- 近兩年來，碳化硅材料(Silicon Carbride, SIC)進入應用領域。SIC半導體具有寬禁帶，高擊穿電場，高飽和漂移速度和高熱導率的優(yōu)異特性正在推動工業(yè)領域對功率設備在功率密度方面的革命。使用SIC MOSFET替代IGBT可以提高功率管開關頻率，從而降低功率設備中感性元件以及容性原件的體積。使功率設備的體積減小到原來不可思議的地步。但是更高的頻率，更高的功率密度，要求周邊器件也能適應更高的工作頻率，在更寬的溫度范圍以保證穩(wěn)定的工作狀態(tài)。ROHM在SIC發(fā)展最初階段提出了可應用SIC產品使用的磁
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RHOM 磁耦技術 隔離器
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