注于
關鍵字：芯片 NAND

東芝計劃耗資150億日元生產25納米閃存

　　東芝公司今年計劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗生產線，生產小于25納米制程的NAND閃存芯片。　　目前東芝生產的NAND閃存是采用32與43納米技術，主要應用于手機及數(shù)字相機等電子消費產品。為生產新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術，因此，東芝也將進行相應的技術升級。目前，東芝已向荷蘭半導體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購設備，預計在今年夏天試驗投產。消息一經公布，東芝在股市中漲幅達3.5%，遠遠超過同類電氣機器指數(shù)0.8%的漲幅
關鍵字：東芝 NAND 閃存

Micron發(fā)布季度報告 DRAM銷售環(huán)比增長24%

　　Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財年第二季度的運營成果。對于2010財年的第二季度，該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元，合攤薄股每股0.39美元的凈收入，其凈銷售額達近20億美元。相比之下，2010財年第一季度的凈收入為2.04億美元，合攤薄股每股0.23美元，凈銷售額為17.4億美元，并且2009財年第二季度的凈虧損為7.63億美元，合攤薄股每股0.99美元，凈銷售額為10億美元。2010財年之前各個時期的金額及
關鍵字： Micron NAND Flash

海力士預期今年營收將達10年高點

　　由于目前存儲器供應短缺、供不應求，全球第2大存儲器廠商海力士(Hynix)預期2010年的營收可望達到10年來的最高點。　　目前DRAM市場正處于供不應求的狀態(tài)。自2009年全球經濟逐漸回溫后，企業(yè)放寬支出，對個人計算機(PC)的需求也回升，光是2010年PC銷量就可能較2009年增加10%，帶動了DRAM的需求量上升。　　另外，智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)及其它行動設備的市場規(guī)模日增，也讓NAND Flash的需求量不斷攀升。但相對于存儲器芯片需求量節(jié)
關鍵字： Hynix NAND 存儲器芯片

閃存密集型產品需求上升 NAND價格穩(wěn)定帶來正面環(huán)境

　　據iSuppli公司，由于來自高密度應用的需求上升以及供應商的產量穩(wěn)步增長，NAND閃存價格波動了兩年之后，該市場已恢復穩(wěn)定。　　第一季度NAND平均價格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于這些相對溫和的變化，2009年第一季度大漲34%。　　NAND價格持續(xù)透明，導致2009年第四季度營業(yè)收入創(chuàng)出最高記錄，使得多數(shù)NAND供應商對于2010年持有非常樂觀的看法。在智能手機和microSD卡等高密度應用的推動下，市場對于NAND閃存的需求不斷增長，也增強了廠商的信心。這種旺盛需
關鍵字：閃存 NAND

三星電子：半導體廠房跳電損失估計不到90億韓元

　　三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內存生產線。　　YonhapNews于南韓時間24日下午7時48分報導，三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當?shù)貢r間
關鍵字：三星電子 DRAM NAND

三星電子：半導體廠房跳電損失估計不到90億韓圜

　　三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內存生產線。　　Yonhap News于南韓時間24日下午7時48分報導，三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在
關鍵字：三星電子 DRAM NAND

三星公司Fab13/Fab14內存/閃存芯片工廠再遭斷電事故侵擾

　　韓國三星電子公司近日表示本月24日下午，其設在Kiheung地區(qū)的一個NAND閃存生產基地遭遇了斷電事故，不過據三星公司的發(fā)言人表示這次為期一小時的斷電并沒有對其32Gb以及其它大容量NAND閃存芯片的生產造成顯著影響。　　據三星的通路合作伙伴透露，在這次停電事故中受到影響的工廠主要包括三星旗下兩間12英寸廠Fab13和Fab14.其中Fab13主要負責為三星生產內存芯片，而Fab14則主要生產NAND閃存芯片。Fab13和Fab14的月產能大約分別是12萬/13萬片晶圓。　　無獨有偶，20
關鍵字：三星電子 NAND 晶圓

東芝宣布其Fab5新廠房將于今年七月份開工建造

　　東芝公司近日宣布他們將在日本三重縣四日市現(xiàn)有的生產運營中心附近新建一座Fab5閃存芯片廠，這間芯片廠將于今年七月份開始動工。目前，東芝設在四日市的生產運營中心已建有四間NAND閃存芯片廠。盡管2008年秋季爆發(fā)了全球經濟危機，而NAND閃存芯片的市場需求也一度相當萎靡，但近期隨著智能手機和其它應用型產品的熱銷，閃存芯片的市場需求已經開始回暖，而且未來一段時間內還將保持增長趨勢，因此東芝最終作出了開工建造Fab5芯片廠的決定。　　按照東芝的計劃，其Fab5工廠將于明年春季完工，而后期的投資力度和
關鍵字：東芝 NAND 閃存芯片

NAND Flash控制芯片業(yè)淘汰賽登場　SSD時代加速產業(yè)整合

　　NAND Flash控制芯片市場曾吸引眾多IC設計業(yè)者爭相投入，隨著快閃記憶卡市場飽和，以及固態(tài)硬碟(SSD)競爭對手環(huán)伺，過去擁有NAND Flash大廠作靠山便是票房保證的時代已不再，未來NAND Flash大廠對于控制芯片業(yè)者而言，恐怕不再是大樹好乘涼，尤其包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)等大廠在走進SSD時代后，由于用在PC的零組件輕忽不得，遂紛收回控制芯片采購權，改采自家芯片，NAND Flash控制芯片產業(yè)勢必將展開一波整合及淘汰賽。　　N
關鍵字：三星電子 NAND IC設計

東芝重啟產能擴展計劃新閃存生產廠7月開工

　　日本最大的內存芯片廠商東芝將重啟因經濟衰退而擱置的產能擴展計劃，它將從7月開始建設新的閃存生產廠。　　東芝表示，新生產廠位于日本中部四日市，是公司第五條生產線，預計在2011年春季完建。東芝沒有透露該生產廠的建設成本。　　包括蘋果iPhone在內的智能手機銷售的增長，推動了NAND內存需求的增長。據市場調研公司 iSuppli預計，NAND閃存市場今年的總收入將增長34%達到181億美元。　　東芝發(fā)言人Hiroki Yamazaki稱，雖然東芝尚未決定四日市芯片生產廠的投資規(guī)模，但是建立新
關鍵字：東芝內存芯片 NAND

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mlc nand介紹

　　MLC NAND 　　目錄　　1定義　　2MLC芯片特點　　3與SLC對比　　1定義　　MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數(shù)據，數(shù)據密度比較高。　　一般廠家宣稱可以保證得擦除次數(shù)是3，000次。這一點與SLC得100，000的擦除次數(shù)有不小的差異。　　2MLC芯片特點　　1、傳輸速率 [ 查看詳細 ]