epc gan fet 文章最新資訊

EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機(jī)驅(qū)動器參考設(shè)計

基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設(shè)計增強(qiáng)了高功率應(yīng)用的電機(jī)系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實現(xiàn)更長的續(xù)航里程。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農(nóng)業(yè)機(jī)械、叉車和大功率無人機(jī)等應(yīng)用。EPC9186在每個開關(guān)位置使用四個并聯(lián)的EPC2302，可提供高達(dá)200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
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Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

奈梅亨，2023年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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研華邊緣計算設(shè)備EPC-B5000，高AI算力加速邊緣計算

在采集邊緣側(cè)數(shù)據(jù)時，邊緣計算設(shè)備通常需要連接4K 120幀高分辨率視頻攝像頭將采集到的原始圖像數(shù)據(jù)流暢且實時顯示出來。同時原始圖像數(shù)據(jù)往往數(shù)據(jù)量巨大，需要快速及時進(jìn)行預(yù)分析和數(shù)據(jù)處理，因此需要多張采集卡或顯卡來滿足設(shè)備性能，并借助高性能顯卡甚至專業(yè)AI級別顯卡將采集到的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行實時AI處理和圖像渲染。而邊緣側(cè)設(shè)備所處的環(huán)境不確定因素較多，條件惡劣，這對邊緣計算設(shè)備的品質(zhì)提出了要求，其在實際數(shù)據(jù)采集場景下必須穩(wěn)定可靠，避免出現(xiàn)故障。基于此，研華設(shè)計并研發(fā)了邊緣計算設(shè)備EPC-B5000。網(wǎng)口
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深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊

氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度達(dá)到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應(yīng)用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設(shè)計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實現(xiàn)商用，6 英寸
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可適配NVIDIA Jetson Orin NX和Orin Nano的工業(yè)級準(zhǔn)系統(tǒng)，研華EPC-R7300助力產(chǎn)品開發(fā)

2023年，工業(yè)嵌入式AI解決方案供應(yīng)商研華科技發(fā)布工業(yè)準(zhǔn)系統(tǒng) EPC-R7300，該產(chǎn)品適用于NVIDIA?Jetson Orin?NX及JetsonOrin?Nano模塊。利用強(qiáng)大的NVIDIA Jetson Orin模塊，EPC-R7300將以低功耗（7~25瓦）輸出20-100TOPS的AI性能。為了便于AI部署，EPC-R7300采用了非常緊湊的外形（152×173×50 mm），具有多種后置I/O配置，其出色的柔性和計算性能為下一代機(jī)器人、監(jiān)控和其它使用邊緣推理的應(yīng)用提供了保障。用于NVIDI
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氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。?氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應(yīng)用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
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高電壓技術(shù)是構(gòu)建更可持續(xù)未來的關(guān)鍵

隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長，高電壓技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新讓設(shè)計工程師能夠開發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術(shù)更易于使用。?“隨著人均用電量的持續(xù)增長，可持續(xù)能源變得越來越重要，”TI 副總裁及高電壓產(chǎn)品部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示?！耙载?fù)責(zé)的方式管理能源使用非常重要。我們不能浪費(fèi)任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術(shù)的創(chuàng)新是實現(xiàn)能源可持續(xù)的關(guān)鍵?！?隨著電力需求的增加（在 2 秒內(nèi)將電動汽車 (EV) 從 0mph加速到 60mph?
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柵極長度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應(yīng)具有魯棒性

當(dāng)今行業(yè)中發(fā)現(xiàn)的大多數(shù) FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現(xiàn)的電子特性。根據(jù)摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設(shè)備保持強(qiáng)靜電。過渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包括在 0.7 A 下實現(xiàn)激進(jìn)的溝道長度縮放。自從在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中引入場效應(yīng)晶體管 (FET) 以來，理論和應(yīng)用電路技術(shù)已經(jīng)取得了多項改進(jìn)。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放
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EPC發(fā)布第十五階段產(chǎn)品可靠性測試報告

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第十五階段產(chǎn)品可靠性測試報告，進(jìn)一步豐富了關(guān)于氮化鎵器件可靠性的知識庫和展示了EPC eGaN產(chǎn)品的穩(wěn)健耐用性已在實際應(yīng)用中得到驗證。EPC宣布發(fā)布其第十五階段產(chǎn)品可靠性測試報告，記錄了持續(xù)使用測試器件至失效的方法，并針對太陽能優(yōu)化器、激光雷達(dá)傳感器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等實際應(yīng)用，加入了具體的可靠性指標(biāo)和預(yù)測數(shù)據(jù)。本報告介紹了測試eGaN器件至失效的結(jié)果，以了解器件的內(nèi)在故障機(jī)制，從而開發(fā)基于物理的模型，以準(zhǔn)確預(yù)測氮化鎵器件在一般操作條件下的安全使用壽命。這是根據(jù)特定現(xiàn)實應(yīng)用條
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連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案

３月下旬，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業(yè)內(nèi)介紹Qorvo在自身移動產(chǎn)品和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用上的射頻領(lǐng)導(dǎo)地位進(jìn)面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等領(lǐng)域的最新進(jìn)展。Matter出世，化解萬物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經(jīng)暢想的萬物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實，但要將數(shù)以百億計的設(shè)備進(jìn)行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標(biāo)準(zhǔn)的出現(xiàn)打破了這個局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標(biāo)準(zhǔn)的
關(guān)鍵字： Qorvo Matter SiC FET UWB

GaN 出擊

自上世紀(jì)五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著時間的流逝，盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導(dǎo)體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導(dǎo)體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關(guān)注。近段時間，GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計劃
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EPC新推ePower? IC，可在不同功率預(yù)算提高功率密度和簡化設(shè)計

繼早前推出的100 V、35 A功率級IC（EPC23102）之后，EPC公司新推兩款新型100V功率級IC，其額定電流分別為15A(EPC23104)和25A(EPC23103)。這三款集成電路能夠承受100 V的最大電壓和集成了GaN半橋功率級，內(nèi)含采用半橋配置的對稱FET、半橋驅(qū)動器、電平轉(zhuǎn)換器、自舉充電和輸入邏輯接口。這三款器件采用熱增強(qiáng)型QFN封裝，尺寸僅為3.5 mm x 5 mm，頂部裸露以實現(xiàn)雙面冷卻和可潤濕側(cè)面。其封裝兼容的特性使客戶的設(shè)計得以升級，從而實現(xiàn)更高的性能或更低的成本而無需修
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基于Navitas NV6115的150W電源解決方案

傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體被設(shè)計用來提升系統(tǒng)的效率以及減少能量損失?？墒菍嶋H上，出于兩個方面的原因-傳導(dǎo)和開關(guān)切換，設(shè)備可能會出現(xiàn)能量損失。GaN FET為第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)，其改善開關(guān)切換的延遲時間。納微（Navitas）半導(dǎo)體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅(qū)動器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實現(xiàn)許多軟開關(guān)拓?fù)浜蛻?yīng)用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
關(guān)鍵字： NAVITAS NV6115 NV6117 GAN

GaN 良率受限，難以取代 IGBT

GaN 要快速擴(kuò)散至各應(yīng)用領(lǐng)域，仍有層層關(guān)卡待突破。
關(guān)鍵字： GaN

市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導(dǎo)體成收購的熱門賽道

以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核，其對第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。事實上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2023年3月2
關(guān)鍵字：第三代半導(dǎo)體收購 SiC GaN