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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 海力士

          海力士 文章 最新資訊

          Spansion與SK海力士宣布NAND戰(zhàn)略合作

          • Spansion公司(紐約證交所代碼:CODE)與SK海力士公司近日宣布結(jié)成戰(zhàn)略同盟,并針對(duì)嵌入式應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)布4x、3x、2x節(jié)點(diǎn)Spansion SLC NAND產(chǎn)品?;陔p方合作開(kāi)發(fā)的首款Spansion? SLC NAND產(chǎn)品將于2012年第二季度面世。作為合作的一部分,雙方將同時(shí)簽訂專(zhuān)利交互授權(quán)協(xié)議。
          • 關(guān)鍵字: Spansion  海力士  NAND  

          中國(guó)力量主導(dǎo)IC產(chǎn)業(yè)新格局

          •   中國(guó)有著超過(guò)全球50%的集成電路市場(chǎng)、完整的產(chǎn)業(yè)鏈和越來(lái)越多的優(yōu)秀人才。這也是眾多企業(yè)紛紛逐鹿“中國(guó)”的重要原因??梢哉f(shuō)InChina(在中國(guó))已經(jīng)成為IC在新時(shí)代的新詮釋。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  IC  

          海力士:DRAM 下半年復(fù)蘇

          •   3月上旬DRAM合約價(jià)漲幅逾5%,順利回到1美元關(guān)卡,創(chuàng)近三個(gè)月新高,有助南科、華亞科等業(yè)者營(yíng)運(yùn)回溫,業(yè)者態(tài)度也轉(zhuǎn)趨樂(lè)觀,南科預(yù)期4月報(bào)價(jià)持續(xù)上漲,全球DRAM二哥海力士(Hynix)認(rèn)為,DRAM產(chǎn)業(yè)下半年起開(kāi)始復(fù)蘇。   外電報(bào)導(dǎo),Hynix執(zhí)行長(zhǎng)O.C.Kwon13日在記者會(huì)上表示,由于DRAM價(jià)格在爾必達(dá)2月底聲請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)后,終于展開(kāi)反彈走勢(shì)。   這是爾必達(dá)事件發(fā)生后,首度有韓廠出面發(fā)布對(duì)DRAM產(chǎn)業(yè)景氣的看法。   Kwon指出,DRAM價(jià)格最近大致觸底,下半年逐步改善,至于會(huì)反彈多
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          海力士更名為“SK海力士”

          •   最近被SK集團(tuán)收購(gòu)的海力士半導(dǎo)體公司,名稱(chēng)將變更為“SK海力士(SKhynix)”。   海力士半導(dǎo)體5日在首爾大峙洞總部舉行理事會(huì),就更名事宜進(jìn)行了表決。擔(dān)任共同代表理事的SK總裁崔泰源、海力士總裁權(quán)五哲和擔(dān)任理事會(huì)主席的SK電訊總經(jīng)理河成旼等9位理事全部出席了理事會(huì)。   新公司名稱(chēng)將于23日在定期股東大會(huì)正式確定。海力士相關(guān)人士說(shuō),更名除了宣布海力士是SK集團(tuán)一員,還表明將通過(guò)整合效應(yīng)進(jìn)一步提高競(jìng)爭(zhēng)力。   海力士理事會(huì)當(dāng)天確認(rèn)了去年的財(cái)務(wù)報(bào)表,并把理事年薪和去年一
          • 關(guān)鍵字: 海力士  半導(dǎo)體  

          全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到48.9億美元

          •   據(jù)媒體報(bào)道,根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù),2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到48.9億美元,環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場(chǎng)的龍頭,市場(chǎng)份額達(dá)到了34.6%。   集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示,NAND閃存出貨環(huán)比增長(zhǎng)了大約5%,而平均銷(xiāo)售價(jià)格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出,雖然存儲(chǔ)卡和閃存的零售增幅依然緩慢,但是智能手機(jī)和平板電腦制造商對(duì)閃存的需求依然非常強(qiáng)勁。   集邦科技指出,三星電子
          • 關(guān)鍵字: 海力士  NAND  

          增進(jìn)產(chǎn)能利用率 海力士接下大量晶圓代工訂單

          •   韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)為提升近期產(chǎn)能利用率較低的晶圓工廠的產(chǎn)能,近期已開(kāi)始大量接受其他韓國(guó)業(yè)者的晶圓代工訂單,目前海力士的代工業(yè)者已達(dá)7~8家。   根據(jù)韓國(guó)IT業(yè)者表示,海力士位在忠清北道清州的M8工廠,以8吋晶圓為基準(zhǔn),目前接獲的代工訂單可達(dá)到單月3萬(wàn)片,M8工廠的最大生產(chǎn)量為單月8萬(wàn)片,亦即代工訂單已經(jīng)達(dá)到最大生產(chǎn)量的40%。   韓國(guó)業(yè)界人士說(shuō)明,海力士接到的代工訂單原本只有2家廠商,透過(guò)積極開(kāi)發(fā)客戶(hù),現(xiàn)在已經(jīng)增加到7~8家,海力士的相關(guān)事業(yè)已經(jīng)比過(guò)去安全許多。海力士M8工廠除
          • 關(guān)鍵字: 海力士  晶圓  

          SK電訊約30億美元收購(gòu)海力士21.1%股權(quán)

          •   SK電訊今日宣布,將以3.4267萬(wàn)億韓元(約30億美元)收購(gòu)海力士半導(dǎo)體21.1%的股權(quán)。本次收購(gòu)交易規(guī)模創(chuàng)韓國(guó)科技界近十年新高。   SK電訊與海力士半導(dǎo)體公司及債券團(tuán)簽署股權(quán)收購(gòu)合同,決定收購(gòu)海力士半導(dǎo)體債券團(tuán)擁有的6.4%股份和海力士公司以第三方配股方式發(fā)行新股的14.7%,收購(gòu)交易總額為3.4267萬(wàn)億韓元。   SK電訊發(fā)表聲明稱(chēng),將以每股2.3萬(wàn)韓元收購(gòu)海力士1.0185億股新股,并以每股2.45萬(wàn)韓元收購(gòu)4425萬(wàn)股現(xiàn)有股票。海力士股價(jià)今收于2.23萬(wàn)韓元,SK電訊的收購(gòu)價(jià)格至少溢
          • 關(guān)鍵字: 海力士  存儲(chǔ)芯片  

          DRAM廠商前景黯淡 2011及未來(lái)幾年銷(xiāo)售額將下挫

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM研究報(bào)告,許多DRAM供應(yīng)商前景危險(xiǎn),面臨債務(wù)升高、2013年前銷(xiāo)售額下降以及PC需求增長(zhǎng)減弱的威脅。隨著消費(fèi)者的興趣轉(zhuǎn)向更加流行的智能電話和平板電腦,PC需求日益衰落。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          海力士半導(dǎo)體控股股權(quán)競(jìng)購(gòu)案遭遇意外阻礙

          •   根據(jù)熟悉內(nèi)情的消息人士告訴路透,韓國(guó)海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)控股股權(quán)出售計(jì)畫(huà)似乎出現(xiàn)意外的阻礙,以債轉(zhuǎn)股的股東尚未就收購(gòu)架構(gòu)達(dá)成一致.   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  半導(dǎo)體  

          海力士2Q營(yíng)收26億美元

          •   韓半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)21日上午發(fā)布2011年第2季財(cái)報(bào)。海力士第2季營(yíng)收2.76兆韓元(約26.15億美元),營(yíng)業(yè)利益4,470億韓元(約4.24億美元),與2010年同期相比營(yíng)收減少16%、營(yíng)業(yè)利益減少56%,然與2011年第1季相比,雖然營(yíng)收減少1%,但營(yíng)業(yè)利益則增加了38%。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          海力士2Q營(yíng)收26億美元 營(yíng)業(yè)利益4.2億美元

          •   韓半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix) 21日上午發(fā)布2011年第2季財(cái)報(bào)。海力士第2季營(yíng)收2.76兆韓元(約26.15億美元),營(yíng)業(yè)利益4,470億韓元(約4.24億美元),與 2010年同期相比營(yíng)收減少16%、營(yíng)業(yè)利益減少56%,然與2011年第1季相比,雖然營(yíng)收減少1%,但營(yíng)業(yè)利益則增加了38%。
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          海力士美光指責(zé)Rambus將技術(shù)失敗歸咎對(duì)手

          •   海力士半導(dǎo)體和美光律師在法院上表示,Rambus在內(nèi)存芯片上伎倆骯臟,自己在技術(shù)上失敗卻怪罪于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。本周二,海力士公開(kāi)一份聲明,代表律師肯尼斯·尼斯利(Kenneth Nissly)說(shuō)Rambus RDRAM內(nèi)存技術(shù)在設(shè)計(jì)和技術(shù)上存在問(wèn)題,盡管在早期得到了英特爾的支持,卻未能廣泛被采納。
          • 關(guān)鍵字: 海力士  RDRAM  

          海力士轉(zhuǎn)換NAND Flash制程 主打26納米產(chǎn)品

          •   韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群,近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量,以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。   海力士相關(guān)人員表示,26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%,6月已超越50%,月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品,成為海力士主力產(chǎn)品。   NAND Flash為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片,即使中斷供電也能儲(chǔ)存信息,是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)
          • 關(guān)鍵字: 海力士  26納米  

          海力士半導(dǎo)體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度

          •   南韓半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群,近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量,以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。   海力士相關(guān)人員表示,26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%,6月已超越50%,月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品,成為海力士主力產(chǎn)品。   NAND Flash為非揮發(fā)性?xún)?nèi)存芯片,即使中斷供電也能儲(chǔ)存信息,是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)裝
          • 關(guān)鍵字: 海力士  NAND  

          海力士半導(dǎo)體工廠蒸鍍?cè)O(shè)備氣體外泄

          •   據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo),韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)位于京畿道利川的工廠發(fā)生氣體外泄事故。19日晚間約10點(diǎn)50分,在維修D(zhuǎn)RAM半導(dǎo)體產(chǎn)線蒸鍍?cè)O(shè)備過(guò)程中,海力士合作廠2位員工因操作不當(dāng),使設(shè)備內(nèi)殘留的液化氣體外泄。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  蒸鍍?cè)O(shè)備  
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          海力士 介紹

          海力士半導(dǎo)體公司(Hynix,諺文:???? ???,KSE:000660 )是一家韓國(guó)的電子公司,全球二十大半導(dǎo)體銷(xiāo)量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專(zhuān)注于銷(xiāo)售DRAM,后來(lái)是SDRAM。2001年他們以6億5000萬(wàn)美元的價(jià)格出售TFT LCD業(yè)務(wù),同年他們開(kāi)發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。 價(jià)格操控與處份 200 [ 查看詳細(xì) ]

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