rds(on) 文章 最新資訊
無需鉗位電路實現(xiàn)動態(tài)導通電阻RDS(on)的測量技術(shù)
- _____動態(tài)導通電阻（RDS(on)）是電源轉(zhuǎn)換器設計人員理解電荷俘獲效應影響的重要參數(shù)。然而，關(guān)于其測量技術(shù)的知識體系仍相對較新。傳統(tǒng)的動態(tài)RDS(on)測量技術(shù)依賴于二極管鉗位電路，使示波器能夠以足夠的分辨率測量漏源電壓，而不會使示波器輸入過載。泰克為4、5和6系列MSO示波器推出的寬禁帶雙脈沖測試（WBG-DPT）測量軟件引入了一種新的軟件鉗位方法，采用獨特的雙探頭技術(shù)，無需使用鉗位電路。測量動態(tài)RDS(on)的挑戰(zhàn)動態(tài)RDS(on)是指FET在開關(guān)過程中導通時，漏極與源極端子之間的平均電阻。漏源
- 關(guān)鍵字： 動態(tài)導通電阻 RDS(on)測量 泰克 GaN Tektronix
如何在有限空間里實現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個好方法！
- SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導體技術(shù)的性能優(yōu)勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時減少了元件尺寸，并達成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應用中實現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。寬帶隙（WBG）半導體開關(guān)，如碳化硅共源共柵結(jié)構(gòu)FET（以下簡稱“SiC FET”）和SiC MOSFET的性能與其封裝密切相關(guān)。在純技術(shù)層面，納秒級的開關(guān)速度和較低的比導通電阻帶來非常低的損耗；在相同的芯片
- 關(guān)鍵字： Qorvo RDS
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
- 關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
英飛凌 650 V CoolSiC? MOSFET 系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平
- 近日，英飛凌科技股份公司進一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅(qū)動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其 600V/650V 細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務高級總監(jiān) Steffen Metzge r表示，“這凸顯了
- 關(guān)鍵字： RDS 柵極驅(qū)動器
安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品
- 奈梅亨，2020年2月19日：安世半導體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，它樹立了25 V、0.57 m?的新標準。該市場領(lǐng)先的性能利用安世半導體獨特的NextPowerS3技術(shù)實現(xiàn)，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。?很多應用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
- 關(guān)鍵字： 安世半導體 MOSFET RDS(on)
車載信息娛樂系統(tǒng)、車載多媒體的16個經(jīng)典設計案例
- 隨電子技術(shù)和智能終端設備的發(fā)展，作為其重要應用之一的汽車電子正呈現(xiàn)爆炸式的增長，其中車載信息娛樂系統(tǒng)和車載多媒體的設計向更注重用戶體驗的方向邁進，這里匯集16款經(jīng)典設計案例和大家分享車載信息娛樂系統(tǒng)設計方面的最新技術(shù)動向。
- 關(guān)鍵字： 車載信息娛樂系統(tǒng) 車載多媒體 無線音頻傳送 RDS
淺談RDS的功能設計及其在車載音響中的實現(xiàn)
- 調(diào)頻廣播(FM)一直在人們的娛樂生活中占有非常重要的地位，廣大從事消費電子設計的廠商都在諸如MP3、智能手機、PDA等產(chǎn)品中嵌入FM部分。而RDS數(shù)據(jù)廣播系統(tǒng)(Radio Data System)正是利用調(diào)頻立體聲中的副載波，在傳輸音
- 關(guān)鍵字： RDS 車載音響 中的實現(xiàn)
RDS廣播系統(tǒng)的設計和應用研究
- 一、課題名稱及來源近年來，世界上出現(xiàn)了一些數(shù)據(jù)系統(tǒng)廣播電臺。在歐洲稱為RDS(Radio Data System)，即無線電數(shù)據(jù)系統(tǒng)。在美國稱為RBDS(Radio Broadcast Data System)，即無線電廣播數(shù)據(jù)。無線數(shù)據(jù)廣播系統(tǒng)，是指在
- 關(guān)鍵字： 研究 應用 設計 廣播系統(tǒng) RDS
理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
- 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立，而在
- 關(guān)鍵字： MOSFET RDS ON 溫度系數(shù)
恩智浦半導體改善手機的FM RDS接收功能
- 新型 IC具有更高的性能，更小的體積，更低的功耗和成本 恩智浦半導體（NXP Semiconductors，前身為飛利浦半導體），今天推出了一款新型芯片TEA5766。這款芯片可以使手機制造商在新產(chǎn)品中加入具有RDS功能的FM radio。RDS（無線數(shù)據(jù)系統(tǒng)）早在90年代初期開始就已經(jīng)成為歐洲汽車收音機的標準功能，它能為用戶提供包括電臺名稱、歌曲信息在內(nèi)的電臺節(jié)目相關(guān)信息，并可設置為自動調(diào)回交通和新聞節(jié)目的狀態(tài)。 TEA5766芯片的尺寸只有它前身TEA5764
- 關(guān)鍵字： FM RDS 恩智浦半導體 接收功能 手機 通訊 網(wǎng)絡 無線 消費電子 消費電子
| 共15條 1/1 1 |
rds(on)介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條rds(on)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對rds(on)的理解，并與今后在此搜索rds(on)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對rds(on)的理解，并與今后在此搜索rds(on)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
rds(on)資料下載
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473