202509 文章 最新資訊
適用于噪聲敏感型應(yīng)用的快速瞬態(tài)負電壓軌
- 本文針對具有快速瞬態(tài)變化和噪聲敏感特性的負電壓軌應(yīng)用，提出了一種反相降壓-升壓解決方案。其中采用了一款單芯片降壓轉(zhuǎn)換器，在反相降壓-升壓(IBB)拓撲結(jié)構(gòu)中融入了Silent Switcher 3(SS3)技術(shù)。此解決方案經(jīng)過了全面測試，能夠滿足多項關(guān)鍵要求，包括負載瞬態(tài)峰峰值電壓最小化、低頻噪聲最低化、有效縮小大容量輸出電容和電感尺寸、保持高效率運行。得益于對SS3技術(shù)高速性能的充分發(fā)揮，此解決方案的整體性能得以進一步優(yōu)化升級。
- 關(guān)鍵字： 202509 噪聲敏感 快速瞬態(tài)負電壓軌 負電壓電源
SiC MOSFET 界面陷阱檢測升級：Force-I QSCV 方法詳解
- 電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導(dǎo)體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測量電流的準(zhǔn)靜態(tài)方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大易導(dǎo)致結(jié)果不穩(wěn)定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入?Force-I QSCV 技術(shù)，通過施加電流并測量電壓與時間來推導(dǎo)電容，獲得更穩(wěn)定可靠的數(shù)據(jù)。Force-I QSCV 技術(shù)在 SiC 功率 MOS 器件上體現(xiàn)出多項優(yōu)勢。比如僅需 1 臺帶前
- 關(guān)鍵字： 202509 SiC MOSFET 界面陷阱檢測 QSCV 泰克
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