3nm 文章 最新資訊
外媒：臺積電今年10月份開始安裝3nm芯片生產(chǎn)設(shè)備
- 據(jù)國外媒體報道，在芯片制造工藝方面走在行業(yè)前列的芯片代工商臺積電，在2018年率先量產(chǎn)7nm芯片之后，今年將大規(guī)模量產(chǎn)5nm芯片，外媒此前的報道顯示，臺積電今年4月份就將開始為相關(guān)客戶大規(guī)模生產(chǎn)5nm芯片。在7nm投產(chǎn)已兩年、5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，臺積電也將注意力放在了更先進(jìn)的3nm工藝上。在最新的報道中，外媒就提到了臺積電3nm工藝方面的消息，其表示今年10月份，臺積電就將開始安裝生產(chǎn)3nm芯片的設(shè)備。3nm工藝是5nm之后，芯片制造工藝的一個重要節(jié)點(diǎn)。在2019年第四季度的財報分析師電話會
- 關(guān)鍵字： 臺積電 3nm
面向3nm及以下工藝，ASML新一代EUV光刻機(jī)曝光
- 很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時,臺積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當(dāng)中。而對于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機(jī)才能實現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng)EUV光刻機(jī),那就是荷蘭的ASML。很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時,臺積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當(dāng)中。而對于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機(jī)才能實現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng)EUV光刻機(jī),那就是荷蘭的ASML。目前ASML出貨的EUV光刻機(jī)主要是NXE:340
- 關(guān)鍵字： 3nm EUV
Intel最新制程路線圖曝光：10nm+++得到證實、2029年上馬1.4nm
- 原文流傳年的幻燈片并非出自Intel官方，而是荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML在Intel原有幻燈片基礎(chǔ)上自行修改的，5nm、3nm、2nm、1.4nm規(guī)劃均不是出自Intel官方，不代表Intel官方路線圖。Intel官方原始幻燈片如下：在IEDM（IEEE國際電子設(shè)備會議上），有合作伙伴披露了一張?zhí)柗Q是Intel 9月份展示的制造工藝路線圖，14nm之后的節(jié)點(diǎn)一覽無余，甚至推進(jìn)到了1.4nm。讓我們依照時間順序來看——目前，10nm已經(jīng)投產(chǎn)，7nm處于開發(fā)階段，5nm處于技術(shù)指標(biāo)定義階段，3nm處于探索、先導(dǎo)階
- 關(guān)鍵字： 英特爾 10nm 7nm 5nm 3nm
三星明年完成3nm GAA工藝開發(fā) 性能大漲35%
- 盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點(diǎn)的進(jìn)度都會比臺積電要晚一些，導(dǎo)致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經(jīng)把目標(biāo)放在了未來的3nm工藝上，預(yù)計2021年量產(chǎn)。在3nm節(jié)點(diǎn)，三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
- 關(guān)鍵字： CPU處理器，3nm
臺積電：3nm工藝進(jìn)展順利 已有客戶參與
- 如今在半導(dǎo)體工藝上，臺積電一直十分激進(jìn)，7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn)，5nm馬上就來，3nm也不遠(yuǎn)了。臺積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會議上透露，臺積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利，已經(jīng)有早期客戶參與進(jìn)來，與臺積電一起進(jìn)行技術(shù)定義，3nm將在未來進(jìn)一步深化臺積電的領(lǐng)導(dǎo)地位。目前，3nm工藝仍在早期研發(fā)階段，臺積電也沒有給出任何技術(shù)細(xì)節(jié)，以及性能、功耗指標(biāo)，比如相比5nm工藝能提升多少，只是說3nm將是一個全新的工藝節(jié)點(diǎn)，而不是5nm的改進(jìn)版。臺積電只是說，已經(jīng)評估了3n
- 關(guān)鍵字： 臺積電 3nm
三星已成全球芯片霸主，規(guī)劃芯片制程路線：2022年要上3nm
- 5月28日，三星電子在位于美國的 2018 年三星半導(dǎo)體代工論壇上，公布其全面的芯片制程技術(shù)路線圖，目前已經(jīng)更新至 3nm 工藝。 據(jù)介紹，三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。以往三星的制程工藝都會分為 LPE 和 LPP 兩代，不過 7nm 算是個例外，沒有 LPE。之前已公布，三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產(chǎn)，2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝?！ ∪潜硎荆?7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
- 關(guān)鍵字： 三星 芯片 3nm
臺積電計劃2022年量產(chǎn)3nm芯片
- 臺積電在8月14日宣布，公司董事會已批準(zhǔn)了一項約45億美元的資本預(yù)算。未來將會使用該預(yù)算來修建新的晶圓廠，而現(xiàn)在中國臺灣媒體報道稱，臺積電計劃2020年開始建造3nm制程的晶圓廠，希望能夠在2022年實現(xiàn)3nm制程芯片的量產(chǎn)?！ 「鶕?jù)臺灣《經(jīng)濟(jì)日報》的報道，臺灣相關(guān)部門通過了「臺南科學(xué)園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計劃環(huán)差案」，這項議案主要是為了臺積電全新的晶圓制造廠而打造。 據(jù)悉，臺積電計劃2020年開始建造最新的3nm制程的晶圓廠，同時最快可以在2022年實現(xiàn)對于3nm制程芯片的量產(chǎn)。目前臺積
- 關(guān)鍵字： 臺積電，3nm，芯片
aveni S.A. 運(yùn)用創(chuàng)新電鍍化學(xué)，將銅互連擴(kuò)展至5nm及以下節(jié)點(diǎn)以實現(xiàn)BEOL集成
- 為2D互連和3D硅穿孔封裝提供顛覆性濕沉積技術(shù)與化學(xué)材料的開發(fā)商與生產(chǎn)商aveni S.A.今日宣布，其已獲得成果可有力支持在先進(jìn)互連的后段制程中，在5nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)可繼續(xù)使用銅?！ 钢荡算~集成20周年之際，我們的研究結(jié)果證實了IBM研究員Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主題演講中所表達(dá)的意見：『銅集成可持續(xù)使用』?！筧veni執(zhí)行長Bruno Morel指出?！ ∮捎谄骷獫M足(和創(chuàng)
- 關(guān)鍵字： aveni 3nm
3nm介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3nm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3nm的理解，并與今后在此搜索3nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3nm的理解，并與今后在此搜索3nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
3nm專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473