納微 文章 最新資訊
800V數據中心：納微35kV下變頻方案
- 納微半導體透露了其對英偉達“人工智能工廠”數據中心概念的提案，其中電力以 800Vdc 分配，揭示了電網電壓和 800V 電源轉換器。每個機架的功耗估計為 1MW，數據中心的前端將需要接收 ~14kV 或 ~35kV 的三相電網電力。Navitas 選擇在具有 800Vdc 輸出的基于碳化硅的單級 AC-DC 轉換器中直接消耗 34.5 或 13.8kV 的三相 480Vac 以進行后續(xù)轉換，從而避免使用多噸級電網變壓器來生產三相 480Vac 以進行后續(xù)轉換。它選擇了三相模塊化“輸入-串聯(lián)-輸出-并聯(lián)”
- 關鍵字： 800V 數據中心 納微 35kV 下變頻
納微在中國開設GaNFast?研發(fā)中心以支持創(chuàng)新
- 納微(Navitas)今天宣布在杭州開設新的GaNFast研發(fā)中心，以幫助合作伙伴和客戶設計技術領先的電源轉換器;相比傳統(tǒng)的硅MOS管方案，這些新設計能讓體積縮小50%，重量減輕50%，可為移動應用終端提供快3倍的充電速度?！ 〖{微高級應用總監(jiān)兼新研發(fā)中心負責人徐迎春表示：“GaNFast研發(fā)中心擁有產品設計經驗豐富的高水平應用工程師團隊，將專注于開發(fā)高頻、高效、高功率密度的電源系統(tǒng)，并協(xié)助客戶充分發(fā)揮GaNFast功率IC的關鍵性能和優(yōu)勢。我們擁有開發(fā)新型先進電源架構的工具、技能和資源，同時能夠確保
- 關鍵字： 納微 GaNFast
納微GaNFast?功率IC在中國USB PD快充產業(yè)高峰論壇大放異彩
- 納微(Navitas) 宣布將在5月25日召開的2018(夏季)中國USB PD快充產業(yè)高峰論壇上展示業(yè)界領先的GaNFast?功率IC和用其開發(fā)的世界上最小并且最快速的USB-PD充電器產品。 納微聯(lián)合創(chuàng)始人、首席技術官兼首席運營官Dan Kinzer表示：“我很榮幸獲邀在中國USB PD快充產業(yè)高峰論壇發(fā)言。GaNFast技術使得設計人員能夠將頻率提高10倍至20倍，提高效率、減小尺寸并降低系統(tǒng)成本。我們共同創(chuàng)造出價格廉宜并且尺寸比手掌還要小得多的快速充電器產品，可以輕松滑入口袋，十分輕巧。”
- 關鍵字： 納微 USB-PD
納微GaNFast解決方案
- 對納微(Navitas)公司和半導體行業(yè)而言，伴隨著寬帶隙技術將取代舊式硅器件，這將是一個動態(tài)變化的時代。平面GaN器件正在取代高達650V和5kW的Si FET器件，而在更高電壓和功率水平應用中，垂直SiC部件取代Si IGBT。納微通過全新的高成本效益GaNFast解決方案，著手解決價值300億美元的Si FET和驅動器市場需求。
- 關鍵字： 納微，GaNFast
納微半導體將在中國臺灣的電源設計技術論壇活動上
- 納微 (Navitas)半導體宣布其現(xiàn)場應用及技術營銷總監(jiān)黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設計與功率組件技術論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實現(xiàn)下一代電源適配器設計”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項活動的銀級贊助商，該活動為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業(yè)知識?！ ↑S萬年
- 關鍵字： 納微 SiC
如何讓電源適配器配得上你越來越小的便攜電腦
- 隨著便攜電腦的尺寸越來越小，重量越來越輕，曾經作為電腦的“小尾巴”的電源適配器如今似乎要叫“大尾巴”了!電源適配器如何實現(xiàn)小型化，來配得上越做越小的便攜電腦則成為一項必須考慮的問題。
- 關鍵字： 電源適配器，納微
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