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	mlc nand
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          mlc nand 文章
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          美光任命Derek Dicker為存儲產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理?！　≡诖寺毼簧希珼icker 將負責領(lǐng)導(dǎo)和拓展美光的固態(tài)存儲業(yè)務(wù)，包括打造世界領(lǐng)先的存儲解決方案，從而把握云端、企業(yè)級和客戶端計算等大型細分市場中日漸增多的機遇。他將向美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 匯報。　　Dicker 在半導(dǎo)體行業(yè)擁有 20 年的從業(yè)經(jīng)驗，包括在 Intel、
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          • 關(guān)鍵字：
                        美光  NAND                          
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          旺宏NAND論文 獲國際肯定
          
                                                            
            
                    	
          • 　　內(nèi)存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構(gòu)的論文入選國際電子組件大會(IEDM)，被評選為「亮點論文」，是今年臺灣產(chǎn)學研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進內(nèi)存研發(fā)實力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。
　　旺宏強調(diào)，獨立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)(SGVC)，相較其他大廠現(xiàn)有技術(shù)，以相同的堆棧層數(shù)，卻可達到二到三倍的內(nèi)存密度。
　　目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
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          • 關(guān)鍵字：
                        旺宏  NAND                          
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          讓汽車更智能，適用于汽車遠程信息處理系統(tǒng)的全新 NAND+LPDDR4 MCP
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　被譽為世界三大車展之一的東京車展于近日開幕，來自全世界的主要汽車生產(chǎn)廠商通過展示最新的產(chǎn)品和技術(shù)來描繪下一代汽車發(fā)展藍圖，其中 “人工智能”、“自動駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車產(chǎn)業(yè)界公認的未來的發(fā)展方向?！　±?，豐田展出的“愛i”系列，能憑借大量數(shù)據(jù)分析解駕駛員的日常習慣及行為模式，甚至判斷出駕駛員的興趣愛好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車，豐田展示的依靠氫燃料電池提供動力的大巴“SORA”，不僅助力環(huán)保，更在智能性方面有了極大提高。SORA內(nèi)外搭載有8個高清晰攝像頭，能捕捉到周圍的行人、車輛
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          • 關(guān)鍵字：
                        NAND  LPDDR4                          
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          圖解中國存儲器三大勢力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 中國存儲器后進廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出，目前狀況到底如何?
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          三星擴產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過剩
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為最大宗，研調(diào)機構(gòu)IC Insights認為，3D NANDFlash恐將供過于求。
　　IC Insights預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體資本支出金額將達908億美元，將成長35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺積電的總和還多。
　　三星今年的資本支出主要投入3D儲存型閃存(NAND Flash)，將達140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進動態(tài)
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  NAND                          
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          東芝第二財季運營利潤增長76% 芯片業(yè)務(wù)表現(xiàn)強勁
          
                                                            
            
                    	
          • 　　11月9日消息，據(jù)國外媒體報道，日本東芝公司今天公布財報顯示，由于受到旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)強勁業(yè)績的驅(qū)動，該公司本財年第二季度運營利潤增長了76%。最近，該公司同意將旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)以180億美元對外出售。
　　處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示，本財年7至9月份這個第二季度運營利潤從上年同期的768.8億日元增長至1250,8億日元(約合12億美元)。
　　這個業(yè)績好于分析師預(yù)期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據(jù)5位分析師預(yù)估，東芝本財年第二季度運營利潤是1244.7億日
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          • 關(guān)鍵字：
                        東芝  NAND                          
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          美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲商機
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預(yù)計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。
　　美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
　
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          • 關(guān)鍵字：
                        美光  3D NAND                          
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          美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲商機
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預(yù)計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。
　　美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
　
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          • 關(guān)鍵字：
                        美光  NAND                          
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          IC Insights：全球半導(dǎo)體2017年上調(diào)市場預(yù)測提升至22％
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　據(jù)IC Insights預(yù)測，2017年的IC市場增長率有望提高到22%，較今年年中預(yù)期的16%再提升6個百分點，出貨量增長率預(yù)測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預(yù)測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。
　　此外，IC Insights同時調(diào)稿對O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預(yù)測?？傮w而言，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體預(yù)計增長達20%，比年中預(yù)期調(diào)高5個百分點。
　　2017年，IC Insights預(yù)測DRAM的平均售價將大漲77%，預(yù)計今年將推動DRAM
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別
          
                                                            
            
                    	
          • DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  NAND  存儲器                          
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          東芝受惡意攻擊導(dǎo)致NAND停產(chǎn)：預(yù)估少生產(chǎn)40萬TB容量
          
                                                            
            
                    	
          • 　　援引DigiTimes報道，東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴重的惡意攻擊，被迫關(guān)閉NAND生產(chǎn)線數(shù)周時間，這將導(dǎo)致近階段公司NAND閃存的供應(yīng)比較緊張。
　　DigiTimes消息稱為了清除惡意程序，東芝公司的NAND生產(chǎn)線將停工3-6周時間才能恢復(fù)正常供應(yīng)，預(yù)估將減少10萬個wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預(yù)估假設(shè)這段停產(chǎn)時間正常生產(chǎn)，能夠帶來5000萬個芯片或者40萬TB的NAND閃存。
　　近年來由于智能手機和服務(wù)器的需求不斷增大，NAND的售價也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產(chǎn)
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          • 關(guān)鍵字：
                        東芝  NAND                          
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          DRAM漲潮再起 誰才是真正贏家？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象，在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中，也許大家都是贏家。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  NAND                           
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          基于magnum 2 測試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術(shù)研究
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要：NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會出現(xiàn)壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法，實驗結(jié)果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關(guān)鍵時序參數(shù)，如tREA(讀信號低電平到數(shù)據(jù)輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當?shù)目刂萍?，完成NAND FLASH的時序配合，從而達到器件性
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          • 關(guān)鍵字：
                        NAND  magnum                           
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          DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理
          
                                                            
            
                    	
          • DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  NAND  RAM                          
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          Nand Flash編程應(yīng)用難點淺析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等。　　1989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展，NAND應(yīng)用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
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          • 關(guān)鍵字：
                        Nand Flash  東芝                          
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          mlc nand介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	　　MLC NAND
　　目錄
　　1定義
　　2MLC芯片特點
　　3與SLC對比
　　1定義
　　MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較高。
　　一般廠家宣稱可以保證得擦除次數(shù)是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數(shù)有不小的差異。
　　2MLC芯片特點
　　1、傳輸速率		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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