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galaxy note 20
galaxy note 20 文章 最新資訊
把0~10V轉(zhuǎn)換成4~20MA的電壓-電流轉(zhuǎn)換電路
- 電路的功能以電壓形式長(zhǎng)距離傳輸模擬信號(hào)時(shí),信號(hào)源電阻或電纜的直流電阻會(huì)引起電壓衰減,信號(hào)接收端的輸入電阻越低,電壓衰減越大。為了提高傳輸精度,可采用電流環(huán)路――一種恒定電流輸出電路,把電壓變成電流信號(hào)
- 關(guān)鍵字: 10 20 MA 轉(zhuǎn)換成
把4~20MA轉(zhuǎn)換成正負(fù)10伏的電流電-壓轉(zhuǎn)換電路
- 電路的功能模擬信號(hào)接口過(guò)去一直選用4~20MA的電流環(huán)路,4MA為滿量程的0%、20MA為滿量程的100%把電流信號(hào)在輸入端轉(zhuǎn)換成電壓以后再進(jìn)行信號(hào)處理,本電路以12MA作為雙極的零點(diǎn),把4~20MA的電流轉(zhuǎn)換成-10~+10V的電壓,該
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日置開(kāi)始銷(xiāo)售AC/DC鉗形表3288-20
- HIOKI開(kāi)始銷(xiāo)售AC/DC鉗形表3288-20。3288-20不僅采用真有效值測(cè)量方式(True RMS)來(lái)對(duì)應(yīng)測(cè)量失真波形,還具有最大能測(cè)到1,000A大電流(AC/DC)的小巧、超薄的超輕機(jī)型。向來(lái)以小巧、輕便、超薄廣受好評(píng)的3280系列,現(xiàn)通過(guò)追加True RMS功能,完善了鉗形表的種類。 ■3288-20的優(yōu)點(diǎn) 1. 采用了真有效值(True RMS)測(cè)量方式 采用了真有效值(True RMS)的測(cè)量方式。就算在電源環(huán)境惡劣的情況下電氣信號(hào)產(chǎn)生畸變也能正確測(cè)量電流。可以用于
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輸出大于20DB的600歐平衡驅(qū)動(dòng)前置放大器
- 電路的功能辦公用的音響設(shè)備由于各設(shè)備之間的距離很遠(yuǎn),所以要使用很長(zhǎng)的平衡傳輸線,目的是消除外來(lái)噪聲。傳輸線阻抗通常取600歐,目的是驅(qū)動(dòng)60歐傳輸線,電平比較低時(shí),用OP放大器就可以了。但是電源電壓為正負(fù)15V
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Design Compiler 2010將綜合和布局及布線的生產(chǎn)效率提高2倍
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、驗(yàn)證和制造的軟件及知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商新思科技有限公司日前宣布:該公司在其Galaxy™設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)平臺(tái)中推出了最新的創(chuàng)新RTL綜合工具Design Compiler 2010,它將綜合和物理層實(shí)現(xiàn)流程增速了兩倍。為了滿足日益復(fù)雜的設(shè)計(jì)中極具挑戰(zhàn)性的進(jìn)度要求,工程師們需要一種RTL綜合解決方案,使他們盡量減少重復(fù)工作并加速物理實(shí)現(xiàn)進(jìn)程。為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),Design Compiler 2010對(duì)拓?fù)浼夹g(shù)進(jìn)行擴(kuò)展,為Synopsys旗艦布局布線解決方案IC Compile
- 關(guān)鍵字: Synopsys Galaxy RTL
薄晶圓系統(tǒng)提高批量制造超薄晶圓處理能力
- 基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備,得可已利用卓越的精準(zhǔn)技術(shù)開(kāi)發(fā)了專門(mén)處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供杰出的穩(wěn)定性、工藝能力提高到Cp>2@+/-12.5μm、并擁有先進(jìn)的速度和加速控制,確保強(qiáng)健地處理當(dāng)今易損的晶圓產(chǎn)品。 Galaxy薄晶圓系統(tǒng)的杰出工藝能力核心是專業(yè)設(shè)計(jì)的晶圓托盤(pán),提供輸送和加工75微米薄晶圓時(shí)正確固定晶圓所需的支撐和穩(wěn)定性。約400毫米見(jiàn)方的得可晶圓托盤(pán),平整度小于10微米,且能容納300毫米大的晶圓。仔細(xì)的選擇和多孔材料的使用確保薄晶圓的安全
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中芯國(guó)際和新思科技攜手推出Reference Flow 4.0
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、驗(yàn)證和制造軟件及知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商新思科技公司與中國(guó)內(nèi)地最大的芯片代工企業(yè)中芯國(guó)際集成電路制造有限公司日前宣布,將攜手推出全新的65納米R(shí)TL-to-GDSII參考設(shè)計(jì)流程4.0(Reference Flow 4.0)。作為新思科技專業(yè)化服務(wù)部與中芯國(guó)際共同開(kāi)發(fā)的成果,該參考流程中增加了 Synopsys Eclypse™ 低功耗解決方案及IC Compiler Zroute布線技術(shù),為設(shè)計(jì)人員解決更精細(xì)工藝節(jié)點(diǎn)中遇到的低功耗和可制造性設(shè)計(jì)(DFM)等問(wèn)題提供更多
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Linear推出業(yè)界首款高速雙路差分ADC驅(qū)動(dòng)器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出業(yè)界首款高速雙路差分 ADC 驅(qū)動(dòng)器 LTC6420-20 和 LTC6421-20,這兩種器件具有保證的增益匹配以及卓越的噪聲和失真性能。LTC6420-20 保證 ±0.25dB 增益匹配和 ±0.1o (典型值) 的相位匹配,降低了 IQ 解調(diào)或分集式接收器等多通道系統(tǒng)的誤差。在 100MHz 時(shí)的通道隔離度為 80dB。 LTC6420-20 具有 20dB 的固定增益,在 10
- 關(guān)鍵字: Linear ADC LTC6420-20 LTC6421-20
萊爾德科技推出T-GARD 20導(dǎo)熱絕緣材料
- 萊爾德科技推出經(jīng)濟(jì)型高性能導(dǎo)熱絕緣材料T-GARD 20。這一產(chǎn)品是針對(duì)電腦的供電電源而設(shè)計(jì)的。 T-gard 20的介質(zhì)擊穿電壓(DBV)為9000 Vac,具有很高的電氣可靠性??蛻舨槐?fù)?dān)心他們的應(yīng)用系統(tǒng)的電介質(zhì)絕緣問(wèn)題。T-gard 20的介質(zhì)擊穿電壓是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的兩倍。 “這項(xiàng)產(chǎn)品使用厚度為0.05 mm電氣級(jí)聚脂,介電強(qiáng)度是始終一致的。”萊爾德科技導(dǎo)熱絕緣材料全球產(chǎn)品經(jīng)理Robert Kranz說(shuō)道?!跋嘧兺糠髮拥谋砻鏉駶?rùn)性很好
- 關(guān)鍵字: 20 T-GARD 導(dǎo)熱絕緣材料 電源技術(shù) 萊爾德科技 模擬技術(shù)
Amphenol TCS推出傳輸速度可達(dá)20+Gb/s的XCede(TM)背板連接器
- 安費(fèi)諾連接系統(tǒng)(ATCS),這家在高性能連接系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)先者,宣布推出XCede(TM)連接器產(chǎn)品,該產(chǎn)品是為實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)通信,電信,存儲(chǔ)和無(wú)線設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸需求而設(shè)計(jì)。 XCede具有當(dāng)今連接器的最高密度:每英寸82個(gè)差分信號(hào)對(duì),并且在多個(gè)前后端網(wǎng)狀交換槽和刀片系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)背板的直冷方式。 XCede連接器有2對(duì)(每英寸27.5個(gè)差分信號(hào)對(duì))到6對(duì)(每英寸82個(gè)差分信號(hào)對(duì))的規(guī)格可供選擇,并且具有完備的導(dǎo)向、背板和電源總線模塊,以及平行扣板連接器、線纜和共面連接方案。&nb
- 關(guān)鍵字: 20+Gb/s Amphenol TCS XCede(TM) 背板連接器 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線 連接器
萊爾德科技推出T-GARD 20導(dǎo)熱絕緣材料
- 萊爾德科技推出經(jīng)濟(jì)型高性能導(dǎo)熱絕緣材料T-GARD 20。這一產(chǎn)品是針對(duì)電腦的供電電源而設(shè)計(jì)的。 T-gard 20的介質(zhì)擊穿電壓(DBV)為9000 Vac,具有很高的電氣可靠性??蛻舨槐?fù)?dān)心他們的應(yīng)用系統(tǒng)的電介質(zhì)絕緣問(wèn)題。T-gard 20的介質(zhì)擊穿電壓是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的兩倍。 “這項(xiàng)產(chǎn)品使用厚度為0.05 mm電氣級(jí)聚脂,介電強(qiáng)度是始終一致的。”萊爾德科技導(dǎo)熱絕緣材料全球產(chǎn)品經(jīng)理Robert Kranz說(shuō)道。“相變涂敷層的表面濕潤(rùn)性很
- 關(guān)鍵字: 20 T-GARD 材料 導(dǎo)熱 電源技術(shù) 絕緣 萊爾德 模擬技術(shù)
galaxy note 20介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條galaxy note 20!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)galaxy note 20的理解,并與今后在此搜索galaxy note 20的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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