這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術為音頻IP提供完整解決方案的產品。該芯片完美結合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質與功能。這款專用測試芯片通過加快產品上市進程、提供同類最佳性能、及確保穩(wěn)健的產品設計，堅定客戶對Dolphin Design產品的信心，再度證實了Dolphin Design在混合信號IP領域的行業(yè)領先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號、處理知識產權（IP）以及ASIC設計的行業(yè)領先供應商Dolphin De
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Dolphin Design 12納米 12nm FinFet 成功流片
2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5
DRAM：五代雙倍數據率同步動態(tài)隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產12納米級16Gb DDR5
DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內存技術領域中的地位，并開啟了大容量內存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內存的基礎上，我們可以研發(fā)出實現1TB內存模組的解決方案
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三星 12納米 DDR5 DRAM
今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術，三星業(yè)內先進的12 納米級DDR5
DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內存產品與技術執(zhí)行副總裁Jooyoung
Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計算市場對大規(guī)模數據處理的需求，提供高性能和高容量的產品，而且還將通過商業(yè)化的下一代
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三星電子 12納米 DDR5 DRAM
三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5
DRAM的關鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數據中心和AI驅動系統等領域更可持續(xù)運營的基礎。"AMD高級副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計算
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三星電子 12納米 DDR5 DRAM
國產CPU性能水平不斷提升。日前，飛騰公司發(fā)布新一代服務器芯片騰云S2500，擁有64顆內核，采用16納米工藝，主頻達到2.0-2.2Ghz。同時有消息稱，龍芯中科正在設計中的新一代處理器LS3A5000/3C5000基于12nm工藝，即將流片。近年來我國CPU產業(yè)發(fā)展很快，在工藝水平、產品性能上均快速接近，甚至達到國際主流水平。目前，我國CPU產業(yè)面臨的問題主要是產業(yè)生態(tài)上的不足，希望新基建能為國產CPU的應用與發(fā)展提供新的契機。新一代CPU工藝和性能雙提升國產CPU再掀新動作。7月23日，飛騰公司發(fā)布
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國產CPU 16/12納米
三星表示,PCM(相變內存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢可能讓這種內存替代現有的移動存儲形式.
多年來,半導體廠商一直在致力研究PCM內存,不過,它一直處于試驗階段.PCM內存當中包含有類似玻璃的材料,當其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會發(fā)生改變,晶體的變化對應計算上的0,1狀態(tài),從而可以用于數據存儲.
一直以來,包括英特爾和英飛凌在內的很多公司都在從PCM的研發(fā),他們試圖將這種存儲器的體積減小,增存儲加速度與容量.支持PCM的人士認為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存.
三星半導體
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三星 PCM 34納米 10納米 12納米
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