使用LTspice仿真來解釋電壓依賴性影響

• 要實(shí)現(xiàn)陶瓷電容器的微型化，就必須在越來越小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的電容值。為此，具有高介電常數(shù)(ε)和越來越薄的介電絕緣層的材料正在被實(shí)現(xiàn)，這使得現(xiàn)在有可能在工業(yè)級(jí)規(guī)模上生產(chǎn)高質(zhì)量的陶瓷層。遺憾的是，介電常數(shù)εr = ?()是電場(chǎng)強(qiáng)度的函數(shù)，因此電容表現(xiàn)出電壓依賴性。根據(jù)陶瓷類型和層厚度，這種影響可以非常顯著。在最大允許電壓下，電容下降到標(biāo)稱值的10％以下并不罕見。在將恒定電壓作用于MLCC的應(yīng)用中（例如解耦電容），很容易考慮此影響。只要電壓保持恒定，就可以從制造商提供的數(shù)據(jù)手冊(cè)或在線工具中獲取剩余電
• 關(guān)鍵字： ADI  LTspice  電壓依賴