良率文章最新資訊

5nm以下工藝良率低三星：將尋找中國(guó)客戶

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子新人聯(lián)合CEO Kyung Kye-hyun日前在股東大會(huì)上表態(tài)，稱三星今年芯片及零件部門(mén)的增長(zhǎng)率有望優(yōu)于全球芯片市場(chǎng)的9%，三星會(huì)設(shè)法提高產(chǎn)能，滿足市場(chǎng)需求。針對(duì)5nm及以下工藝良率偏低的問(wèn)題，Kyung Kye-hyun表示芯片擴(kuò)產(chǎn)需要時(shí)間，但三星已經(jīng)在改善中，他強(qiáng)調(diào)半導(dǎo)體芯片工藝越來(lái)越精密，復(fù)雜度也提高了，5nm以下的芯片工藝正在逼近半導(dǎo)體物理極限。Kyung Kye-hyun稱三星計(jì)劃將生產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)最佳化，以改善盈利及供應(yīng)，并持續(xù)提升已經(jīng)量產(chǎn)的工藝。此外，Kyun
關(guān)鍵字： 5nm 良率三星

據(jù)媒體報(bào)道稱高通已將3nm AP代工訂單獨(dú)家交給了臺(tái)積電。不僅如此，有業(yè)內(nèi)人士稱，高通還將部分4nm驍龍8旗艦處理器的部分代工訂單交給臺(tái)積電。當(dāng)時(shí)我聽(tīng)到這個(gè)消息一方面為臺(tái)積電感到高興，另一方面心中出現(xiàn)質(zhì)疑：為什么高通沒(méi)有選擇三星？而近期外媒的爆料給出了這個(gè)答案。2月25日，據(jù)韓國(guó)媒體爆料稱，近期三星電子懷疑三星半導(dǎo)體代工廠的產(chǎn)量及良率報(bào)告存在“造假”行為，正計(jì)劃開(kāi)展一項(xiàng)內(nèi)部調(diào)查。據(jù)悉，三星電子DS部門(mén)（三星電子旗下半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案事業(yè)部，三星晶圓代工業(yè)務(wù)隸屬于該部門(mén)）近期正接受管理咨詢部門(mén)就三
關(guān)鍵字： 4nm 良率三星晶圓代工

根據(jù)國(guó)外媒體tomshardware報(bào)道，由于臺(tái)積電3nm工藝良率存在問(wèn)題，蘋(píng)果或放棄采用3nm工藝打造新一代A16芯片，這也意味著今年將要發(fā)布的iPhone 14疑似無(wú)緣3nm芯片。據(jù)了解，將搭載在iPhone 14上的蘋(píng)果A16處理器計(jì)劃采用臺(tái)積電3nm工藝生產(chǎn)，但是由于臺(tái)積電可能需要到2023年Q1季度才能批量交付3nm芯片，因此A16處理器智能轉(zhuǎn)為使用臺(tái)積電4nm工藝打造。
關(guān)鍵字： iPhone 14 3nm 良率

近日，關(guān)于臺(tái)積電3nm工藝制程有了新消息，據(jù)外媒digitimes最新報(bào)道，半導(dǎo)體設(shè)備廠商透露，臺(tái)積電3納米良率拉升難度飆升，臺(tái)積電因此多次修正3納米藍(lán)圖。實(shí)際上，隨著晶體管數(shù)量的堆積，內(nèi)部結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化，3nm工藝制程的良品率確實(shí)很難快速提升，達(dá)成比較好的量產(chǎn)水平。因此，臺(tái)積電或?qū)⒁?guī)劃包括N3、N3E與N3B等多個(gè)不同良率和制程工藝的技術(shù)，以滿足不同廠商的性能需求，正如同去年蘋(píng)果在A15上進(jìn)行不同芯片性能閹割一致，即能滿足量產(chǎn)需求，還能平攤制造成本，保持利潤(rùn)。此外，還有消息稱臺(tái)積電將在2023年第一季度開(kāi)
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 3nm 良率

根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，日前在國(guó)際電子元件會(huì)議（International Electron Devices Meeting，IEDM）大會(huì)上，晶圓代工龍頭臺(tái)積電官方披露了5納米制程的最新進(jìn)展。
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 5納米良率

近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)宣布其半導(dǎo)體制造系統(tǒng)產(chǎn)品組合推出全新功能，以進(jìn)一步改善晶圓邊緣的產(chǎn)品良率，從而提高客戶的生產(chǎn)效率。在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，制造商希望在晶圓的整個(gè)表面搭建集成電路。然而，由于晶圓邊緣的化學(xué)、物理和熱不連續(xù)性都更加難以控制，良率損失的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加。因此，控制刻蝕的不均勻度以及避免晶圓邊緣缺陷是降低半導(dǎo)體器件制造成本的關(guān)鍵所在。泛林集團(tuán)的Corvus刻蝕系統(tǒng)和Coronus等離子斜面清潔系統(tǒng)有效地解決了大規(guī)模生產(chǎn)中的邊緣良率問(wèn)題。這些解決方案被應(yīng)用于尖端節(jié)點(diǎn)的制造
關(guān)鍵字：晶圓良率

在早先的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中，由于器件尺寸較大，能采用成核及平整化化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)進(jìn)行鎢(W)填充。如今，由于插塞處的超小開(kāi)口很容易發(fā)生懸垂現(xiàn)象，因此薄膜表面均勻生長(zhǎng)的共形階段可能在填充完成前就關(guān)閉或夾斷，從而留下孔洞。
關(guān)鍵字：化學(xué)氣相沉積良率化學(xué)機(jī)械拋光

共22條 2/2 « 1 2

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條良率!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)良率的理解，并與今后在此搜索良率的朋友們分享。創(chuàng)建詞條