3d nand 文章最新資訊

力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元

　　“經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)畫(huà)」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計(jì)畫(huà);而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺(tái)灣存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)一軍。力晶董事長(zhǎng)黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術(shù)，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟(jì)部”所要求技術(shù)扎根條件，未來(lái)力晶
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鎂光34nm企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)

　　鎂光34nm制程企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進(jìn)入試樣階段，MLC部分的存儲(chǔ)密度可達(dá)32Gb，寫(xiě)入壽命達(dá)3萬(wàn)次，是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲(chǔ)密度為16Gb，寫(xiě)入壽命同樣為3萬(wàn)次，是普通SLC產(chǎn)品的3倍. 　　鎂光這次開(kāi)發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface)，數(shù)據(jù)傳輸率最高可達(dá)200MB/S，而且可以采用閃存封裝內(nèi)部集成多片閃存芯片的封裝方案。　　鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
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從CEATEC看2010電子大勢(shì)(四)

液晶電視與電漿電視在高畫(huà)質(zhì)、大屏幕和薄型化的競(jìng)賽仍在發(fā)生，但上文中提到，日本電視機(jī)大廠在今年的CEATEC中，紛紛揭橥明年將邁向Full HD 3D的電視世代。本文中將進(jìn)一步解析他們將如何做到對(duì)3D電視的承諾，以及未來(lái)的發(fā)展方向
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市場(chǎng)供貨吃緊，NAND閃存合約價(jià)持續(xù)上揚(yáng)

　　研究機(jī)構(gòu)集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價(jià)上漲約8%~10%，主要原因是多數(shù)供貨商已接獲部份電子系統(tǒng)廠客戶(hù)10月到11月的旺季長(zhǎng)單，同時(shí)近期記憶卡客戶(hù)的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場(chǎng)供貨吃緊，在賣(mài)方主導(dǎo)市場(chǎng)下，10月上旬NAND Flash合約價(jià)持續(xù)地上揚(yáng)。　　　　16Gb MLC NAND Flash合約價(jià)走勢(shì)圖　　集邦科技指出，在10月到11月，多數(shù)NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
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3M推出新型3D光學(xué)膜，增強(qiáng)手持設(shè)備立體顯示功能

　　近日，在韓國(guó)國(guó)際電子展上，全球創(chuàng)新巨頭 3M 公司展示了其全新研制的場(chǎng)序 3D 光學(xué)膜，該產(chǎn)品的面試實(shí)現(xiàn)了無(wú)需佩戴 3D 眼鏡，就可以在手機(jī)，游戲機(jī)及其他手持設(shè)備中顯示真正的三維立體影像。　　“最近幾年，隨著類(lèi)似觸摸屏和流視頻等新技術(shù)應(yīng)用，顯著地提升了移動(dòng)設(shè)備的功能。3M 在推動(dòng)這些新技術(shù)的應(yīng)用中功不可沒(méi)，而且我們正在使 3D 立體顯示等新一代應(yīng)用功能成為現(xiàn)實(shí)”。3M 光學(xué)產(chǎn)品部全球副總裁 Jim Bauman 先生說(shuō)，“我們的 3D 光學(xué)膜解決方案通過(guò)為用戶(hù)提
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從CEATEC看2010電子大勢(shì)(三)

從手機(jī)到智能行動(dòng)上網(wǎng)設(shè)備，再更大的尺寸則是英特爾與微軟主導(dǎo)的PC、NB市場(chǎng)。英特爾這次在CEATEC也有一個(gè)展示區(qū)，展示各家的筆電、MID等產(chǎn)品，不過(guò)，由于產(chǎn)品的成熟度已高，比較沒(méi)有特殊的新意
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NAND Flash缺翻天　三星推品牌記憶卡與民爭(zhēng)食？

　　2009年NAND Flash缺貨缺翻天，三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余，不但對(duì)飽受缺貨之苦的存儲(chǔ)器模塊廠袖手旁觀，還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產(chǎn)品來(lái)?yè)屖晨蛻?hù)飯碗，到底葫蘆里是賣(mài)什么藥?業(yè)界相當(dāng)好奇!而原本應(yīng)該站在反對(duì)立場(chǎng)的大客戶(hù)創(chuàng)見(jiàn)，這次卻成為三星自有品牌記憶卡的代理商，究竟整起故事的來(lái)龍去脈為何?連同業(yè)都有霧里看花之感，只能說(shuō)三星2009年真的是新人事、新作風(fēng)，每一步都讓業(yè)界跌破眼鏡! 　　與三星做生意的客戶(hù)都知道，2009年不論在DRAM或是N
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NAND Flash強(qiáng)勢(shì)不墜模塊廠9月?tīng)I(yíng)收將再寫(xiě)新高

　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋(píng)果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲(chǔ)器的帶動(dòng)，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元，存儲(chǔ)器模塊廠9月?tīng)I(yíng)收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高，同時(shí)第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月?tīng)I(yíng)收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見(jiàn)也受惠歐洲市場(chǎng)買(mǎi)氣回籠，9月預(yù)計(jì)可達(dá)新臺(tái)幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月?tīng)I(yíng)收預(yù)估可達(dá)35億~40億元，勁永9月?tīng)I(yíng)收也將維持高檔不墜。　　NAND Flash現(xiàn)貨
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三星DRAM芯片停止對(duì)臺(tái)供貨

　　三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)上任，營(yíng)運(yùn)策略出現(xiàn)不少重大轉(zhuǎn)變，將影響存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對(duì)臺(tái)銷(xiāo)售DRAM芯片，一律只銷(xiāo)售DRAM模塊。存儲(chǔ)器廠表示，三星策略明顯側(cè)重OEM市場(chǎng)，減少與現(xiàn)貨客戶(hù)合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費(fèi)性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對(duì)于DRAM模塊需求強(qiáng)勁，三星供應(yīng)臺(tái)灣DRAM模塊數(shù)量大減，市場(chǎng)日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價(jià)。　　存儲(chǔ)器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
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NAND Flash強(qiáng)勢(shì)不墜　模塊廠9月?tīng)I(yíng)收將再寫(xiě)新高

　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋(píng)果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲(chǔ)器的帶動(dòng)，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元，存儲(chǔ)器模塊廠9月?tīng)I(yíng)收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高，同時(shí)第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月?tīng)I(yíng)收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見(jiàn)也受惠歐洲市場(chǎng)買(mǎi)氣回籠，9月預(yù)計(jì)可達(dá)新臺(tái)幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月?tīng)I(yíng)收預(yù)估可達(dá)35億~40億元，勁永9月?tīng)I(yíng)收也將維持高檔不墜。　　NAND Flash現(xiàn)貨
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數(shù)據(jù)中心和企業(yè)IT需求將推動(dòng)SSD增長(zhǎng)六倍

　　據(jù)iSuppli 公司，雖然2009 年面向筆記本電腦的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)銷(xiāo)售因?yàn)閮?nèi)存價(jià)格飛漲而受挫，但企業(yè)市場(chǎng)對(duì)彌補(bǔ)上述領(lǐng)域的疲軟表現(xiàn)是綽綽有余，從而推動(dòng)今年整體SSD 市場(chǎng)的營(yíng)業(yè)收入將增長(zhǎng)六倍。　　第二季度NAND 閃存的成本大幅上升，引起SSD 價(jià)格跳漲，使其與硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)相比缺乏競(jìng)爭(zhēng)力，并影響其在筆記本電腦中的普及。 NAND 閃存是SSD 中的關(guān)鍵部分，約占其價(jià)值的90%。然而，對(duì)于尋求擴(kuò)展功能和降低整體功耗的企業(yè)數(shù)據(jù)中心來(lái)說(shuō)，SSD 仍然是一個(gè)具有吸引力的選擇。　　由于企業(yè)
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后摩爾定律時(shí)代

知名物理學(xué)大師費(fèi)曼早在多年前就預(yù)測(cè)：「其實(shí)下面還有許多空間」，英特爾科學(xué)家摩爾也據(jù)此提出晶圓效能與密度每18個(gè)月就會(huì)擴(kuò)增一倍的「摩爾定律」。雖然多年來(lái)半導(dǎo)體工業(yè)隨著摩爾定律而蓬勃發(fā)展
關(guān)鍵字： 3D SiP Intel NXP 英特爾

IC資本支出依然謹(jǐn)慎供應(yīng)收緊價(jià)格上漲

　　分析師指出，資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場(chǎng)供應(yīng)收緊，價(jià)格可能隨之上漲，但可能會(huì)發(fā)生其他不可預(yù)料的結(jié)果。　　IC Insights總裁Bill McClean稱(chēng)，今年半導(dǎo)體資本支出在銷(xiāo)售額中所占的比例降至12%，創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)歷了嚴(yán)重衰退后，對(duì)資本投入依然比較謹(jǐn)慎。　　“我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說(shuō)道，“我們從來(lái)沒(méi)有遇到過(guò)這種情況。” 　　資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
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東芝Sandisk計(jì)劃明年啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片

　　據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計(jì)劃要在明年下半年開(kāi)始采用20nm級(jí)別制程來(lái)量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能，直至達(dá)到20萬(wàn)片的產(chǎn)能水平。　　東芝公司最近已經(jīng)開(kāi)始32nm制程3bpc(每存儲(chǔ)單元3bit數(shù)據(jù))閃存芯片的量產(chǎn)，按原先的計(jì)劃，合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產(chǎn)量應(yīng)在今年底前達(dá)到總產(chǎn)量的50%左右，不過(guò)按目前的產(chǎn)能規(guī)劃來(lái)看，實(shí)際的量產(chǎn)實(shí)施時(shí)間看來(lái)已經(jīng)會(huì)有所拖延。　　另一方面，對(duì)手In
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NAND Flash缺貨潮11月前無(wú)解　大廠產(chǎn)能全被包下

　　蘋(píng)果意外在9月初向NAND Flash大廠下訂單，導(dǎo)致NAND Flash供給大幅吃緊，預(yù)計(jì)在2009年11月底之前，缺貨情況仍無(wú)解?，F(xiàn)在三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)產(chǎn)能都被蘋(píng)果包下來(lái)，另外存儲(chǔ)器模塊龍頭大廠金士頓(Kingston)則是包下英特爾70%的NAND Flash產(chǎn)能，雙方成為長(zhǎng)期合作伙伴，顯示未來(lái)全球4大NAND Flash廠能釋出的產(chǎn)能相當(dāng)少，缺貨潮將延燒到11月。　　存儲(chǔ)器業(yè)者表示，這次NAND Flash缺貨潮相
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