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          3d 文章 最新資訊

          西門子推軟件解決方案 加快簡化2.5D/3D IC可測試性設(shè)計(jì)

          • 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案,旨在幫助客戶加快和簡化基于2.5D和3D架構(gòu)的新一代集成電路(IC)關(guān)鍵可測試性設(shè)計(jì)(DFT)。隨著市場對(duì)于更小巧、更節(jié)能和更高效能的IC需求日益提升,IC設(shè)計(jì)界也面臨著嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。下一代組件正傾向于采用復(fù)雜的2.5D和3D架構(gòu),以垂直(3D IC)或并排(2.5D)方式連接多個(gè)晶粒,使其能夠作為單一組件運(yùn)作。但是,這種做法為芯片測試帶來巨大的挑戰(zhàn),因?yàn)榇蟛糠謧鹘y(tǒng)的測試方法都是基于常規(guī)的2D流程。為了解決這些挑戰(zhàn),西門子推出Tess
          • 關(guān)鍵字: 西門子  2.5D  3D  可測試性設(shè)計(jì)   

          高手在民間 世界技能大賽特別賽中國已奪8金 位居第一

          •   10月17日,2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區(qū)閉幕式舉行,中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個(gè)優(yōu)勝獎(jiǎng),實(shí)現(xiàn)多個(gè)項(xiàng)目上金牌和獎(jiǎng)牌零的突破?! ”敬翁貏e賽韓國賽區(qū)比賽于10月12日開幕,共舉行8個(gè)項(xiàng)目的比賽,吸引了來自34個(gè)國家和地區(qū)的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個(gè)項(xiàng)目的角逐?! ∑渲?,來自廣州市工貿(mào)技師學(xué)院的選手楊書明獲得移動(dòng)應(yīng)用開發(fā)項(xiàng)目金牌,成為本次大賽該新增項(xiàng)目首個(gè)金牌獲得者?! 碜陨钲诩紟煂W(xué)院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數(shù)字游戲藝術(shù)項(xiàng)目、云計(jì)算項(xiàng)目金牌,實(shí)現(xiàn)我國在這兩個(gè)項(xiàng)目上
          • 關(guān)鍵字: 世界技能大賽  3D  云計(jì)算  

          AOI+AI+3D 檢測鐵三角成形

          • 疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問題,加上少量多樣需求成趨勢,迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型,走向更自動(dòng)化、數(shù)字化的智能化方向。因此,各產(chǎn)業(yè)對(duì)自動(dòng)光學(xué)檢測(AOI)技術(shù)的需求更為殷切。疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問題,加上少量多樣需求成趨勢,迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型,走向更自動(dòng)化、數(shù)字化的智能化方向。導(dǎo)入自動(dòng)化及AI的過程中,傳統(tǒng)人力逐漸被取代,也改變產(chǎn)線人員配置的傳統(tǒng)生態(tài),其中,可以確保產(chǎn)線及產(chǎn)品質(zhì)量的自動(dòng)檢測儀器不僅發(fā)揮精準(zhǔn)有效的優(yōu)勢,還能針對(duì)缺陷或瑕疵及時(shí)修復(fù)、舍棄,降低不必要的時(shí)間成本與人力成本,快速穩(wěn)定且
          • 關(guān)鍵字: 自動(dòng)光學(xué)檢測  AOI  AI  3D  檢測鐵三角  

          西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程

          • 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作,面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù),提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗(yàn)證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶提供此項(xiàng)新流程。通過在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù),客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
          • 關(guān)鍵字: 西門子  聯(lián)華電子  3D IC  混合鍵合流程  

          長江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存,加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

          • 近日,長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡稱“長江存儲(chǔ)”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域,以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場,將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示 :“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  3D NAND  

          長江存儲(chǔ)SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s

          • 這兩年,長江存儲(chǔ)無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤,都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài),從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日,長江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景,而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺(tái)。長江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  3D NAND  

          存儲(chǔ)芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國廠商只花了6年

          • 近日,有消息稱,國內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長江存儲(chǔ)已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初,會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了??梢姡瑖a(chǎn)存儲(chǔ)芯片,在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  3D NAND  

          中國芯片傳來捷報(bào),長江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破,正式打破三星壟斷

          • 中國芯片傳來捷報(bào),長江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破,正式打破韓國三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn),預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲(chǔ)一直是我國優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過了96層,直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  3D NAND  

          國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破,長江存儲(chǔ)192層閃存送樣,預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

          • 頭一段時(shí)間,有媒體報(bào)道稱,長江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣,預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧3D NAND閃存,并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,長江存儲(chǔ)跳過了96層,直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  3D NAND  

          imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案 推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)

          • 比利時(shí)微電子研究中心(imec)于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)(VLSI Symposium),首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案,利用奈米硅穿孔(nTSV)結(jié)構(gòu),將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌(buried power rail)上。微縮化的鰭式場效晶體管(FinFET)透過這些埋入式電源軌(BPR)實(shí)現(xiàn)互連,性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔(nTSV)與埋入式電源軌(BPR)連接至晶圓背面,與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
          • 關(guān)鍵字: imec  晶背供電  邏輯IC  布線  3D IC  

          英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車用3D圖像傳感器

          • 3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用,有助于打造創(chuàng)新的汽車智能座艙,支持新服務(wù)的無縫接入,并提高被動(dòng)安全。它們對(duì)于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評(píng)級(jí)要求,以及實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)與專注3D ToF(飛行時(shí)間)系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德(pmd)合作,開發(fā)出了第二代車用REAL3?圖像傳感器,該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn),具有更高的分辨率。         
          • 關(guān)鍵字: 3D  圖像傳感器  

          英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開發(fā)3D深度傳感技術(shù),賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用

          • 增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟惖纳詈凸ぷ鞣绞?。預(yù)計(jì)今年下半年,AR領(lǐng)域的開拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級(jí)應(yīng)用而設(shè)計(jì),將成為市場上最具沉浸感的企業(yè)級(jí)AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計(jì),擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強(qiáng)大的計(jì)算能力,能夠讓操作人員更高效地開展工作,幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程,并支持員工進(jìn)行無縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX:
          • 關(guān)鍵字: 3D  s深度傳感  

          3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎?

          • 5月25日,有消息傳出,華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限,DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前,DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示,三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨;美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么,10nm是DRAM工藝的極限嗎?在回答這個(gè)問題之前,我
          • 關(guān)鍵字: DRAM  3D DRAM  華為  三星  美光  制程  納米  

          NVIDIA透過人工智能 將2D平面照片轉(zhuǎn)變?yōu)?D立體場景

          • 當(dāng)人們?cè)?5年前使用寶麗來 (Polaroid ) 相機(jī)拍攝出世界上第一張實(shí)時(shí)成像照片時(shí),便是一項(xiàng)以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫面的創(chuàng)舉。時(shí)至今日,人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉(zhuǎn)過來,亦即在幾秒鐘內(nèi)將一組靜態(tài)影像變成數(shù)字 3D 場景。 NVIDIA Research 透過人工智能,在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場景這項(xiàng)稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過程,利用 AI 來預(yù)估光線在真實(shí)世界中的表現(xiàn),讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
          • 關(guān)鍵字: 3D  CPU  GPU  NVIDIA  

          適用于 TMAG5170 SPI 總線接口、高精度線性 3D 霍爾效應(yīng)傳感器的評(píng)估模塊

          • TMAG5170UEVM 是一個(gè)易于使用的平臺(tái),用于評(píng)估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評(píng)估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面 (GUI),用于讀取和寫入寄存器以及查看和保存測量結(jié)果。還包括一個(gè) 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊,用于通過單個(gè)器件測試角度測量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫入器件寄存器以及查看和保存測量結(jié)果· 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過常見的 micro-USB 連接器充電
          • 關(guān)鍵字: 精密數(shù)模轉(zhuǎn)換器  霍爾效應(yīng)傳感器  3D  
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          3d介紹

          3D——三維圖形    3D是three-dimensional的縮寫,就是三維圖形。在計(jì)算機(jī)里顯示3d圖形,就是說在平面里顯示三維圖形。不像現(xiàn)實(shí)世界里,真實(shí)的三維空間,有真實(shí)的距離空間。計(jì)算機(jī)里只是看起來很像真實(shí)世界,因此在計(jì)算機(jī)顯示的3d圖形,就是讓人眼看上就像真的一樣。人眼有一個(gè)特性就是近大遠(yuǎn)小,就會(huì)形成立體感。計(jì)算機(jī)屏幕是平面二維的,我們之所以能欣賞到真如實(shí)物般的三維圖像,是因?yàn)轱@示在計(jì) [ 查看詳細(xì) ]

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