英飛凌.麥克風(fēng) 文章最新資訊

英飛凌與中芯國際合作擴(kuò)展至90納米生產(chǎn)領(lǐng)域

英飛凌和中芯國際近日共同宣布，雙方已經(jīng)簽署合作協(xié)議，進(jìn)一步擴(kuò)展在標(biāo)準(zhǔn)記憶芯片（DRAM）產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域中的現(xiàn)有合作，開始90納米標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品合作生產(chǎn)。根據(jù)新協(xié)議的內(nèi)容，英飛凌將把自己最尖端的90納米DRAM溝槽技術(shù)和300毫米產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)轉(zhuǎn)讓于中芯國際，并可以在未來期間靈活進(jìn)行其70納米技術(shù)的進(jìn)一步轉(zhuǎn)讓。因此，中芯國際將為英飛凌獨(dú)家生產(chǎn)屬于此技術(shù)范圍之內(nèi)
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DRAM售價下降英飛凌Q1將虧損1.477億美元

歐洲芯片廠商英飛凌表示，DRAM內(nèi)存平均銷售價格的下降影響了該公司2006財(cái)年第一季度的財(cái)報(bào)結(jié)果。據(jù)reed-electronics.com網(wǎng)站報(bào)道，英飛凌截止到去年12月份的2006財(cái)年第一季度的銷售收入是大約20億美元（16.7億歐元），利息和稅項(xiàng)之前的利潤為虧損1.477億美元（1.22億歐元）。英飛凌的凈虧損為2.216億美元（1
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英飛凌與中芯將合作協(xié)議擴(kuò)展至90納米

英飛凌科技股份有限公司和中芯國際集成電路制造有限公司近日共同宣布，雙方已經(jīng)簽署合作協(xié)議，進(jìn)一步擴(kuò)展在標(biāo)準(zhǔn)記憶芯片（DRAM）產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域中的現(xiàn)有合作，開始90納米標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品合作生產(chǎn)。根據(jù)新協(xié)議的內(nèi)容，英飛凌將把自己最尖端的90納米DRAM溝槽技術(shù)和300毫米產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)轉(zhuǎn)讓于中芯國際，并可以在未來期間靈活進(jìn)行其70納米技術(shù)的進(jìn)一步轉(zhuǎn)讓。因此，中芯國際將為英飛凌獨(dú)家生產(chǎn)屬于此技術(shù)范圍之內(nèi)的產(chǎn)品。預(yù)計(jì)在2006年中期完成產(chǎn)品的最終驗(yàn)證之后，中芯國際將開始將其目前用于英飛凌110納米D
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英飛凌推出全新32位微控制器系列

英飛凌科技股份公司實(shí)現(xiàn)了可以提高工業(yè)驅(qū)動器的能效和性能的高效電機(jī)控制理念。如果這些產(chǎn)品得到廣泛使用，電控驅(qū)動器有望將現(xiàn)今的全球耗電量削減20%。英飛凌今日宣布推出基于TriCore(tm)架構(gòu)的全新TC116x系列32位微處理器的兩款樣品。除了高性能66MHz CPU外，全新的TC1161和TC1162微處理器還集成了1M的嵌入式閃存和完整外設(shè)集,并采取了低成本的封裝形式.與微控制器、DSP和PWM ASIC相互分離的傳統(tǒng)解決方案相比，英飛凌的高度集成微控制器可以將系統(tǒng)級成本降低40
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英飛凌不再投資90納米工藝芯片廠

英飛凌董事長兼首席執(zhí)行官Wolfgang Ziebart近日證實(shí)，該公司將不再投資90納米工藝芯片廠，而是轉(zhuǎn)向輕晶圓廠 (fab-lite)策略。Ziebart表示，他懷疑會有多少公司能夠經(jīng)營自己的65納米、300mm晶圓廠。　　Ziebart提到了英特爾)和德州儀器，但他認(rèn)為，即使還有其它公司擁有足夠的需求使其有理由投入40-50億美元興建65納米工廠，但市場也是寥寥無幾。Ziebart明確地表示，英飛凌計(jì)劃繼續(xù)經(jīng)營在德國、法國和馬來西亞的現(xiàn)有工廠，并認(rèn)為這些工廠的技術(shù)
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英飛凌日立推出高性能硬盤驅(qū)動器

英飛凌科技股份公司近日宣布推出一款先進(jìn)的硬盤驅(qū)動器讀取信道內(nèi)核，這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲技術(shù)有限公司共同開發(fā)，是適用于下一代硬盤驅(qū)動器的高集成控制器芯片開發(fā)過程中的一個里程碑。 “第一種采用90納米工藝技術(shù)的讀取信道內(nèi)核產(chǎn)品的開發(fā)，使英飛凌可以更好地推出下一代集成電路產(chǎn)品，以滿足硬盤驅(qū)動器市場不斷增長的需求，”英飛凌管理董事會成員兼汽車與工業(yè)電子事業(yè)部負(fù)責(zé)人Peter Bauer指出，“我們對市場的承諾和立足點(diǎn)基于廣泛的專利組合（IP
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英飛凌日立開發(fā)90納米硬盤驅(qū)動器

英飛凌科技股份公司宣布推出一款先進(jìn)的硬盤驅(qū)動器讀取信道內(nèi)核，這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲技術(shù)有限公司共同開發(fā)，是適用于下一代硬盤驅(qū)動器的高集成控制器芯片開發(fā)過程中的一個里程碑。英飛凌副總裁兼專用集成電路和設(shè)計(jì)解決方案事業(yè)部（ADS）總經(jīng)理Sandro Cerato說：“采用90納米工藝制造讀取信道內(nèi)核，使硬盤驅(qū)動器行業(yè)能夠滿足下一代產(chǎn)品要求
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英飛凌內(nèi)存業(yè)務(wù)IPO非板上釘釘

德國芯片廠商英飛凌總裁和首席執(zhí)行官日前在接受德國媒體采訪時表示，英飛凌內(nèi)存業(yè)務(wù)分拆上市還不是板上釘釘?shù)氖虑?。由于還有一些問題，公司并未作出正式?jīng)Q定。此外，英飛凌也還有別的選擇。　　英飛凌首席執(zhí)行官Wolfgang Ziebart日前在接受德國報(bào)紙《Suddeutschen Zeitung》時表示，到目前為止，雖然還沒有決定，但將內(nèi)存業(yè)務(wù)IPO似乎是最有吸引力的方案。　　Ziebart說，在內(nèi)存業(yè)務(wù)上和其他公司合作還是有可
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英飛凌DRAM分拆上市專注邏輯業(yè)務(wù)

英飛凌證實(shí)，它將在2006年7月以前把存儲業(yè)務(wù)分拆出來(spin out)，然后把這項(xiàng)業(yè)務(wù)上市(IPO)。該公司將把重點(diǎn)放在邏輯部門，繼續(xù)面向汽車、工業(yè)電子和通訊領(lǐng)域。英飛凌把這些舉措稱為“戰(zhàn)略調(diào)整(strategic realignment)”，稱計(jì)劃把這兩個部門拆開，是因?yàn)樗鼈儭鞍l(fā)展方向不同”。　　“采取這項(xiàng)措施有兩個主要原因。一是內(nèi)存和邏輯產(chǎn)品的工藝與商業(yè)模式沿著不同的方向發(fā)展。二是我們可以改善這兩個部門的增長情況
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英飛凌便攜設(shè)備電路功耗面積降半

英飛凌科技股份公司近日推出高性能、低功耗調(diào)諧器集成電路TUA6041和TUA6045，它們是專門針對筆記本電腦、U盤和PDA等便攜式設(shè)備而研制的。這兩款集成電路是業(yè)界首款工作電壓低至3伏的單轉(zhuǎn)換調(diào)諧器，其功耗和散熱量僅為現(xiàn)有調(diào)諧器的一半。為了滿足便攜式終端設(shè)備對空間日益苛刻的要求，TUA6041 和TUA6045將RF（射頻）和IF（中頻）功能集成在一顆芯片上，從而提高了系統(tǒng)的可靠性，同時將調(diào)諧器集成電路的面積降低一半左右（達(dá)到49平方毫米）。英飛凌全新的TUA6041和TUA6045將于20
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英飛凌將UMTS手機(jī)設(shè)計(jì)期縮30%

在香港舉行的2005年度3G世界大會與展會（3G World Congress & Exhibition 2005）上，英飛凌科技公司（FSE/NYSE: IFX）宣布，其最新推出的多媒體手機(jī)參考設(shè)計(jì)平臺開始供應(yīng)。通過英飛凌MP-EU平臺，手機(jī)制造商能夠加速新一代UMTS電話的推出，使開發(fā)周期由目前平均14個月的基礎(chǔ)上縮短30%。MP-EU是業(yè)內(nèi)集成度最高的平臺，支持UMTS、 EDGE和GSM/GPRS等蜂窩標(biāo)準(zhǔn)。該產(chǎn)品的智能
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英飛凌成立子公司獨(dú)立內(nèi)存部門

德國Infineon Technologies AG當(dāng)?shù)貢r間17日，召開了公司的董事會，會后公司承認(rèn)了事業(yè)的重組計(jì)劃。　　根據(jù)新的重組計(jì)劃，公司決定將邏輯核心制造部門與內(nèi)存芯片制造部門分開。按照要求記憶體制造部門將在2006年7月1日前作為一個獨(dú)立的法人個體與公司分開，成立為單獨(dú)的子公司。　　公司表示，分離的理由是因?yàn)閮刹块T在商業(yè)處理和收益構(gòu)造方面有著不同的方向，分離后不論是增長力還是公司收益都會提高。目前有關(guān)
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英飛凌將UMTS手機(jī)設(shè)計(jì)周期縮短30%

在香港舉行的2005年度3G世界大會與展會（3G World Congress & Exhibition 2005）上，英飛凌科技公司（FSE/NYSE: IFX）宣布，其最新推出的多媒體手機(jī)參考設(shè)計(jì)平臺開始供應(yīng)。通過英飛凌MP-EU平臺，手機(jī)制造商能夠加速新一代UMTS電話的推出，使開發(fā)周期由目前平均14個月的基礎(chǔ)上縮短30%。MP-EU是業(yè)內(nèi)集成度最高的平臺，支持UMTS、 EDGE和GSM/GPRS等蜂窩標(biāo)準(zhǔn)。該產(chǎn)品的智能
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英飛凌無線控制解決方案

　　無線控制已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ钪性絹碓讲豢扇鄙俚囊画h(huán)。從日常的遙控門鎖、遙控窗簾到汽車防盜器、輪胎壓力監(jiān)測系統(tǒng)等等，無線控制設(shè)備因其高性價比和適用性成為具有廣闊應(yīng)用前景的解決方案。　　英飛凌無線芯片為您提供具有卓越性能的低成本RF 解決方案，而且只需極少的外圍元件。這些無線芯片在很多常用的頻段上為您提供更高的輸出功率和接收靈敏度，是無線控制、汽車防盜系統(tǒng)和家庭自動化系統(tǒng)的理想選擇。這些無線芯片集成度很高，只需很少的外圍元件；同時也具有極低的功耗，可以大幅延長電池壽命。　　英飛凌無
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英飛凌推出首款DDR2 FB-DIMM速率高達(dá)4.8Gbps

　　日前，英飛凌科技(Infineon Technologies)公司宣布開始提供業(yè)界僅有的雙倍數(shù)據(jù)率2全緩沖雙列直插存儲器模塊(DDR2 FB-DIMM)樣片，所有的關(guān)鍵元件都由英飛凌自行設(shè)計(jì)和制造。新款FB-DIMM密度在512MB至4GB，基于英飛凌提供的先進(jìn)存儲器緩存(AMB)芯片、DDR2 DRAM芯片和專有散熱器。　　由于可與DDR2 DRAM高速鏈接直接接口，AMB復(fù)雜邏輯芯片能夠提供4.8Gbps的數(shù)據(jù)速率，而第一代DDR2
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