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聯(lián)華電子宣布推出40奈米SST嵌入式快閃記憶體製程
- 聯(lián)華電子今( 21日)宣布，該公司推出40奈米結合Silicon Storage Technology(SST)嵌入式SuperFlash?非揮發(fā)性記憶體的製程平臺。新推出的40nm奈米SST嵌入式快閃記憶，較量產的55奈米單元尺寸減少20%以上，并使整體記憶體面積縮小了20-30%。東芝電子元件&存儲產品公司已開始評估其微處理器(MCU)晶片于聯(lián)華電子40奈米SST技術平臺的適用性。 東芝電子元件&存儲產品公司混合信號晶片部門副總松井俊也表示：「我們期
- 關鍵字： 聯(lián)華電子 40奈米
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