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蘋果iWatch智能手表會整合最少10種傳感器
- 對于智能腕表來說，整合10種傳感器感覺有點多。而據(jù)消息稱蘋果iWatch的確會整合最少10種傳感器，那么究竟哪些傳感器會被整合呢。有專家表示，血糖傳感器出現(xiàn)在iWatch中的可能還很低，因為技術(shù)上還無法實現(xiàn)。 非常有可能整合的5種傳感器 Sensoplex是一家為新型可穿戴產(chǎn)品設(shè)計和供應(yīng)傳感器模塊的公司，這家公司的CEO Hamid Farzaneh推測了一些可能在iWatch中出現(xiàn)的傳感器，下面這5種傳感器非常基礎(chǔ)，屬于非常有可能出現(xiàn)在iWatch中的。 1.加速度傳感器：加速度傳
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東芝新CMOS振蕩器提供全球最高等級精確度
- 東京—東芝公司今天宣布，該公司已開發(fā)出一款采用標準CMOS技術(shù)制造的原型參考時鐘振蕩器，該振蕩器達到了全球最高等級精確度。這款新設(shè)備用于代替?zhèn)鹘y(tǒng)的晶體振蕩器，將為電子設(shè)備的微型化提供支持。 東芝將于6月13日在夏威夷檀香山舉辦的2014年超大規(guī)模集成電路技術(shù)及電路研討會(Symposia on VLSI Technology and Circuits)上展示這項振蕩器技術(shù)。 近年來，對于作為電子產(chǎn)品復(fù)雜功能來源的電子組件的微型化要求已經(jīng)擴及振蕩器，激發(fā)了對超小型振蕩器的興趣。
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意法半導(dǎo)體MEMS是如何做到第一的
- ST的MEMS業(yè)務(wù)起步于1995年，就在這一年Benedetto Vigna先生加入到ST的研發(fā)實驗室，開啟了公司在MEMS方面的業(yè)務(wù)。 近20年后的今天，ST公司已經(jīng)成為世界第一大MEMS和微執(zhí)行器的供應(yīng)商，以22%的市場份額遠遠高于競爭對手。 這是怎樣的一個過程呢? 面對這一提問，Benedetto Vigna先生意味深長地陷入了深思，而后開始滔滔不絕地講述了ST公司MEMS的成長歷史。 意法半導(dǎo)體模擬、MEMS和傳感器事業(yè)部總經(jīng)理Benedetto Vigna先生 Benedetto
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意法半導(dǎo)體輕松備戰(zhàn)可穿戴設(shè)備市場
- 隨著谷歌眼鏡、智能手表等智能消費終端的推出，全球掀起了一股由可穿戴設(shè)備掀起的科技浪潮，可穿戴設(shè)備或?qū)⒊蔀榻议_物聯(lián)網(wǎng)2.0序幕的潮流先鋒。 依據(jù)其先進性與消費者的驅(qū)動，可穿戴設(shè)備的將有著非常廣闊的市場，根據(jù)IMS研究公司的報告，到2016年，全球可穿戴計算設(shè)備市場的規(guī)模，將達到60億美元。 現(xiàn)在如此受追捧的可穿戴設(shè)備產(chǎn)品，能否出現(xiàn)用來取代手機成為未來的“殺手級的應(yīng)用”呢? 意法半導(dǎo)體MEMS和傳感器市場經(jīng)理許永剛表示，根據(jù)目前的發(fā)展趨勢，智能手機真正的可技術(shù)創(chuàng)新
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ST公司多元化策略培育物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)圈
- 當意法半導(dǎo)體模擬、MEMS和傳感器事業(yè)部總經(jīng)理Benedetto Vigna先生用他人生中第一次書寫的漢字——“多元化”來表達公司MEMS與傳感器業(yè)務(wù)的發(fā)展戰(zhàn)略時，他所帶領(lǐng)的團體已經(jīng)開始向著新的目標進發(fā)了。 在Benedetto Vigna先生的“多元化”理念當中，即包含著“多元化的產(chǎn)品線”布局，也包含著“多元化的市場”策略。 “縱觀全球MEMS行業(yè)，意法半導(dǎo)
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英飛凌推出最小的天線調(diào)諧專用開關(guān)
- 英飛凌科技股份公司針對射頻前端擴大高效集成電路解決方案產(chǎn)品組合，推出一款天線調(diào)諧專用開關(guān)。新款天線調(diào)諧開關(guān)(Aperture tuning)對提升4G智能手機和平板電腦的終端用戶體驗助益匪淺。該新產(chǎn)品從根本上優(yōu)化天線特性，在相關(guān)的LTE頻帶上可讓運行中的數(shù)據(jù)率達到最高水平。BGS1xGN10系列開關(guān)采用市面上最小封裝，這對新一代智能手機和其他便攜式設(shè)備等空間受限的應(yīng)用而言至關(guān)重要。此外，該系列進一步降低電流消耗，延長此類設(shè)備的待機和工作時間?！ 〔捎糜w凌射頻CMOS開關(guān)技術(shù)的天線調(diào)諧專用開關(guān)有利于開
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英飛凌面向智能電話和平板電腦的射頻開關(guān)出貨量突破10億大關(guān) Bulk RF CMOS技術(shù)實現(xiàn)最快增速
- 英飛凌科技股份公司近日宣布，其用于智能電話和平板電腦的射頻開關(guān)的出貨量已經(jīng)突破10億大關(guān)。這凸顯了英飛凌作為發(fā)展速度最快的射頻開關(guān)領(lǐng)先供應(yīng)商之一的地位。預(yù)計，今后數(shù)年，隨著新一代智能電話和平板電腦集成越來越多的LTE頻段，射頻開關(guān)需求將呈兩位數(shù)增長?！ ‰S著4G/LTE手機可支持的工作頻段和運行模式越來越多，其射頻前端部件設(shè)計日益復(fù)雜、苛刻。除形形色色的頻段或模式選擇應(yīng)用之外，天線開關(guān)也是射頻前端至關(guān)重要的主要組件。這些天線開關(guān)要么可以選擇連接至4G/LTE主用天線的發(fā)射(TX)/接收(RX)通道，要
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RFaxis推出新款純CMOS大功率放大器
- 專注于為無線連接和蜂窩移動市場開發(fā)創(chuàng)新型下一代射頻(RF)解決方案的領(lǐng)先無晶圓半導(dǎo)體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，該公司用于無線局域網(wǎng)絡(luò)(WLAN)應(yīng)用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產(chǎn)?！ FX241最新加入RFaxis瞄準快速增長的無線接入點(AP)、路由器(Router)、機頂盒(STB)、家庭網(wǎng)關(guān)(HGW)、熱點(Hotspot)等無線基礎(chǔ)設(shè)施市場的純CMOS大功率CMOS PA產(chǎn)品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內(nèi)的目前市場上
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新日本無線變身綜合電子元器件供應(yīng)商
- ]新日本無線的MEMS傳感器累計出貨量突破1億枚，這是新日本無線執(zhí)行董事兼電子元器件事業(yè)部長村田隆明先生今年來訪時帶來的最新消息，同時在SAW濾波器、MOSFET、光電半導(dǎo)體器件、功率半導(dǎo)體器件和最新型運算放大器等各個方面都有了長足的進步。 記得去年七月份村田隆明來到本刊時，詳細介紹了新日本無線將向綜合電子元器件供應(yīng)商轉(zhuǎn)型的發(fā)展戰(zhàn)略，而今表明這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型已經(jīng)初步完成。 電子元器件業(yè)務(wù)已占贏收85% 縱觀新日本無線公司歷長達50多年的發(fā)展歷程，可以看到其業(yè)務(wù)構(gòu)成主要是獨特的模擬技術(shù)和微
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MEMS麥克風(fēng)成差異化利器 中低價手機用量增
- 微機電系統(tǒng)(MEMS)麥克風(fēng)正快速滲透中低價智慧型手機市場。智慧型手機制造為因應(yīng)平價高規(guī)發(fā)展風(fēng)潮，無不殫精竭慮透過改善語音輸入、控制及辨識功能，實現(xiàn)產(chǎn)品差異化;也因此，中低價智慧型手機內(nèi)建的MEMS麥克風(fēng)數(shù)量正快速增加。 Akustica執(zhí)行長暨總經(jīng)理HorstMuenzel表示，中低階智慧型手機制造商正擴大導(dǎo)入MEMS麥克風(fēng)，以提升產(chǎn)品競爭力。 Akustica執(zhí)行長暨總經(jīng)理HorstMuenzel表示，新穎的元件與功能通常都會與高階行動裝置一同亮相，而隨著時間過去，這些功能將會
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德國開發(fā)出可耐高溫的新型微芯片
- 在地熱生產(chǎn)和石油生產(chǎn)過程中溫度通常會超過200℃，高于設(shè)備所用的傳統(tǒng)微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統(tǒng)研究所(IMS)的研究人員近日開發(fā)出一種新型的高溫工藝，可以制造出超緊湊型微芯片，這種微芯片在高達300℃的溫度下也能正常工作。 傳統(tǒng)的CMOS芯片有時能耐受250℃的高溫，但其性能與可靠性會迅速下降。還有一種方法是對熱敏感的微芯片實施持續(xù)冷卻，但是很難實現(xiàn)。此外，市場上也存在專門的高溫芯片，但是尺寸過大(最小尺寸也達1微米)。 IMS開發(fā)的微芯片尺寸僅有0
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一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計簡介
- 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個三端設(shè)備。由于未來CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會遠低于現(xiàn)有標準，于是采用襯底驅(qū)動技術(shù)進行模擬電路設(shè)計就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅(qū)動MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場效應(yīng)晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
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