通過(guò)集成驅(qū)動(dòng)器和高級(jí)保護(hù)功能簡(jiǎn)化GaN電源設(shè)計(jì)

• 高效率和高功率密度是為當(dāng)今產(chǎn)品設(shè)計(jì)電源時(shí)的關(guān)鍵特性。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，開(kāi)發(fā)人員正在轉(zhuǎn)向氮化鎵 （GaN），這是一種可實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)頻率的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的功率半導(dǎo)體技術(shù)相比，GaN 最大限度地減少了所需無(wú)源元件的尺寸，同時(shí)降低了柵極驅(qū)動(dòng)和反向恢復(fù)損耗。此外，半導(dǎo)體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝中，從而縮小印刷電路板 （PCB） 的占地面積要求，同時(shí)簡(jiǎn)化供應(yīng)鏈。GaN 應(yīng)用在 650 V AC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，變壓器外形無(wú)鉛 （TOLL） 封裝是電源設(shè)計(jì)的有效選擇。采用此封
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