通態(tài)漏源電阻 文章 最新資訊
了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻
- 分立 MOSFET 數(shù)據(jù)表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫為 R DS (on)。這個 R DS (on)想法看起來非常簡單：當 FET 處于截止狀態(tài)時，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設電流為零。當 FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過閾值電壓 (V TH ) 時，它處于“導通狀態(tài)”，漏極和源極通過電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的實際電氣行為，您應該很容易認識到該模型與事實不符。首先，F(xiàn)ET 并不真正具有“導通狀態(tài)”。當未處于截止狀態(tài)時（我們在此
- 關鍵字： MOSFET 通態(tài)漏源電阻
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通態(tài)漏源電阻介紹
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