3d-nandflash 文章 最新資訊
2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐
- 2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營收成長2%，而前十大半導(dǎo)體業(yè)者的營收則成長2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個別產(chǎn)品類型來看，DRAM與NANDFlash是2016年營收成長動能最強的產(chǎn)品，成長幅度超過30%;車用半導(dǎo)體的市場規(guī)模也比2015年成長9.7%。 IHS預(yù)期，由于市場需求強勁，2017年內(nèi)存市場的營收規(guī)?？赏賱?chuàng)新高，車用半導(dǎo)體市場的規(guī)模則有機會成長超過10%。整體來說，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長。
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三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產(chǎn)
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。 新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器?？扉W存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設(shè)備。 市調(diào)機構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲
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迎需求熱潮！三星或追投西安3D NAND廠43億美元
- 據(jù)海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。 Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費用。 三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
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ARM開發(fā)步步深入之NandFlash 4KB突圍
- 實驗?zāi)康模和黄?KB的Steppingstone存儲空間限制，讀取NandFlash中4KB后的代碼實現(xiàn)“點燈大法”，借此掌握NandFlash的操作?！ 嶒灜h(huán)境及說明：恒頤S3C2410開發(fā)板H2410。H2410核心板的NandFlash選用的是三星片上(SOP)K9F1208U0M，該NandFlash容量為64MB?！ 嶒炈悸罚洪_發(fā)板上電啟動后，自動將NandFlash開始的4K數(shù)據(jù)復(fù)制到SRAM中，然后跳轉(zhuǎn)到0地址開始執(zhí)行。然后初始化存儲控制器SDRAM，調(diào)用NandFlash讀函數(shù)操作
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英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴重推遲
- 去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當(dāng)時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴重推遲
- 去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當(dāng)時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧
- 摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預(yù)
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2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存
- 由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓
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美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析
- 美光公司日前開始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動器(HDD)改善了90倍，據(jù)稱也更加耐用。 Crucial SSD的售價為200美元，這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項，而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設(shè)備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰，不過必須承認的
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