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mos集成電路
mos集成電路介紹
以金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)晶體管為主要元件構(gòu)成的集成電路 。簡(jiǎn)稱(chēng)MOSIC 。1964年研究出絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。直到1968年解決了MOS器件的穩(wěn)定性，MOSIC得到迅速發(fā)展。與 雙極型集成電路 相比，MOSIC具有以下優(yōu)點(diǎn)：①制造結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，隔離方便。②電路尺寸小、功耗低適于高密度集成。③MOS管為雙向器件，設(shè)計(jì)靈活性高。④具有動(dòng)態(tài)工作獨(dú)特的能力。⑤溫度特性好。其缺點(diǎn)是速度較 [ 查看詳細(xì) ]
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