測(cè)試線路 文章 最新資訊
可控硅dIT/dt測(cè)試線路的設(shè)計(jì)與測(cè)量
- 該測(cè)試線路是在傳統(tǒng)的相位控制電路的基礎(chǔ)上增加了兩個(gè)配置，利用該線路當(dāng)可控硅的控制端觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)可產(chǎn)生一個(gè)高的上升和下降斜率的電流波通過可控硅的T1和T2，從而可以測(cè)量電流的變化率，當(dāng)可控硅的電特性(靜態(tài)參數(shù))發(fā)生變化時(shí)說明該器件已經(jīng)受損，此前測(cè)量的dIT/dt值即為該可控硅能承受的最大導(dǎo)通電流變化率。
- 關(guān)鍵字： 測(cè)試線路 可調(diào)電阻
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測(cè)試線路介紹
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