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          納微半導體 文章 最新資訊

          兆易創(chuàng)新與納微半導體數(shù)字能源聯(lián)合實驗室揭牌

          • 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice與納微半導體共同設立的“數(shù)字能源聯(lián)合實驗室”在合肥正式揭牌。該實驗室將GD32 MCU領域的深厚積累,與納微半導體在高頻、高速、高集成度氮化鎵以及擁有溝槽輔助平面技術的GeneSiC碳化硅領域的產品優(yōu)勢相結合,面向AI數(shù)據中心、光伏逆變、儲能、充電樁、電動汽車等新興市場,提供智能、高效的數(shù)字能源解決方案。納微半導體系統(tǒng)應用工程副總裁黃秀成(右)與兆易創(chuàng)新高級副總裁、MCU事業(yè)部總經理李寶魁(左)合影夯實數(shù)字能源基石,注入強勁“芯”動力自籌備以來,數(shù)字能
          • 關鍵字: 兆易創(chuàng)新  納微半導體  數(shù)字能源  

          臺積電無預警退出GaN市場 納微有望接手美國訂單

          • 國際功率半導體廠納微半導體于提交美國證券交易委員會(SEC)消息指出,臺積電將于2027年7月31日結束氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務,擬向力積電尋求產能支持。 對此,臺積電回應表示,經過完整評估后,決定在未來兩年內逐步退出氮化鎵(GaN)業(yè)務。臺積電透露,該決定是基于市場與臺積電公司的長期業(yè)務策略; 公司正與客戶緊密合作確保在過渡期間保持順利銜接,并致力在此期間繼續(xù)滿足客戶需求。同時,臺積電也指出,仍將著重為合作伙伴及市場持續(xù)創(chuàng)造價值; 而該項決定將不會影響之前公布的財務目標。業(yè)界認為,臺積電此舉凸顯中國
          • 關鍵字: 臺積電  納微半導體  GaN  

          兆易創(chuàng)新與納微半導體合作,打造數(shù)字電源解決方案

          • 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布與納微半導體達成戰(zhàn)略合作伙伴關系,通過將兆易創(chuàng)新先進的高算力MCU產品和納微半導體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術進行優(yōu)勢整合,打造智能、高效、高功率密度的數(shù)字電源產品,并配合兆易創(chuàng)新的全產業(yè)鏈的管理能力與納微對系統(tǒng)應用的深刻理解,加速在AI數(shù)據中心、光伏逆變器、儲能、充電樁和電動汽車商業(yè)化布局。作為戰(zhàn)略合作的重要組成部分,兆易創(chuàng)新還將與納微半導體攜手共建聯(lián)合研發(fā)實驗室,融合雙方的技術專長和生態(tài)資源優(yōu)勢,驅動智能、高效電源管理方案的創(chuàng)新升級。納
          • 關鍵字: 兆易創(chuàng)新  納微半導體  

          納微半導體與您相約亞洲充電展,最新GaN+SiC技術展望快充未來

          • 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展,邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術打造,象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案,包括:●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術●? &
          • 關鍵字: 納微半導體  亞洲充電展  GaN+SiC  快充  

          納微半導體65W 氮化鎵(GaN)方案獲小米10 Pro充電器采用

          • 小米集團和納微(Navitas)宣布,其GaNFast充電技術已被小米采用,用于旗艦產品Mi 10 PRO智能手機。 小米董事長兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發(fā)布會上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵(GaN),這是一種新的半導體材料,其運行速度比以前的硅(Si)電源芯片快100倍,因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進行0至100%的充電。
          • 關鍵字: 小米  GaN  納微半導體  
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          納微半導體介紹

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