mlc nand 文章最新資訊

武漢新芯：定位存儲器制造，兩年后或推3D NAND

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨立經(jīng)營，是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲器制造。近日，武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
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ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
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武漢新芯：已建成IP體系，欲以存儲器為特色

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導體企業(yè)，2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資，并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè)，前幾年委托SMIC(中芯國際)經(jīng)營管理，從2012年底起獨立經(jīng)營。
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東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC?[1]標準，旨在應用于智能手機、平板電腦和數(shù)字攝像機等廣泛的數(shù)字消費品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。
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基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應用

摘要: NAND Flash應用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結(jié)合I/O口來實現(xiàn)NAND Flash存儲結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅(qū)動程序。
關(guān)鍵字： Flash 嵌入式 MCU 存儲器 NAND 寄存器 201312

Marvell擴大固態(tài)硬盤控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場份額

全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達克代碼：MRVL)日前宣布，其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實現(xiàn)全球消費者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當前，Marvell擁有豐富的端到端存儲、網(wǎng)絡(luò)、計算、移動和聯(lián)網(wǎng)解決方案，在行業(yè)中占據(jù)著獨一無二的領(lǐng)導地位。
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可管理NAND：適用于移動設(shè)備的嵌入式大容量存儲

與多年前相比，現(xiàn)在的移動消費電子裝置結(jié)構(gòu)復雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲...
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10月快閃存儲器NAND供過于求合約價看漲

　　市調(diào)機構(gòu)集邦科技預期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價看漲。　　集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災意外，不僅帶動動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價格飆漲，同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。　　集邦科技指出，盡管NANDFlash市場銷售并無好轉(zhuǎn)跡象，不過，海力士無錫廠復工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。　　集邦預期，近期1至2個月
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電源設(shè)計小貼士:MLC電容器常見缺陷的規(guī)避方法

因其小尺寸、低等效串聯(lián)電阻（ESR）、低成本、高可靠性和高紋波電流能力，多層陶瓷（MLC）電容器在電源電子產(chǎn)品中變得 ...
關(guān)鍵字：電源 MLC 電容器

用DNW通過USB燒uboot到nand

燒寫前提：已經(jīng)把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了，這樣我們從NOR啟動才可以使用US...
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MLC電容器常見缺陷的規(guī)避方法

因其小尺寸、低等效串聯(lián)電阻（ESR）、低成本、高可靠性和高紋波電流能力，多層陶瓷（MLC）電容器在電源電子產(chǎn)品中變得...
關(guān)鍵字： MLC 電源設(shè)計電容器

采取多元化戰(zhàn)略，加強在華合作

編者按：8月初，Spansion宣布兩項重大舉措：一，完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務的收購;二，簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術(shù)許可協(xié)議?？梢?，Spansion由最大的獨立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司，并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
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三星宣布量產(chǎn)全球首個3D垂直閃存V-NAND

　　三星電子在存儲技術(shù)上的領(lǐng)先的確無可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個采用3D垂直設(shè)計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來連接3D單元陣列。　　三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達到1xnm N
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半導體廠擴產(chǎn) 力成進補

　　不讓韓國三星專美于前，日本半導體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠，導入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。　　這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導體資本支出后，東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定，因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。　　研究機構(gòu)統(tǒng)計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
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NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺

據(jù)IHS公司的移動與嵌入存儲市場追蹤報告，今年第一季度中國低端智能手機的需求大增，讓內(nèi)存供應商措手不及，刺激了NAND閃存市場的增長并導致其出現(xiàn)供應短缺。
關(guān)鍵字： IHS NAND

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mlc nand介紹

　　MLC NAND 　　目錄　　1定義　　2MLC芯片特點　　3與SLC對比　　1定義　　MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較高。　　一般廠家宣稱可以保證得擦除次數(shù)是3，000次。這一點與SLC得100，000的擦除次數(shù)有不小的差異。　　2MLC芯片特點　　1、傳輸速率 [ 查看詳細 ]