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          flash 文章 最新資訊

          東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

          • 據(jù)外媒報道,東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC,XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案,樣品預計將于下月送樣檢測,或?qū)⒂?020年量產(chǎn)。
          • 關鍵字: 東芝  存儲器  XL-Flash  

          NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌 各家布局蓄勢待發(fā)

          • 受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導致存儲器價格將反轉(zhuǎn)契機出現(xiàn),NAND Flash價格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn),而國際大廠之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
          • 關鍵字: 三星電子  東芝存儲器  NAND Flash  3D XPoint  Z-NAND  

          停電余威沖擊NAND Flash出貨 價格維持小跌

          • 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外,市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當?shù)貭I運的5座 NAND Flash工廠的營運中斷,盡管東芝存儲器尚未對外說明影響,但據(jù)傳出,合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
          • 關鍵字: ?威騰  東芝存儲器  NAND Flash  

          數(shù)據(jù)存儲很重要,這塊把錢省不掉?

          • 多日后,當李工在領導面前拍著桌子指責我的時候,我才知道,原來我倆在項目啟動會上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
          • 關鍵字: 數(shù)據(jù)存儲  EEPROM  Flash  

          2019年全球Flash支出達260億美元 連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

          • 盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴增計劃,2019年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務上的資本支出將會大幅下滑,但該支出金額仍然會繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務上的支出?! CInsights最新資料顯示,2016年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務上的資本支出金額為144億美元,低于同年晶圓代工業(yè)務資本支出金額的219億美元?!?/li>
          • 關鍵字: DRAM  晶圓  Flash  

          美光行使認購期權(quán),收購在IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份

          •   美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼:MU)今日宣布公司正在行使其認購期權(quán),收購英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡稱“IM Flash”) 中的權(quán)益。2018 年 10 月 18 日,美光宣布了其行使期權(quán)的意向。  “收購 IM Flash 將使美光加速研發(fā)進程,并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計劃,”美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 說?!蔼q他州的工廠將幫助我們提升生產(chǎn)制造柔性,配備高技術(shù)型人才隊伍,以推動 3D Xpo
          • 關鍵字: 美光,F(xiàn)lash  

          真正的汽車0級EEPROM支持下一代汽車特性

          • 對于可擦除的、非易失性的存儲,業(yè)界已經(jīng)在兩項技術(shù)上進行了標準化:Flash(閃存)和EEPROM。在某些方面,EEPROM被視為過時的方案,但它在一些具有特定需求的應用中提供顯著的優(yōu)勢,例如當數(shù)據(jù)的保留被視為安全至上時,EEPROM將是首選,因此十分適用于汽車電子等領域。
          • 關鍵字: EEPROM  Flash  汽車  1級  201812  

          H-Jtag V1.0 燒寫NOR Flash

          DSP硬件設計需要知道的注意事項知多少?

          • 數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進外圍設備,通過CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進步增加了D
          • 關鍵字: 硬件設計  FlaSh  DSP  

          一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼

          • 如果有幾個設置參數(shù)需要存儲到Flash中,我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中,還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體,每次修改都同時寫
          • 關鍵字: 源代碼  RAM  FlaSh  

          詳解嵌入式中參數(shù)存儲的一種方式

          • 如果有幾個設置參數(shù)需要存儲到Flash中,我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中,還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體,每次修改都同時寫
          • 關鍵字: 工控  FlaSh  嵌入式  

          對STM32的flash進行操作的一些要點

          • 說到STM32的flash,我們的第一反應是用來裝程序的,實際上,STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序,還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當然, FLAS
          • 關鍵字: STM32  flash  

          ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失

          •   Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器,為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而越來越廣泛地應用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領域?! ?nbsp;    圖1 Nand-Flash與eMMC芯片  1.1存儲器件使用壽命  使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象,是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
          • 關鍵字: Nand-Flash  eMMC  

          STM32的flash知識詳解

          •   說到STM32的flash,我們的第一反應是用來裝程序的,實際上,STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序,還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當然, FLASH還可以用來裝數(shù)據(jù)。  FLASH分類  根據(jù)用途,STM32片內(nèi)的FLASH分成兩部分:主存儲塊、信息塊。 主存儲塊用于存儲程序,我們寫的程序一般存儲在這里。 信息塊又分成兩部分:系統(tǒng)存儲器、選項字節(jié)。 系統(tǒng)存儲器存儲用于存放在系統(tǒng)存儲器自舉模式下的啟動程序(BootLoader),當使用ISP方
          • 關鍵字: STM32  flash  

          兆易創(chuàng)新獲中芯支援擴產(chǎn)Nor Flash 短期恐對價格沖擊有限

          •   據(jù)報導, Nor Flash 生產(chǎn)大廠兆易創(chuàng)新(Gigadevice)搶進 Nor Flash 市場,獲得代工龍頭中芯國際(SMIC)的支持,將提供兆易創(chuàng)新每月 2.5 萬片,占全球 Nor Flash 約 30% 的產(chǎn)能,進一步威脅臺灣大廠旺宏與華邦電。   不過,根據(jù)《科技新報》獨家取得的消息,中芯國際供應兆易創(chuàng)新的產(chǎn)能,僅為每月一萬片。雖然對當前市場的供貨有所幫助,但是對價格的沖擊,短期可能有限。   存儲器業(yè)者透露表示,預定 2018 年第 1 季在兆易創(chuàng)新獲得中芯國際支持的產(chǎn)能陸續(xù)投片,
          • 關鍵字: 兆易創(chuàng)新  Flash   
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          flash介紹

          閃存(Flash ROM): 是一種電擦除非易失型存儲器,由浮柵型場效應管構(gòu)成,寫入時,利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時,則利用高壓下的隧道效應,使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導體技術(shù),內(nèi)部是相對靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快,價格下降也很快,這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細 ]

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