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          適合充電樁總線隔離，隔離電壓達到5000V的高速光耦
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　電動汽車產業(yè)在新能源背景下蓄勢待發(fā)，而充電樁、充電站的建設和管理影響著整個電動汽車的產業(yè)發(fā)展，是汽車商業(yè)化、產業(yè)化過程中的重要環(huán)節(jié)。充電樁實現(xiàn)對動力電池的快速、高效、安全、合理的電量補給以及更加人性化的設計是充電樁設計的基本原則要求。
　　目前充電樁主要涉及到的控制管理單元包括：主控單元、電壓控制單元、電流控制單元、溫度控制單元、顯示控制單元、電池控制單元、打印控制單元。作為《電動汽車充電系統(tǒng)技術規(guī)范》認定的標準充電控制網絡CAN-bus把各個控制單元連接起來，工作原理是：各個控制單元完成主控電壓、
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          • 關鍵字：
                        光耦  CAN                          
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          試看新能源汽車的“加油站”如何撬動千億級市場？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　2015年3月份，一份由國家能源局制定的草案引爆了整個新能源汽車圈，沒錯，這份眾人期盼已久的草案就是《電動汽車充電基礎設施建設規(guī)劃》。該草案的完成對于汽車充電設施制造商帶來說堪稱一場“及時雨”。草案提到2020年國內充換電站數量要達到1.2萬個，充電樁達到450萬個，這意味著一個千億級市場將在國內的充電行業(yè)產生。
　　充電樁通常被譽為新能源汽車的“加油站”，可以固定在墻壁或地面，根據不同的電壓等級為各種型號的電動汽車充電。如圖1所示，目前的充電樁可以提
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          • 關鍵字：
                        Cree  SiC                           
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          性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。
　　SiC與Si性能對比
　　簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
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          • 關鍵字：
                        SiC  MOSFET                          
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          如何評測CAN波形抖動是否違規(guī)？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要：總線通訊系統(tǒng)中，每個節(jié)點的信號質量都直接影響了整個總線的通訊質量，所有保證每個節(jié)點都具備高度一致的信號質量便顯得至關重要，該文將為大家細細道來，如果做好信號特征的好壞評估。
　　CAN總線設計規(guī)范對于CAN節(jié)點的差分電平位信號特征著嚴格的規(guī)定，如果節(jié)點的差分電平位信號特征不符合規(guī)范，則在現(xiàn)場組網后容易出現(xiàn)不正常的工作狀態(tài)，各節(jié)點間出現(xiàn)通信故障。具體要求如表 1所示，為測試標準“GMW3122信號特征標準”。
　　

 
　　表 1 GMW3122信號特
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          • 關鍵字：
                        CAN  CANScope                          
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          氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進一步提高功率器件性能。
　　

 
　　n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元
　　由碳化硅電力設備市場驅動，n型碳化硅基
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          如何確定CAN通信節(jié)點的波特率容忍度？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　汽車CAN總線設計規(guī)范對于CAN節(jié)點的波特率容忍度有著嚴格的規(guī)定，每個節(jié)點都必須具備一定的波特率容忍度，才能使節(jié)點組合到一起后，實現(xiàn)較好的通信性能，不至于很容易就出現(xiàn)總線通訊不正常，通訊錯誤增加。具體如表 1為汽車測試標準GMW3122位寬度容忍測試條件標準
　　

 
　　在表1所示的四種條件下，選擇被測DUT的適應條件。使用如表 2所示的報文對DUT進行發(fā)送，不出現(xiàn)錯誤幀則表示通過。
　　表2 測試報文
　　

 
　　所以每個廠家在產品加入現(xiàn)場的總線之前都需
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          • 關鍵字：
                        CAN  波特率                          
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          業(yè)界首款全SiC功率模塊問世：開關效率提升10倍
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　集LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術領域的領導地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機驅動開關和并網逆變器等應用。目前世強已獲授權代理SiC系列產品。

　　圖：CAS300M17BM2模塊外觀圖
　　世強代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模塊采用行業(yè)標準
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          • 關鍵字：
                        CREE  SiC                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。
　　SiC與Si性能對比
　　簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
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          • 關鍵字：
                        世強  SiC                          
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          如何進行CAN節(jié)點信號特征測試
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要：總線通訊系統(tǒng)中，每個節(jié)點的信號質量都直接影響了整個總線的通訊質量，所有保證每個節(jié)點都具備高度一致的信號質量便顯得至關重要，該文將為大家細細道來，如果做好信號特征的好壞評估。
　　CAN總線設計規(guī)范對于CAN節(jié)點的差分電平位信號特征著嚴格的規(guī)定，如果節(jié)點的差分電平位信號特征不符合規(guī)范，則在現(xiàn)場組網后容易出現(xiàn)不正常的工作狀態(tài)，各節(jié)點間出現(xiàn)通信故障。具體要求如表 1所示，為測試標準“GMW3122信號特征標準”。
　　表 1 GMW3122信號特征標準

　　在以往的測
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          • 關鍵字：
                        CAN                          
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          總想說點兒讓人拍案叫絕的設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　我一直不喜歡那些盲目崇拜老外的人，但有時還不得不對行業(yè)內的老外，佩服得五體投地。他們也會出錯，寫出一些亂七八糟的文章害人，但是確實有好多設計，實在精妙，讓人拍案叫絕。
　　前些日子看CAN總線，那么多設備掛接在單信息總線上，都想說話，還沒有領導，那不成一鍋粥了嗎?看懂就發(fā)現(xiàn)，原來它們給每個接入設備分配了ID號——有大小區(qū)分的身份證，靠二進制的01級別展開無限制的競爭，一下就實現(xiàn)了多個設備無領導情況下的單總線競爭占用?？赐旰螅业母杏X是美妙。這些洋鬼子，看來是聰明的，至少不比我
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          • 關鍵字：
                        CAN  AD629                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導通電阻65 mΩ
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術從而擴展了產品組合，能夠應對市場更新的設計挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領先于900V超結Si基MOSFET技術，擴大了終端系統(tǒng)的功率范圍，在更高溫度時仍能提供低導通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統(tǒng)的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺為電源轉換設計者提供了更多的創(chuàng)新空間，方便
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          • 關鍵字：
                        Cree  SiC                          
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          SiC功率模塊關鍵在價格，核心在技術
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日前，碳化硅(SiC)技術全球領導者半導體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產品目標用途包括感應加熱設備、電機驅動器、太陽能和風能逆變器、UPS和開關電源以及牽引設備等。
　　世強代理的CAS300M12BM2外殼采用行業(yè)標準的62mm x 106mm x 30mm，封裝則采用Half-Bridge Module，具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯(lián)等特點。漏極電流方面，連續(xù)通電時
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          • 關鍵字：
                        SiC  SiC                          
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          EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　根據Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現(xiàn)更高功率。
　　在最新出版的“GaN與SiC器件驅動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉型的巨大驅動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產業(yè)。Yole預期EV/HEV產業(yè)將持續(xù)大力推動Si
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          • 關鍵字：
                        SiC  GaN                          
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          矢野經濟研究所：SiC功率半導體將在2016年形成市場
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　矢野經濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調查結果。
　　

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　　全球功率半導體市場規(guī)模的推移變化和預測(出處：矢野經濟研究所) (點擊放大)
　　2013年全球功率半導體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩(wěn)步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。
　　預計2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設備領域的需求有望擴大。矢野經濟研究
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          • 關鍵字：
                        SiC  功率半導體                          
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          “MCU+”層出不窮，MCU未來如何演繹？
          
                                                            
            
                    	
          • 新的技術趨勢不斷出現(xiàn)，MCU+傳感器、MCU+無線、MCU+FPGA、大小核MCU……未來，MCU還將出現(xiàn)哪些新的應用?廠商將如何進行產品開發(fā)方能滿足需求?
　
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          • 關鍵字：
                        MCU  CAN                          
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