ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅(qū)動(dòng)控制”IC 技術(shù)

• 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一項(xiàng)超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關(guān)器件的性能。近年來，GaN器件因其具有高速開關(guān)的特性優(yōu)勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負(fù)責(zé)GaN器件的驅(qū)動(dòng)控制）的速度已成為亟需解決的課題。在這種背景下，ROHM進(jìn)一步改進(jìn)了在電源IC領(lǐng)域確立的超高速脈沖控制技術(shù)“Nano Pulse Control?”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達(dá)到業(yè)界超高水平。通過將該技術(shù)應(yīng)用在控制IC中，又成功地確立了可更大程
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