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          flir cmos 文章 最新資訊

          GLOBALFOUNDRIES推出強(qiáng)化型55納米CMOS邏輯制程

          •   GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強(qiáng)化型 (LPe)制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲(chǔ)器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V ?!?5nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫(kù)的強(qiáng)化型制程節(jié)點(diǎn),使芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單一系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)中使用單一制程同時(shí)支持兩個(gè)工作電壓。   GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)副總裁Bruce Kleinman表示:&ldqu
          • 關(guān)鍵字: GLOBALFOUNDRIES  CMOS  55nm  

          FLIR熱像儀新技術(shù)剖析

          • 看過(guò)美國(guó)大片《變形金剛》的您可曾留意到,在片頭部分,美國(guó)大兵用紅外熱像設(shè)備探測(cè)金剛的時(shí)候,赫然映入眼簾的lo...
          • 關(guān)鍵字: FLIR  熱像儀  

          CMOS圖像傳感器基本原理與應(yīng)用簡(jiǎn)介

          • 摘要:本文介紹了CMOS圖像傳感器器件的原理、性能、優(yōu)點(diǎn)、問(wèn)題及應(yīng)對(duì)措施,以及CMOS圖像傳感器的市場(chǎng)狀況和一些...
          • 關(guān)鍵字: CMOS  圖像傳感器  電信號(hào)  

          嵌入式CMOS成像器用于全息數(shù)據(jù)檢索

          • 過(guò)去,由于缺乏低成本系統(tǒng)部件,或因全息多路技術(shù)過(guò)于復(fù)雜以及找不到合適的記錄材料,使全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品的開(kāi)...
          • 關(guān)鍵字: CMOS  成像器  全息數(shù)據(jù)檢索  

          IDT推出首款高性能四頻MEMS振蕩器

          • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出業(yè)界首款具備多同步輸出的高性能四頻MEMS振蕩器。IDT的最新振蕩器提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)兼容封裝尺寸內(nèi)的可配置輸出,從而節(jié)省通信、網(wǎng)絡(luò)、存儲(chǔ)、工業(yè)和FPGA等應(yīng)用中的電路板面積和物料清單 (BOM) 成本。
          • 關(guān)鍵字: IDT  MEMS振蕩器  CMOS  

          從頭到尾構(gòu)建混合信號(hào)高集成度系統(tǒng)(SOC)的步驟(5):電路仿真

          聯(lián)發(fā)科技與OmniVision攜手推出手機(jī)參考設(shè)計(jì)

          • 全球無(wú)線通訊及數(shù)字多媒體IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 (MediaTek, Inc.) ,日前宣布與CMOS影像傳感器領(lǐng)先品牌美國(guó)豪威科技股份有限公司(OmniVision Technologies, Inc.)合作,于其最新雙核及四核智能手機(jī)解決方案打造帶有畫(huà)中畫(huà)、影中影 (Video-in-Video ; ViV?) 相機(jī)功能的手機(jī)參考設(shè)計(jì)。
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)發(fā)  豪威  智能手機(jī)  CMOS  

          最新一代CMOS和CCD圖像傳感器

          •  最新一代CMOS和CCD圖像傳感器具有更大的頻譜寬度、更高的靈敏度、更低的工作噪聲和更小的外形尺寸。更先進(jìn)的制造工藝還實(shí)現(xiàn)了更低的成本。此外,創(chuàng)新架構(gòu)也正在給電路設(shè)計(jì)帶來(lái)更大的靈活性和通用性。  其結(jié)果是,
          • 關(guān)鍵字: 圖像  傳感器  CCD  CMOS  新一  最新  

          正確使用MOS集成電路的注意事項(xiàng)

          • 所有MOS集成電路(包括P溝道MOS,N溝道MOS,互補(bǔ)MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵,以防止電壓...
          • 關(guān)鍵字: MOS集成電路  CMOS  NMOS  

          基于CPLD的服務(wù)機(jī)器人視覺(jué)系統(tǒng)軟硬件設(shè)計(jì)

          •   隨著計(jì)算機(jī)科學(xué)和自動(dòng)控制技術(shù)的發(fā)展,越來(lái)越多的不同種類的智能機(jī)器人出現(xiàn)在工廠、生活當(dāng)中,機(jī)器人視覺(jué)系 ...
          • 關(guān)鍵字: CMOS  智能機(jī)器人  視覺(jué)系統(tǒng)  

          羅姆高頻元器件和模塊技術(shù)系列一

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  RF-CMOS  HEMS  特定小功率無(wú)線模塊  

          中芯國(guó)際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

          •   中芯國(guó)際宣布在背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展,首款背照式CMOS成像傳感測(cè)試芯片一次流片即獲得成功,在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。這標(biāo)志著中芯國(guó)際自主開(kāi)發(fā)的背照式CMOS成像傳感芯片全套晶圓工藝核心技術(shù)接近成熟,步入產(chǎn)業(yè)化階段,更好地滿足高端智能移動(dòng)終端的需要。該技術(shù)將于2013年與客戶伙伴進(jìn)行試產(chǎn)。   背照式CMOS成像傳感芯片工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)的成功,有助于中芯國(guó)際進(jìn)一步拓展晶圓代工業(yè)務(wù),支持國(guó)內(nèi)外客戶500萬(wàn)像素以上高分辨率智能手機(jī)用圖像傳感芯片、以及高性能視頻影像傳感芯片
          • 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際  傳感芯片  CMOS  

          中芯國(guó)際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

          • 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司("中芯國(guó)際",紐約證交所代碼:SMI,香港聯(lián)交所代碼:981),中國(guó)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路代工廠,日前宣布在背照式 CMOS 成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展,首款背照式 CMOS 成像傳感測(cè)試芯片一次流片即獲得成功,在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。
          • 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際  CMOS  

          一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的低功耗振蕩器電路設(shè)計(jì)

          • 摘要:給出了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的低功耗振蕩器電路的設(shè)計(jì)方法,該電路由RC充放電回路、偏置電路組成。與傳統(tǒng)振蕩器電路相比,該電路具有精度高、電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單以及輸出占空比可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)。采用0.35 mu;m BCD工藝并利用Cad
          • 關(guān)鍵字: 振蕩器電路  低功耗  RC振蕩器  CMOS  

          低功耗LNA設(shè)計(jì)

          • 摘要:為了應(yīng)對(duì)低功耗電路設(shè)計(jì)要求,提出了一個(gè)在低功耗要求下CMOS低噪聲放大器的設(shè)計(jì)方法。使用該方法在0.18μm CMOS集成工藝下,設(shè)計(jì)一款低噪聲放大器,并在ADS中進(jìn)行前仿真。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  放大器  LNA  201212  
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