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	英諾賽科
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          英諾賽科 文章
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          納芯微攜手聯(lián)合電子與英諾賽科，共創(chuàng)新能源汽車功率電子新格局
          
                                                            
            
                    	
          • 2025年9月29日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡稱：納芯微）、聯(lián)合汽車電子有限公司（以下簡稱：聯(lián)合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱：英諾賽科）共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。三方將聚焦新能源汽車功率電子系統(tǒng)，聯(lián)合研發(fā)智能集成氮化鎵（GaN）相關產(chǎn)品。全新開發(fā)的智能GaN產(chǎn)品將依托三方技術積淀，提供更可靠的驅動及GaN保護集成方案，進一步提升系統(tǒng)功率密度。三方還將協(xié)同推動相關解決方案的產(chǎn)業(yè)化落地，助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展與價值提升。簽約儀式現(xiàn)場合影見證代表：圖中：聯(lián)合電子副總經(jīng)理 郭曉
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          • 關鍵字：
                        納芯微  聯(lián)合電子  英諾賽科  汽車功率電子  GaN                          
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          意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發(fā)與制造協(xié)議
          
                                                            
            
                    	
          • ●? ?雙方簽署氮化鎵（GaN）技術聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車等領域打造面向未來的功率電子技術●? ?英諾賽科可借助意法半導體在歐洲的制造產(chǎn)能，意法半導體可借助英諾賽科在中國的制造產(chǎn)能服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 （STMicroelectronics，簡稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領軍企業(yè)英諾賽科，共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  英諾賽科  氮化鎵                          
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          英諾賽科PCB layout 設計案列分享1----高壓單管
          
                                                            
            
                    	
          • Layout設計中的幾個關鍵步驟是布局、走線、鋪銅、散熱，英諾賽科高壓單管GaN的Layout設計也不例外。反激拓撲是高壓單管GaN的典型應用，快充場合常用。該拓撲在地線的處理上都需特別注意，如下圖所示，Layout時輔助繞組地、IC信號地功率地在bulk電容處匯合，避免IC地受干擾導致驅動振蕩。在GaN應用時，Layout上還需注意以下方面：1) 由于電流檢測電阻的存在，此種場合GaN的開爾文腳與源極直接連接，否則電流采樣電阻失去作用。2) Source端與bulk電容地的走線盡可能短、粗，減小寄生電感
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          • 關鍵字：
                        英諾賽科  PCB  layout  高壓單管                          
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          大聯(lián)大詮鼎集團推出基于英諾賽科產(chǎn)品的2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案
          
                                                            
            
                    	
          • 致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片的2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案。圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案的展示板圖在實現(xiàn)“雙碳”目標的大背景下，風能、光伏等綠色能源形式正逐步成為推動可持續(xù)發(fā)展的核心動力。然而，自然界的能源供給存在固有的不穩(wěn)定性，這要求
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          • 關鍵字：
                        大聯(lián)大詮鼎  英諾賽科  48V  AC/DC  儲能電源                          
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          氮化鎵芯片制造商英諾賽科成功上市
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)英諾賽科官微消息，12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。據(jù)了解，英諾賽科是一家專注于第三代半導體氮化鎵研發(fā)與制造的高新技術企業(yè)，擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產(chǎn)基地，產(chǎn)品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等，可廣泛應用于消費與家電、數(shù)據(jù)中心、汽車電子、新能源與工業(yè)等領域。據(jù)悉，英諾賽科此番戰(zhàn)略配售，吸引了包括意法半導體（STMicroelectronics）、江蘇國企混改基金、東方創(chuàng)聯(lián)以及蘇州高端裝備在內的4名基石投資者，合共認
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          • 關鍵字：
                        英諾賽科  氮化鎵                          
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          EPC起訴英諾賽科，要求保護氮化鎵(GaN)專利
          
                                                            
            
                    	
          • 案例聚焦新一代替代硅技術?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術的全球領導者宜普電源轉換公司（Efficient
Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）于今日向美國聯(lián)邦法院和美國國際
貿易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎專利組合中的
四項專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統(tǒng)稱英諾賽科）侵犯。 這些專利
涉及宜普公司獨家的增強型氮化
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          • 關鍵字：
                        宜普電源  EPC  英諾賽科  氮化鎵  GaN                          
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          英諾賽科寬禁帶半導體項目完成主體施工
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)看看新聞網(wǎng)報道，目前，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司項目主體施工已經(jīng)完成。資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導體項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設從器件設計，驅動IC設計開發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導體器件制造平臺。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺。據(jù)規(guī)劃，項目開工后兩年內投產(chǎn)，投產(chǎn)后三年實現(xiàn)年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導體電力電子器件的總目標，年銷售收入約
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          • 關鍵字：
                        英諾賽科  寬禁帶半導體                          
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