jfet 文章 最新資訊
如何成為硬件高手
- 摘要：駕駛著進(jìn)取號(hào)電子飛船，從發(fā)射區(qū)進(jìn)入充滿黑洞的基區(qū)，一些同伴被黑洞束縛，一些擄去另一世界，你幸運(yùn)地躲過一劫飛到集電結(jié)，受到強(qiáng)大的吸力快速渡越出集電區(qū)，漫游在低阻導(dǎo)線上，松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風(fēng)順，阻力重重的負(fù)載中到處碰壁…… 古人學(xué)問無遺力，少壯工夫老始成。若問硬件速成法，猶似浮沙立大廈。千萬別認(rèn)為看后就能成為高手，當(dāng)然筆者亦非高手，水滴石穿又豈是朝夕之功!謹(jǐn)以過往經(jīng)歷和拙見與在校學(xué)生朋友和剛工作的工程師分享共勉?！ ±碚搶W(xué)習(xí) 沒有滿腹經(jīng)綸，何能出口成章。但覺得書海茫茫，不知從何
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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)的基礎(chǔ)知識(shí)
- 結(jié)構(gòu)與符號(hào)： ? ? 在N區(qū)兩側(cè)擴(kuò)散兩個(gè)P+區(qū)，形成兩個(gè)PN結(jié)。兩個(gè)P+區(qū)相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s?！ ?dǎo)電原理： ? ? (1)VGS=0時(shí)，N型棒體導(dǎo)電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后，溝道中的電流最大?！ ?2)VGS<0時(shí)，耗盡層加寬(主要向溝道一測(cè)加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄。 當(dāng)VGS
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CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流
- 由于具有較低的偏置電流，人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運(yùn)算放大器。然而你應(yīng)該意識(shí)到，這個(gè)事實(shí)還與很多其它的原因相關(guān)?！ MOS晶體管的柵極 (CMOS運(yùn)算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設(shè)計(jì)附加的電路來對(duì)脆弱的柵極進(jìn)行ESD和EOS保護(hù)。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護(hù)電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來實(shí)現(xiàn)。圖1a中的OPA320就是一個(gè)例子。這些二極管會(huì)存在大約幾皮安的漏電流。當(dāng)輸入電壓大約達(dá)到電源軌中間值的時(shí)候，漏電流匹配的相當(dāng)好，僅僅會(huì)存在小于1皮安的殘余誤差電流
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場(chǎng)效應(yīng)管工作原理- -場(chǎng)效應(yīng)管工作原理也瘋狂
- 一、場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理- -概念 場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，也稱為單極性場(chǎng)效應(yīng)管，是一種常見的利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導(dǎo)體器件，場(chǎng)效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點(diǎn)，而且輸入回路的內(nèi)阻高達(dá)107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強(qiáng)，且比后者耗電省，這些優(yōu)點(diǎn)使之從20世紀(jì)60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。 二、
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英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列
- 在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電能品質(zhì)國際研討會(huì)與展覽會(huì)”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC(碳化硅)產(chǎn)品市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。這個(gè)革命性的新產(chǎn)品系列，立足于英飛凌在SiC技術(shù)開發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)。
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Power Integrations將銷售SiC二極管和JFET
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories簽署代表其在歐洲以外市場(chǎng)銷售創(chuàng)新的碳化硅(SiC)二極管和JFET系列產(chǎn)品的協(xié)議。
- 關(guān)鍵字： Power Integrations SiC二極管 JFET
德州儀器推出業(yè)界速度最快的 JFET 輸入放大器
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運(yùn)算放大器，其可實(shí)現(xiàn)3 倍于同類競爭產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應(yīng)。上述放大器將寬帶電壓反饋放大器與高阻抗 JFET 輸入級(jí)完美結(jié)合，可通過其高頻率帶寬和低總諧波失真充分滿足頻率域與 FET 分析的需求。 OPA653 與 OPA659 的主要特性與優(yōu)勢(shì) 業(yè)界最佳的壓擺率與低失真可提高時(shí)間域和脈沖型應(yīng)用的信號(hào)完整性： o OPA653 是一款具有 2675
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jfet介紹
最早具有實(shí)際結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管是在N型或者P型半導(dǎo)體基片上制作一對(duì)PN結(jié)及相應(yīng)的金屬電極，兩個(gè)PN結(jié)之間有導(dǎo)電溝道，通過改變外加PN界的反向偏置電壓，以改變PN結(jié)耗盡層的厚度，從而達(dá)到改變溝道區(qū)載流子密度以控制溝道輸出電流的目的，因此，這種場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為PN結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即PN JFET（PN Junction FET），通常也稱JFET。
什么是 JFET
一種單極的三層晶 [ 查看詳細(xì) ]
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