創(chuàng)新，引領(lǐng)未來(lái)

• 原子層沉積(ALD, Atomic Layer Deposition)工藝，是當(dāng)前及未來(lái)工藝節(jié)點(diǎn)相關(guān)的收縮及更復(fù)雜器件幾何形狀上沉積薄層材料的關(guān)鍵技術(shù)。如今，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)以驚人的速度持續(xù)進(jìn)步，精確而又高效地生成關(guān)鍵器件特征成為了一項(xiàng)持久的挑戰(zhàn)。 原子層沉積工藝依靠專(zhuān)業(yè)的高性能原子層沉積閥在數(shù)百萬(wàn)個(gè)脈沖中輸送精確的化學(xué)品劑量，構(gòu)建形成材料層。為了達(dá)到原子級(jí)精密度和高生產(chǎn)良品率，輸送這些脈沖式化學(xué)品劑量的閥門(mén)必須日益精確且一致。世偉洛克一直致力于此，不斷刷新ALD閥使用壽命、響應(yīng)時(shí)間、高溫高流量應(yīng)用
• 關(guān)鍵字： 原子層沉積  ALD  世偉洛克  超高純隔膜閥