防掉電 文章 最新資訊
基于FPGA的F-RAM防掉電設計
- 摘要 在復雜實驗條件下，需采用非易失性鐵電存儲器記錄重要數(shù)據。為防止二次上電時實驗數(shù)據被覆蓋，需設計防掉電功能。文中介紹了一種F-RAM的防棹電設計思路，并基于現(xiàn)場可編程門陣列實現(xiàn)，板級驗證工作正常，并已
- 關鍵字： 非易失鐵電存儲器 防掉電 現(xiàn)場可編程門陣列
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防掉電介紹
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