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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極型晶體管(igbt)

          絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 最新資訊

          飛兆陽極短路型IGBT具有高可靠性和卓越開關(guān)性能

          • 高功率和高頻率感應(yīng)加熱(IH)家用電器需要更低的傳導(dǎo)損耗和卓越的開關(guān)性能,以便在IH電飯煲、臺式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應(yīng)用中實現(xiàn)更高的效率和系統(tǒng)可靠性。 飛兆半導(dǎo)體的高電壓場截止陽極短路(Shorted Anode) trench IGBT可針對這些設(shè)計挑戰(zhàn)為設(shè)計人員提供經(jīng)濟實惠且高效的解決方案。
          • 關(guān)鍵字: 飛兆  IGBT  

          不間斷電源中的IGBT應(yīng)用總結(jié)

          • 在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動,控制簡 ...
          • 關(guān)鍵字: 不間斷  電源  IGBT  

          提高太陽能逆變器效能的IGBT選擇方法淺談

          • 如今市場上先進功率元件的種類數(shù)不勝數(shù),工程人員要為一項應(yīng)用選擇到合適的功率元件,的確是一項艱巨的工作...
          • 關(guān)鍵字: 太陽能  逆變器  IGBT  

          如何實現(xiàn)IGBT的軟開關(guān)的應(yīng)用開發(fā)

          • 一、IGBT溉述正常IGBT的工作頻率在10—20kHz,其開關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動機變頻調(diào)速...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  軟開關(guān)  應(yīng)用開發(fā)  

          CONCEPT設(shè)計中心將提供定制IGBT驅(qū)動器解決方案

          • Power Integrations旗下子公司IGBT驅(qū)動器制造商CT-Concept Technologie AG已在德國Ense開設(shè)一家新的設(shè)計中心。該設(shè)計中心將基于其驅(qū)動核開發(fā)半定制門極驅(qū)動設(shè)計,并利用CONCEPT的SCALE-2?平臺為大型項目研發(fā)和量身定制驅(qū)動器。
          • 關(guān)鍵字: CONCEPT  驅(qū)動器  IGBT  

          IGBT選型需要注意諸多事項

          • 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是總線電壓幾百至上千伏的應(yīng)用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件,IGBT在該電壓范圍...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  選型  

          提高太陽能逆變器效能的IGBT選擇方法

          • 提高太陽能逆變器效能的IGBT選擇方法,如今市場上先進功率元件的種類數(shù)不勝數(shù),工程人員要為一項應(yīng)用選擇到合適的功率元件,的確是一項艱巨的工作。就以太陽能逆變器應(yīng)用來說,絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 能比其他
          • 關(guān)鍵字: 太陽能逆變器  IGBT  太陽能電池板  

          功率器件IGBT應(yīng)用中的常見問題解決方法

          • 1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件,它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點,控制方便、開關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級的不斷提高,IGBT成為了大功率開關(guān)電源、變頻
          • 關(guān)鍵字: IGBT  功率器件  方法    

          M57962L芯片在IGBT驅(qū)動中的運用

          • IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件。本文介紹了驅(qū)動電路M57962L的工作原理及解決方案:IGBT是一種...
          • 關(guān)鍵字: M57962L  芯片  IGBT  

          IGBT應(yīng)用中常見問題及解決方法

          • 1引言綜合了gtr和mosfet優(yōu)點的igbt,是一種新型的80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管,它控制方便、工作頻率...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  及解決方法  

          用于IGBT與功率MOSFET的柵驅(qū)動器通用芯片

          • 1 引言
              scale-2芯片組是專門為適應(yīng)當(dāng)今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動器的功能需求而設(shè)計的。這些需求包括:可擴展的分離式開通與關(guān)斷門級電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  IGBT  驅(qū)動器  芯片    

          基于運放退飽和的電阻爐溫度控制系統(tǒng)設(shè)計

          • 為了實現(xiàn)電阻爐的快速升溫及溫度控制,采用運放退飽和的方法,當(dāng)電阻爐溫度未達(dá)到設(shè)定值時,運放飽和輸出,所控制的驅(qū)動電路輸出脈沖的占空比最大,IGBT近似全導(dǎo)通,電爐加熱功率最大,溫度快速上升;當(dāng)溫度達(dá)到設(shè)定值時,運放開始退飽和,輸出電壓逐漸減小,從而減小驅(qū)動電路輸出脈沖的占空比,IGBT導(dǎo)通時間變短,電爐加熱功率減小,實現(xiàn)溫度控制。通過Multisim軟件仿真及硬件電路測試,驗證了本設(shè)計的可行性。該溫度控制系統(tǒng)具有升溫速度快、易于操作、滯后性較低的優(yōu)點。
          • 關(guān)鍵字: 電阻爐  溫度控制  運放  退飽和  IGBT  

          隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

          • 11、請問:HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時軟關(guān)斷?謝謝!  HCPL-316J 飽和閾值的頂點設(shè)置在7V,這是對通過一個比較 ...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  Power  MOSFET  功率器件  

          隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

          • 功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保護,以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效 ...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  Power  MOSFET  功率器件  

          國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售

          •   “十二五”規(guī)劃出臺以后,國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視,同時,“節(jié)能減排”工作也深入開展,中國開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件,受到了國家的重視,近兩年更是列入國家重大科技專項中提供多方位的支持。   絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導(dǎo)體分立器件,具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點,廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機
          • 關(guān)鍵字: 新能源  功率器件  IGBT  
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          絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極型晶體管(igbt)!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的理解,并與今后在此搜索絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

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