- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。
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富士通 功率器 GaN
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
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智能手機 功放 最佳效率 TD-LTE GaN
- 摘要：針對現(xiàn)有遙控電器開關的節(jié)電性不好、使用壽命短等缺點，文中采用低功耗芯片Si1000，設計了一種新的可編程無線遙控多路開關，以實現(xiàn)對多路照明燈的遙控控制。詳細闡述了整個電路的軟硬件設計，并對其進行了實驗
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Si 多路 無線遙控開關
- 1引言眾所周知，利用太陽能有許多優(yōu)點，光伏發(fā)電將為人類提供主要的能源，但目前來講，要使太陽能發(fā)電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，提高太陽電池的光電轉換效率，降低生產(chǎn)成本應該是我們追求的最大目標，從目
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結構 制備 實現(xiàn) 電池 太陽 結集 成型 Si:H 大面積
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GaN 恩智浦 氮化鎵 射頻功率晶體管
- 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
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科銳 放大器 GaN
- 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源...
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SiC 功率元件 GaN 導通電阻
- 硅上GaN LED不必受應力的影響，一定量的應力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監(jiān)測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內量子效率接近40%。硅襯底在
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GaN LED 分析
- 引言近年來，有源液晶顯示技術在液晶顯示產(chǎn)業(yè)和研究領域都獨占鰲頭。在有源液晶顯示技術中，多晶硅薄膜因高遷移率展現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢，它的器件尺寸小，可以獲得更高的開口率和分辨率；由于遷移率的提高可以將周邊驅動
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研究 制備 薄膜 p-Si 低溫
- 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結構及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
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GaN LED
- 在當今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
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GaN LED
- 超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關鍵材料之...
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LED GaN MOSFET
- PMM8731是日本三洋電機公司生產(chǎn)的步進電機脈沖分配器。而SI-7300則是日本三青公司生產(chǎn)的高性能步進電機集成功率放大器。它們和單片機一起可構成一種高效電機控制驅動電路。文中介紹了PMM8713與SI-7300的功能，給出了
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驅動 電路 電機 步進 PMM8731 SI-7300 基于
- 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
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LED芯片 硅襯底 GaN
- Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
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MOCVD GaN LED芯片
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