- 鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產品線，一個原生6Gbps的SATA設備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發(fā)布。
這款SSD具體型號RealSSD C300，2.5寸外形設計，包含128和256GB兩種型號，讀取速度高達355MB/s,寫入速度達215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。預計將面向北美、英國和歐洲大陸發(fā)布，128GB版售價大約450美元。
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鎂光 34納米 NAND SSD
- 美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結合，生產出了市場上最先進的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產品以智能手機、個人媒體播放器和新興的移動互聯(lián)網設備為應用目標。較小的外形尺寸、低成本和節(jié)能是這類應用的核心特色。
美光公司目前向客戶推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產品，預計于2010年初投入量產。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
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美光 NAND 34納米 智能手機
- 三星表示,PCM(相變內存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢可能讓這種內存替代現有的移動存儲形式.
多年來,半導體廠商一直在致力研究PCM內存,不過,它一直處于試驗階段.PCM內存當中包含有類似玻璃的材料,當其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會發(fā)生改變,晶體的變化對應計算上的0,1狀態(tài),從而可以用于數據存儲.
一直以來,包括英特爾和英飛凌在內的很多公司都在從PCM的研發(fā),他們試圖將這種存儲器的體積減小,增存儲加速度與容量.支持PCM的人士認為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存.
三星半導體
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三星 PCM 34納米 10納米 12納米
- 英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤的高數據容量閃存技術。這兩家公司稱，他們已經開發(fā)出了基于34納米技術的NAND閃存芯片，存儲容量為每個儲存單元3比特。這個存儲密度高于目前標準的每個存儲單元2比特的技術，從而將實現高容量的優(yōu)盤。
美光NAND閃存營銷經理Kevin Kilbuck說，雖然在一個存儲單元加入更多比特的數據能夠提供更大的數據密度，但是，這種做法沒有基于更標準的技術的閃存那樣可靠。因此，每個儲存單元3比特的芯片最初將僅限于應用到優(yōu)盤。優(yōu)盤沒有要求固態(tài)硬盤的那種數據存儲可靠性。固
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英特爾 NAND 34納米
- 海力士(Hynix)NAND Flash產業(yè)之路命運多舛，之前48納米制程量產不順，加上減產之故，幾乎是半退出NAND Flash產業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產順利，才開始活躍起來，日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應鏈，獲得認證通過，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」!
海力士2008年下半開始，NAND Flash出貨量變得相當少，一方面是48納米制程量產不順，另一方面是NAND Flash價格崩盤，導致虧損
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Hynix NAND 48納米 41納米 34納米 存儲器
- 英特爾公司已經開始采用更為先進的34納米生產流程制造其領先的NAND閃存固態(tài)硬盤(SSD)。SSD是電腦硬盤的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進的工程設計，34 納米產品將使SSD的價格(與一年前推出產品時的價格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費者帶來實惠。
多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺式機，有80GB和160GB兩個版本可供選擇。SSD是電腦中的數據存儲設備。由于SSD不包括任何移動部件，因此與傳統(tǒng)硬盤(
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- 隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程NAND Flash產品，應戰(zhàn)三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術領先，近期英特爾和美光在價格策略上，更是上演絕地大反攻計畫，以超低價策略搶食三星地盤。下游廠商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價差相當驚人，而此策略亦讓英特爾陣營近期NAND Flash產品詢問度大增，三星在現貨市場活絡度則降低。
英特爾
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Intel 34納米 NAND 42納米
- 市調機構InSpectrum認為,盡管降低報價但是仍很難促進存儲器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價繼續(xù)因市場需求疲軟而下降。
原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價開始利潤有所好轉。
由于供應商擔心是持久力問題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿易中間商為了促銷給出更大的折扣,導致同樣在零售市場也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價格趨勢在零售價基礎上有點小的波動。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價
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- 有傳言稱英特爾將于兩周后推新款固態(tài)硬盤。
據消息人士稱，新款固態(tài)硬盤將使用由英特爾和美光聯(lián)合開發(fā)的34納米NAND閃存芯片，容量高達320GB。工藝越先進，固態(tài)硬盤的存儲密度越高，成本越低。固態(tài)硬盤將能夠取代大多數筆記本電腦中的傳統(tǒng)硬盤。
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- 近來謠言越來越厲，市場盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程NAND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報道稱英特爾Chipzilla芯片實驗室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過時間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現的時間不久，其成本高，容量有限，有時候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出，固態(tài)硬盤的價格將大大降低，容量也將達到320GB左右。
固態(tài)硬盤的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
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34納米介紹
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